H U SBIBLIOTEKI G t C J W N E J Podręcznik opracowany pod kierunkiem dr hab. inż. Mariusza Olszewskiego profesora na Wydziale Mechatroniki Politechnik...
Podręcznik o p ra co w a n y pod kierunkiem dr hab. inż. Mariusza Olszewskiego profesora na Wydziale M echatroniki Politechniki Warszawskiej
Biblioteka Główna Wojskowej Akademii Technicznej
66867
Opracowanie m erytoryczne tekstu i tłumaczenie: prof. dr hab. inż. Mariusz Olszewski dr inż. Jan Barczyk dr inż, Micha! Bartyś dr inż. W ieńczysław J. Kościelny dr inż. Willi Mednis dr inż. Andrzej Sierota dr inż. Jerzy Szacillo-Kosowski Redakcja: Agnieszka Grzybek Redaktor prowadzący: Stanislaw Grzybek Do opracowania podręcznika wykorzystano m ateriały z publikacji: Mechatronika. Verlag Europa-Lehrmittel, REA, Warszawa 2002 Praktyczna elektrotechnika ogólna. Verlag Europa-Lehrmittel, REA, Warszawa 2003 Podstawy elektroniki. Verlag Europa-Lehrmittel, REA, Warszawa 2006 Fachkunde Mechatronik. Verlag Europa-Lehrmittel, 2004 za zgodą w ydawnictwa Europa-Lehrmittel, Nourney, Vollmer GmbH&Co. KG, 42781 Haan-Gruiten (Germany)
Podręcznik dopuszczony do użytku szkolnego przez m inistra właściwego do spraw oświaty i wychowania i wpisany do wykazu podręczników przeznaczonych do kształcenia w zawodach do nauczania zawodu te c h n ik m e ch a tro n ik na poziomie te c h n iku m na podstawie opinii rzeczoznawców: dr. inż. Jerzego Gustowskiego, mgr. Rafała Janusa, mgr. inż. Henryka Krystkowiaka i dr. hab. Krzysztofa Pacholskiego. Numer dopuszczenia: 18/2006
Wstęp Mechatronika, nowa, dynamicznie rozwijająca się dziedzina nauki, techniki i przem ysłu, potrzebuje coraz więcej specjalistów przygotowanych zawodow o do podjęcia wyzwań nowoczesności. W uczelniach europej skich kształcenie inżynierów m echatroników rozpoczęto już w połowie lat 90., a kilka lat później, w szkołach zawodowych i technicznych, kształcenie techników m echatroników. W yroby polskiego przem ysłu sprostają konkurencji w ramach zjednoczonej Europy tylko wtedy, gdy spełnią wym agania mechatroniki - korzystne go dla końcowego produktu połączenia cech w yrobu m echanicznego, elektrotechnicznego, elektroniczne go i informatycznego. Już obecnie produkty m echatroniczne otaczają nas coraz szerzej nie tylko w pracy zawodowej, ale także w życiu prywatnym : od sprzętu m edialnego, kom puterow ego i gospodarstw a dom o wego rozpoczynając, a na nowoczesnej inżynierii m edycznej, obrabiarkowej, robotycznej i transportowej kończąc. Podręcznik „Podstawy m echatroniki" spełnia wszystkie wym agania podstawy program owej w zakresie na uczania bloku program ow ego - „P o d s ta w y m e c h a tro n ik i” i w prow adza do nauczania kolejnych bloków programowych. Zgodnie z podstawą program ow ą m ateriał nauczania został podzielony na działy tem atycz ne dotyczące istoty m echatroniki, bezpieczeństwa i higieny pracy z urządzeniam i m echatronicznym i, o b w odów elektrycznych oraz układów elektronicznych, pneum atycznych i hydraulicznych. Podział na stano wiące w dużym stopniu zamkniętą całość rozdziały i podrozdziały ułatwia naukę i nauczanie - te części p od ręcznika m ogą być czytane, analizowane i wykładane w różnej kolejności. Pozwala to na swobodne korzy stanie z książki i dostosowanie jej do potrzeb słuchacza i nauczyciela oraz dow olny wybór interesującego materiału lub zagadnień. Prawie „m ultim edialne" ilustracje dobrze odpow iadają zainteresowaniom i interne towym przyzwyczajeniom m łodego czytelnika i m ogą być łatwo wykorzystane jako pom oce dydaktyczne wykładowcy w prowadzonych przez niego zajęciach. Podręcznik został opracowany przez zespól inżynierów i w ykładow ców akadem ickich Politechniki Warszaw skiej, pracujących na uruchom ionym w 1996 roku, pierwszym w polskich uczelniach technicznych, Wydziale Mechatroniki. Doskonałe kwalifikacje naukowe i zawodowe zespołu oraz przede wszystkim wieloletnie do ś w ia d c z e n ie ^ nauczaniu mechatroniki pozwoliło na przygotowanie podręcznika zwięzłego, przystępnego, zachęcającego do nauki przez liczne kolorowe rysunki, fotografie, wykresy i tablice. Ważniejsze definicje i opisy zostały wyróżnione przez umieszczenie na zielonym tle, zależności matematyczne - na niebieskim, ważne dla bezpieczeństwa pracy nakazy - na żółtym tle. Każdy głów ny podrozdział kończy się pytaniami sprawdzającymi i utrwalającymi nabytą wiedzę - te części tekstu, podobnie jak przyklad-y, umieszczono na szarym tle. Korzystanie z podręcznika ułatwia obszerny indeks nazw wyróżnionych w tekście pogrubioną czcionką. Autorzy dziękują zespołowi recenzentów za wnikliwe uwagi - będą wdzięczni także Czytelnikom za sugestie zmian i uzupełnień. Dla wydawnictwa będą one ważną pomocą w przygotowaniu kolejnych wydań podręcznika. M ariu sz O lszew ski
Spis treści
4
Spis treści
1.1 1.2 1.3 1.4
Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie m echatronicznym . . . . . . 12 System owe podejście przy projektowaniu urządzeń i system ów m e c h a tro n ic z n y c h .............................17 21 Przykłady urządzeń i system ów m e c h a tro n ic z n y c h ................................................................ Znaczenie m echatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju ................................................................ 27
2.1
31 C z ło w ie k je s t m i a r ą ................................................................... 2.1.1 Ergonom ia .................................................................................................................................................31 2.1.1.1 Ergonom iczne stanowisko pracy .....................................................................................32 2.1.1.2 Ergonom iczne urządzenie m e c h a tro n ic z n e ................. i ..................................................33 2.1.2 Obciążenia wywołane pracą ................................................................................................................. 34 2.1.2.1 O bciążenia spow odow ane rodzajem p r a c y ..................................................... '.............. 34 2.1.2.2 Obciążenia wywołane organizacją p r a c y ....................................................................... 35
2.2
W arunki b e zp ie czne j p r a c y .............................................................................................................................. 36 2.2.1 Obowiązujące przepisy i d y re k ty w y ...................................................................................................... 37 2.2.1.1 Ustawa o ogólnym bezpieczeństwie produktów ..........................................................37 2.2.1.2 Przepisy, dyrektywy, n o rm y ................................................................................................37 2.2.1.3 Przepisy o zapobieganiu wypadkom ..............................................................................37 2.2.2 Oznakowania dotyczące bezpieczeństwa p r a c y ............................................................................... 38 2.2.2.1 Oznakowanie m ateriałów niebezpiecznych .................................................................. 38 2.2.2.2 Znaki b e zp ie czeń stw a ........................................................................................................... 38 2.2.3 Bezpieczne użytkowanie narzędzi i p rz y rz ą d ó w ............................................................................... 40 2.2.4 Odzież i środki ochrony indywidualnej ............................................................................................... 40
2.3
2.4
Praca z u rzą d ze n ia m i e le ktryczn ym i .............................................................................................................. 41 2.3.1 Ogólne warunki zasilania e le k try c z n e g o .............................................................................................41 2.3.2 Podstawowe pojęcia ...............................................................................................................................41 2.3.3 Zagrożenia spowodow ane pracą z urządzeniami e le k try c z n y m i..................................................42 2.3.3.1 Dziaianie prądu elektrycznego na organizm c z ło w ie k a .................................................43 2.3.3.2 Kom patybilność e le ktrom agnetyczna ................................................................................ 44 2.3.4 Bezpieczna praca z urządzeniami elektrycznym i ............................■................................................45 2.3.4.1 Pięć regut bezpiecznej pracy z urządzeniami e le k try c z n y m i........................................46 2.3A.2 Bezpieczna praca w pobliżu instalacji znajdujących się pod n a p ię c ie m ................... 46 2.3.4.3 Bezpieczna praca przy wykonywaniu robót na instalacji znajdującej się pod n a p ię c ie m .......................................................................................... 47 2.3.5 O chrona p rze ciw p o ra że n io w a ...............................................................................................................47 2.3.5.1 Ochrona przed dotykiem bezpośrednim i p o ś re d n im ...................................................48 2.3.5.2 Ochrona przez bardzo niskie n a p ię c ie ..............................................................................48 2.3.5.S O chrona przez ograniczenie energii rozładowania . .■...................................................49 2.3.5.4 Ochrona przeciwporażeniowa w w arunkach norm alnych (ochrona przed dotykiem bezpośrednim lub ochrona podstawowa) .........................................49 2.3.5.5 Ochrona przeciwporażeniowa w warunkach awaryjnych (ochrona przed dotykiem pośrednim lub ochrona w warunkach zagrożenia) ......................... 50 2.3.5 .6 Izolacje ochronne .................................................................................................................. 51 2.3.5.7 Ochrona przez izolację p o m ie s z c z e ń ................................................................................ 52 2.3.5 .8 Ochrona przez galwaniczne oddzielenie o b w o d ó w ....................................................... 52 2.3.5.9 O chrona przez nieuziemione, lokalne połączenia wyrównawcze .............................. 52 Praca z u rzą d ze n ia m i p n e u m a tyczn ym i ......................................................................................................53 2.4.1 Zagrożenia spow odow ane pracą z urządzeniami pneum atycznymi ..........................................53 2.4.2 Przepisy dotyczące bezpiecznego użytkowania instalacji i zbiorników c iś n ie n io w y c h 54 2.4.3 Bezpieczna praca z urządzeniami pneum atycznym i .................................................................. 55
Spis treści 2 .5
2(6
3.1
.
Praca z urządzeniami h yd ra u liczn y m i...................................................................................................... 2.5.1 Zagrożenia spow odow ane pracą z urządzeniami h y d ra u lic z n y m i......................................... 2.5.2 Dziaianie cieczy hydraulicznych na organizm człowieka i jego środowisko ........................ 2.5.3 Bezpieczna praca z urządzeniami hydraulicznym i ....................................................................
"■ 5 55
56 56 56
57 50 58
Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami m ech atron iczn ym i............................................... 2.6.1 Przedsięwzięcia usuwające głów ne zagrożenia ......................................................................... 2.6.2 Postępowanie powypadkowe ........................................................................................................ 2.6.3 Ochrona przeciwpożarowa i postępow anie w przypadku pożaru ......................................... 2.6.4 Postępowanie z materiałami niebezpiecznym i ........................................................................... 2.6.5 W ytyczne UE dla zapewnienia bezpiecznej pracy urządzeń i s y s te m ó w ..............................
59 60 60
W prow adzenie d o e le k tro te c h n ik i ............................................................................................................ 3.1.1 Podstawowe wielkościelektryczne i ich jednostki ......................................................................... 3.1.2 Ładunek elektryczny .......................................................................................................................... 3.1.3 Napięcie elektryczne .......................................................................................................................... 3.1.3.1 Wytwarzanie napięcia elektrycznego ............................................................................ 3.1.3.2 Rodzaje napięcia e le k try c z n e g o ..................................................................................... 3.1.4 Prąd e le k try c z n y .........................! ....................................................................................................... 3.1.5 Pole e le k try c z n e ..................................................................................................................................... 3.1.6 Pole magnetyczne ................................................................................................................................ 3.1.6.1 Wielkości charakteryzujące pole m agnetyczne ........................................................... 3.1.6.2 Materiały m a g n e ty c z n e ...................................................................................................... 3.1.6.3 O bwody magnetyczne .................................................................................................... 3.1.6.4 Prąd elektryczny w polu m agnetycznym 3.1.7 Indukcja elektrom agnetyczna
62 62 63 63 64 65 66 67 68, 69* 70 711 73 j 74 !
3.2
O b w o d y p rą d u sta łe g o .......................................................................... 3.2.1 Elementy i budow a obw odu prądu s ta łe g o ................................................................................... 77 i 3.2.2 Rezystor w obwodzie prądu stałego .............................................................................................. 78 l 3.2.2.1 Budowa rezystorów, ich właściwościi oznaczenia .................................................... 78. i 3.2.2.2 Łączenie szeregowe re z y s to ró w ..................................................................................... 81 3.2.2.3 Łączenie rów nolegle re z y s to ró w ..................................................................................... 82 , 3.2.2A Szeregowe i równolegle łączenie re zysto ró w .............................................................. 83 3.2.3 Kondensator w obwodzie prądu s ta łe g o ....................................................................................... 84 3.2.3.1 Budowa kondensatorów, ich właściwości i o z n a c z e n ia ............................................ 85 3.2.3.2 Łączenie szeregowe i równolegle k o n d e n sa to ró w ...................................................... 88 3.2.4 Cewka w obwodzie prądu s ta łe g o ..................' ................................................................................ 89 3.2.5 Obliczanie param etrów obw odów prądu stałego z jednym i kilkom a źródłam i napięcia . . 90 3.2.6 Stany nieustalone w obw odach prądu stałego ............................................................................ 93
3.3
O b w o d y p rą d u p rz e m ie n n e g o ....................................................................................................................... 96 3.3.1 Wytwarzanie napięcia p rz e m ie n n e g o ........................................................................................... 96 3.3.2 Podstawowe zjawiska, wielkości i param etry obw odów prądu p rz e m ie n n e g o ..................... 97 3.3.2.1 Przebiegi sinusoidalne .................................................................................................... 98 3.3.2.2 Przebiegi n ie s in u s o id a ln e ................................................................................................ 100 3.3.2.3 Moce obw odów prądu p rz e m ie n n e g o ......................................................................... 102 3.3.3 Kondensator w obwodzie prądu przem iennego ................................................ 105 3.3.4 Cewka w obw odzie prądu p rz e m ie n n e g o .................................................................................... 106 3.3.4.1 Budowa cewek i ich właściwości .................................................................................. 106 3.3.4 .2 Reaktancja indukcyjna cewki ......................................................................................... 107 3.3.4 .3 Łączenie szeregowe i rów nolegle cewek .................................................................. 109 3.3.5 Obliczanie param etrów obw odów prądu przem iennego z rezystorami, kondensatoram i i cewkami (obwody R L C )................................................................................... 109 3.3.5.1 O bwody szeregowe RC iRL ......................................................................................... 110 3.3.5.2 O bwody rów nolegle RC iRL .......................................................................................... 112 3.3.5.3 Straty w k o n d e n s a to rz e .................................................................................................. 113 3.3.5.4 Straty w c e w c e ................................................................................................................. 114
Spis treści
3.3.6 3.4
4.1
4.2
jj li : || j(j i) : ■j j ■' if i 1 j! i ; ji( || i j jj: :}| | |; )j , 4.3 | j t | ij
3.3.5.5 Filtry RC i R L ............................................................................................................ O bw ody rezonansowe ....................................................................................................................
Obwody tró jfa z o w e .................. 3.4.1 W ytwarzanie napięcia tró jfa z o w e g o 3.4.2 Podstawowe połączenia w obw odach prądu trójfazowego ................ ,.................................... 3.4.2.1 Układ g w ia z d y 3.4.2.2 Układ trójkąta 3.4.2.3 Zastosowania układu gwiazdy i tró jk ą ta 3.4.3 Uktady kom pensacji m ocy b ie rn e j..................................................................................................
P odstaw ow e p o ję cia z za kre su b u d o w y u kła d ó w e le ktro n iczn ych 4.1.1 Element i układ elektroniczny 4.1.2 Elementy bierne i czynne układów e le k tro n ic z n y c h .......................... 4.1.3 Układy analogowe, binarne i cyfrowe .............................................................................................. 4.1.4 Układy kom binacyjne i s e kw e n cyjn e 4.1.5 Układy o stałym program ie oraz układy p ro g ra m o w a ln e ............................................................
Spis treści
11b 118 124 124 125, 125 126 126 127
129 129 131 132 134 135
, j i t i
Układy cyfrowe .......................................................................................................................................... 235 235 4.4.1 Budowa układu cyfrowego ......................................................................................................... 4.4.2 Informacja w układzie cyfrowym .................................. , ................................................................. 237 4.4.2.1 Reprezentacja lic z b ........................................................................................................... 239 4.4.2.2 ' Reprezentacja znaków ...................................................................................................... 242 4.4.2.3 Reprezentacja instrukcji ......................................................................................................244 4.4.3 Elementy układów cyfrowych ............................................................................... 246 4.4.3.1 Rejestry p rz e s u w n e ........................................................................................................... 246 4.4.3.2 Specjalne elementy układów cyfrowych .......................................................................249 4.4.3.3 Przetworniki kodów cyfrowych ...................................................................................... 251 4.4.3.4 Przetworniki analogow o-cyfrowe i c y fro w o -a n a lo g o w e ............................................... 254 4.4.3.5 Pamięci stale (ROM) ............................................................................................................257 4.4.3.6 Pamięci zapis/odczyt (RAM) .............................................................................................. 260 4.4.3.7 M ik ro p ro c e s o ry ..................................................................................................................... 262 4.4.4 Budowa m ikro ko m p u te ra .....................................................................................................................264 4.4.4.1 Architektura i minimalna k o n fig u ra c ja ............................................................................ 264 4.4.4.2 Magistrale ........................................................................................................................... 266 4.4.4.3 Wejścia i wyjścia s y g n a ło w e ............................................................................................ 269 4.4.4.4 Podstawowe tryby pracy m ik ro k o m p u te ra ................................................................... 272 4.4.5 Programowanie m ikrokom putera ..................................................................................................... 274 4.4.5.1 Programy u ż y tk o w e ......................................................................................................... 275 4.4.5.2 Języki program owania ..................................................................................................... 276 4.4.5.3 Rodzaje adresowania ....................................................................................................... 281 , 4.4.5.4 Listy instrukcji ....................................................................................................................... 283 4.4.5.5 Przykład realizacji prostego p ro g ra m u ................................................... 285 4.4.6 W spółpraca m ikrokom putera z urządzeniamizewnętrznym i ...................................................... 291 4.4.7 Przykłady zastosowań m ikrokom puterów w urządzeniach m e c h a tro n ic z n y c h ....................... 300
5.1
Fizyczne podstawy zachowania sprężonego powietrza ....................................................................... 308 5.1.1 Powietrze jako m edium robocze ........................................................................................................ 308 5.1.2 Podstawowe prawa gazowe ...............................................................................................................310 5.1.3 Rodzaje i parametry przepływu gazu ...............................................................................................310 5.1.4 Parametry charakteryzujące stan powietrza ro b o c z e g o ............................................................... 312
5.2
Budowa układu pneumatycznego ...............................................................................................................314 5.2.1 Układ wytwarzania sprężonego powietrza ......................................................................................315 5.2.2 Układ przygotowania powietrza roboczego ................................................................................... 319 5.2.3 Pneumatyczny układ napędowy ........................................................................................................320 5.2.4 Siłownik p n e u m a ty c z n y ............................................................................................................ 320 5.2.4.1 Budowa siłownika tło k o w e g o ............................................................................................321 5.2.4.2 Budowa siłownika beztioczyskow ego...... ...................................................................... 322 5.2.4.3 Budowa siłownika beztlokow ego (muskul p n e u m a ty c z n y )........................................ 323 5.2.4.4 Dane techniczne i sym bolika oznaczeń siłow ników pneum atycznych .....................324 5.2.5 Zawór p n e u m a tyczn y............................................................................................................................327 5.2.5.1 Budowa zaworu rozdzielającego tulejowo-gniazdowego ................ ■......................... 327
;
!
4.3.3.1 Podstawowe prawa algebry d w u w a rto ś c io w e j............................................................... 219 4.3.3.2 Podstawy syntezy układów k o m b in a c y jn y c h ..................................................................221 4.3.3.3 Minimalizacja liczby bram ek w układach kom binacyjnych .........................................223 4.3.3.4 Projektowanie układów k o m b in a c y jn y c h ........................................................................ 224 Układy sekwencyjne .......................................................................................................................... 226 4.3.4.1 Asynchroniczne przerzutniki R S ..................................................................................... 226 4.3.4.2 Synchroniczne przerzutniki JK ........................................................................................ 227 4.3.4.3 Liczniki asynchroniczne i synchroniczne ...................................................................... 230 4.3.4.4 Rejestry ................................................................................................................................... 231 4.3.4.5 Projektowanie układów s e k w e n c y jn y c h .......................................................................... 231
4.4 ) ■
P ó łp rze w o d n iko w e e le m e n ty i u kta dy e le k tro n ic z n e .......................................................................... 136 4.2.1 P ó łp rz e w o d n iki...................................................................................................................................... 136 4.2.1.1 Przepływ prądu w m etalach i p ó łp rze w o d n ika ch .......................................................... 137 4.2.1.2 W łaściwości półprzew odników typu P i N .................................................................. 139 4.2.1.3 W łaściwości ztącza PN .................................................................................................... 140 4.2.2 Diody półprzewodnikowe .......................................................................................................... ■ 142 4.2.2.1 Budowa diod półprzewodnikowych i ich oznaczenia .............................................. 145 4.2.2.2 Diody Zenera i S c h o ttk y 'e g o ............................................................................................ 146 4.2.2.3 Lasery półprzewodnikowe 149 , 4.2.3 T ra n z y s to ry............................................................................................................................................. 152 4.2.3.1 Tranzystory bipolarne typu NPN i P N P ......................................................................... 152 4.2.3.2 Tranzystory unipolarne 159 ! 4.2.3.3 O budow y tranzystorów i ich oznaczenia 166 j 4.2.3.4 Tranzystor jako łącznik e le k tro n ic z n y 166 • 4.2.3.5 Tranzystor jako wzm acniacz niskich c z ę s to tliw o ś c i 168 : 4.2.4 T y ry s to ry .................................................................................................................................................. 170 4.2.5 T r ia k i 172 ‘ 4.2.6 Diaki ........................................................................................................: ............................................... 173 4.2.7 Elementy optoelektroniczne .............................................................................................................. 174 4.2.8 Chłodzenie elem entów p ó łp rze w o d n iko w ych ................................................................................ 179 4.2.9 Uktady s c a lo n e ....................................................................................................................................... 180 4.2.10 Układy p ro s to w n iko w e ......................................................................................................................... 182 4.2.11 Układy stabilizacji napięć i prądów .................................................................................................. 185 4.2.12 Układy wzm acniające ......................................................................................................................... 188 4.2.12.1 Wzmacniacze z tranzystorami bipolarnym i ................. 191 4.2.12.2 W zmacniacze z tranzystorami unipolarnym i .............................................................. 198 4.2.12.3 Wzmacniacze o p e ra c y jn e ...................................................................................................201 4.2.12.4 Zastosowanie wzm acniaczy operacyjnych ................................................................... 204 U kła d y lo g ic z n e ............................................................................................................................................... 211 4.3.1 Sygnały i kody ......................................................................................................................................... 211 4.3.2 Elementy układów lo g ic z n y c h ............................................................................................................ 212 4.3.2.1 Bramka I (AND) .................................................................................................................. 213 4.3.2.2 Bramka LUB (OR) 214 4.3.2.3 Bramka NIE (NOT) .............................................................................................................. 214 4.3.2.4 Bramka NIE-I (NAND) ................................................................ 215 4.3.2.5 Bramka NIE-LUB (NOR) .............................................................................. 216 4.3.2 .6 Realizacje i podstawowe parametry bramek w technice s c a lo n e j............................. 217 4.3.3 Układy k o m b in a cyjn e .................................................................................. 218
4.3.4
7
1 Istota
10
•
•
•
W prow adzenie elektronicznych układów autom atycznego sterowania i regulacji param etrów systemu, rozwiązujących problemy prowadzenia, koordynacji, nadzoru i optymalizacji procesów realizowanych przez system. Zasadność cechy: Ingerencja operatora-czfowieka w system jest kosztowna, jej efektywność podlega silnym okresowym wahaniom związanym z fizjologiczną gotowością człowieka do wykonywania pra cy, prowadzi do obciążeń fizycznych i psychicznych, których skutkiem są wypadki i awarie systerriu, Wykorzystanie w możliwie największym zakresie niematerialnych możliwości kształtowania wła ściwości systemu. Zasadność cechy: pozostawienie materialnych - m echanicznych elementów i zespołów kształtujących właściwości systemu ogranicza m ożliwości ich zmiany, wym iany lub optymalizacji. Oprogramowanie, będące właśnie niematerialnym elementem systemu m echatronicznego, w połączeniu z konsekwent nym zastosow aniem kom puterow ego przetwarzania i przesyłania danych procesow ych, zapewnia działanie systemu bez potrzeby ingerencji w elem enty i zespoły mechaniczne, Dążenie do wykorzystania i ścisłej współpracy w systemie elementów i zespołów o różnych za sadach działania, pochodzących z różnych dziedzin techniki. Zasadność cechy: podejście system owe pozwala, dzięki niekonwencjonalnem u ujęciu problem u d o boru i integracji elem entów systemu, na uzyskanie w systemie bądź nowych, bądź bardziej korzyst nych charakterystyk i w łaściwości, niż będzie to m iało miejsce w przypadku ograniczenia się do roz wiązań jednorodnych technicznie.
Doskonałym przykładem stopniow ego, ew olucyjnego przechodzenia od rozwiązań m echanicznych do me chatronicznych są urządzenia do zapisu i odtwarzania dźwięku. W fonografie', wynalezionym przez Tomasza Edisona 2 w 1877 r., jednym z pierwszych urządzeń do zapisy wania i odtwarzania dźwięku, przytwierdzona do m em brany igta, ślizgając się po powierzchni walca pokryte go warstwą wosku, żłobiła w niej rowek o głębokości zmieniającej się w takt drgań m em brany - ta sama bam busowa lub metalowa igła, przenosząc drgania z wyżłobionego rowka na membranę, pozwalała na odtworzenie dźwięku. Było to więc wyłącznie urzą dzenie mechaniczne, podobne do starszych, bo już znanych w XVIII wieku, m echanizm ów grających ze garów, katarynek i pianoli. C ałkow icie m echanicznym i urządzeniam i byty także p ie rw s z e g ra m o fo n y 3 z p ła s k ą p ły tą i z a p ise m w b o c z n y m w y n a le z io n ym przez E m ila B e rlm era “1 w 1879 r. oraz pafefony z zapisem w głębnym opra cowane i produkow ane do lat 20 . ubiegłego stule cia przez Karola i Emila Pathó5. O prócz płaskiej pły ty isto tn ym po stęp e m b yło w p row ad ze n ie w g ra mofonach mechanicznych napędu sprężynowego z m echanicznym regulatorem prędkości obrotow ej (jako standard przyjęto w tedy 78 ob r/m in ), ruch o m ego ramienia z osadzoną iglą oraz przede wszyst kim wzm ocnienia odtw arzanego dźwięku przez ra mię w postaci rury i tubę lub pu d lo rezonansow e (rys. 1).
1 istota m echatroniki Po 1920 r. pojawiają się pierwsze gramofony elektryczne, w których napęd mechaniczny ptyty zastąpiono napędem elektrycznym oraz, dziesięć lat później, tubę i pudlo rezonansowe - głośnikiem i lam pow ym wzmacniaczem elektronicznym . Wzmacniacz w spółpracow ał z umieszczonym na końcu ramienia tzw. adap terem 1 (stąd kolejna, dość m ylna nazwa gram ofonów elektrycznych, rys. 1), będącym w istocie przetwórnikłem m echanicznych d rg a ń ig ły na sygnał elektryczny. W latach 50. XX wieku up o w sze chn ia ją się wzmacniacze tranzystorow e, igły szafirowe, ko ru n dowe i nawet diam entow e oraz ustala się kolejny standard obrotów płyty (33 1/3 i 45 obr/m in). W 1958 r. pojawiają się pierwsze gram ofony stereofoniczne. Zaledw ie p ię tn aście lat po p o ja w ie n iu się p ie rw szych gram ofonów elektrycznych, w 1935 r. w Berli nie, na W ystawie Radiotechniczne] pokazano kolej ne nowe urządzenie fo n og ra ficzn e o p a tentow ane pod nazwą m agnetofonu2. O degra ono kolosalną rolę nie ty lk o w d z ie d z in ie z a p isu i o d tw a rz a n ia dźwięku, ale także w rozwoju techniki program ow al nego sterowania w autom atyce i robotyce oraz tech niki komputerowej i pomiarowej. Taśma m agnetycz na okaże się doskonałym - w zasadzie do czasów nam współczesnych - nośnikiem zapisywanych na niej informacji, zarówno fonicznych, wizyjnych (ma gnetowid), ja k i tworzących p rocedury sterowania in n ym i m aszyn a m i i u rz ą d z e n ia m i. M ag n eto fo n szpulowy (rys. 2) i od 1963 r. magnetofon kaseto wy (rys. 3) wykorzystują jeszcze dość złożone m e chanicznie zespoły napędowe taśmy (współcześnie z prędkością 4,76 cm /s w przyrządach kasetowych) i zespoły sterujące jej ruchem - pozostałe zespoły są już wyłącznie elektryczne, m agnetyczne i elektro niczne.
Rys. 1. Adapter - gramofon elektryczny z lat 50. ubiegłe go wieku
W 1982 r. dokonany zostaje w dziedzinie fonografii kolejny krok w kierunku m echatroniki - zaprezento wany zostaje pierwszy gramofon cyfrowy (tzw. od twarzacz CD3 lub rzadziej dyskofon, rys. 4). W gra mofonie wykorzystywany jest jako nośnik informacji krążek - p łyta (nazyw any pow sze ch nie dyskiem ) z przezroczystego tworzyw a sztucznego (gru b o ść
Rys. 2. Magnetofon szpulowy z łat 60. ubiegfego wieku
Rys. 1. Patefon - gramofon mechaniczny z pierwszych lat XX wieku
1 z gr. p h o n o = dźw ięk, gtos, g ra ph ein = skro b a ć, rytow ać; 2 Thom as Alva E dison (1847 -1 93 1 ) - w yn alazca a m e rykań ski, tw ó rca p o n a d 1000 p ate ntó w z zakresu elektrotechniki; 3 z gr. gram m a = zapis, p h o n o = dźw ięk, gtos; 4 Em il B e rlin er (1 8 51 -1 92 9 ) - in żynier a m e rykań ski p o ch o d ze n ia niem ie ckiog o ; 6 C harles (1863-1957) i E m il (1860-1937) P alhó - bracia, p rze m ysło w cy francuscy, pion ie rzy europ ejskiej fonografii - stąd p ow szechna w XX nazw a p a te fo n
Rys. 3. Przenośny magnetofon kasetowy - przełom lat 80. i 90. XX wieku
Rys. 4. Przenośny gramofon cyfrowy - odtwarzacz CD z ostatnie) dekady ubiegłego wieku
’ z tac. adaptare = przystoso w a ć, aclaptor - elem on t lu b ze spó l za pe w n ia jący w ła ściw ą w sp ó łp ra cę d w ó c h urządzeń; niom . M a g ne top ho n — m a g ne tofo n; CD (ang. C o m p act D /sc) = p łyta ko m p akto w a, nazyw ana także płytą la serow ą lu b optyczn ą
: * > -
12
1 1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie m echatronicznym
1.1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie mechatronicznym
13
1,2 mm i średnica 12 cm, także 8 cm i inne) o metali zowanej pow ierzchni, w której w ytw orzone zostały wgłębienia o różnej długości i w różnych odstępach, co pozwala przy pom ocy odbijającego się od ścieżki zapisu prom ienia laserowego i fo to dio d odczytują cych wytworzyć ciąg sygnałów optycznych przetwa rzanych na elektryczny sygnał cyfrow y i następnie analogowy, kierow any do wzm acniacza akustyczne go. Tu już tylko sam dysk, rotor (wirnik) obracającego go silnika elektrycznego oraz laserowy zespól o d czytowy (bądź współcześnie także zapisowy) są ru chom ym i elementami m echanicznym i (liniowa pręd kość odczytu i zapisu wynosi przeważnie 1,25 m/s). Pozostałe zespoły są wykonane jako układy cyfro we. Zespoły elektroniczne sterują prędkością obro tową silnika, utrzym ują plamkę prom ienia lasera na ścieżce odtwarzania i zapisu, dokonują korekcji błędów i redukcji szumów, przetwarzają cyfrową postać sygnału na postać analogową, wzmacniają sygnał i sterują programem odtwarzania lub zapisu. Płyta CD, opracowana przez firmę Philips początkowo tylko 'dla zapisu dźwięku stereofonicznego wysokiej jakości, podobnie jak wcześniej taśma magnetyczna, zrewolucjonizowa ła nie tylko procesy zapisu fonii, ale także obrazu i wizji oraz - a może przede wszystkim - procesy tworze nia nośników baz danych i program ów w technice komputerowej oraz w technice program owalnego stero wania maszynami i urządzeniami. Ostatnie lata to ju ż dom inacja odtw arzaczy z pam ięcią f/as/i1 (nazywanych powszechnie ipodam i lub odtwarzaczam i plików mp3 - w rzeczywistości stosowane są jeszcze inne m etody kompresji plików, np. atrac). W tych odtwarzaczach nie ma już w ogóle elem entów m echanicznych lub elektrom echanicznych wprawiających w ruch nośnik informacji - elementy mechaniczne zostały zredukowane do korpusu obudowy odtwarzacza oraz dotykow ych sensorów sterujących jego pracą (rys. 1). Sama pamięć flash, podobnie jak to było z pam ięciam i taśm ow ym i i płytow ym i, w ykorzystyw ana jest już jako w ygodny nośnik inform acji w technice kom puterow ej (nazywany tu potocznie pendrive’m2).
Rys. 1. Przykład systemu mechatronicznego: współczesne stanowisko produkcyjne Ze względu na cyfrowy sposób przetwarzania tych sygnałów w układzie sterowania tą ujednoliconą postacią sygnałów powinna być również postać cyfrowa. Kolejne zadanie systemu m echatronicznego, jakim jest przetwarzanie i interpretowanie zebranych przez sensory informacji procesowych, pow inno charakteryzow ać się trzem a głównym i cechami:
1 1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie mechatronicznym
•
Optymalizację zachowania urządzenia, maszyny lub ogólnie systemu mechanicznego, która jest głównym celem działań inżynierskich nazywanych mechatronizacją, osiąga się przez połączenie zespołów elektrycznych, elektronicznych i kom puterow ych z zespołami m echanicznym i w nowy, powiązany sprzętowo i sygnaIowo, system m echatroniczny. Ten zintegrowany fizycznie system (rys. 1 na następnej stronie) odbiera za pom ocą sensorów (czujników i przetworników pomiarowych) sygnały ze środowiska roboczego (oto czenia) oraz sygnały wytwarzane przez własne zespoły, przetwarza je i interpretuje we własnym procesorze (sterowniku, układzie sterowania) i następnie - odpow iednio do stanu środowiska i własnych zachowań reaguje na nie przy pom ocy aktuatorów (elementów i urządzeń wykonawczych), działając - w sposób zgodny z celem użytkowania systemu - na środowisko.
; ; : ‘
działaniem w czasie rzeczywistym, a więc z możliwie najmniejszymi opóźnieniam i pom iędzy zaistnie niem nowej sytuacji procesowej i reakcją na tę sytuację, • realizacją program ow ą przetwarzania zapewniającą wspom nianą już w rozdziale 1 niematerialną zdol ność kształtowania właściwości i zachowań systemu m echatronicznego, • osiągnięciem takiego stopnia inteligencji przetwarzania, który pozwala na przejęcie przez system me chatroniczny od je g o użytkownika przynajm niej części odpow iedzialności za realizację przewidzia nych zadań. Generalnie wyróżnia się trzy poziomy zadań przewidzianych dla procesora systemu mechatronicznego: •
Pierwszą, istotną cechą systemu m echatronicznego jest więc zintegrowanie sensorów z realizowanym przez ; system procesem. Procesy te, a więc i pobierana przez sensory informacja (dane procesowe), m ogą mieć bardzo różną postać fizyczną: mechaniczną, elektryczną, pneumatyczną, hydrauliczną, także optyczną, che miczną, a nawet biologiczną oraz różny charakter: ciągły (analogowy) i nieciągły (przerywany, dyskretny) w czasie. Sensory powinny zapewnić możliwie wierne przetworzenie tej inform acji w ujednolicone sygnały ■ elektryczne, akceptow ane przez w łasną (lokalną) sieć linii przesyłow ych oraz przez procesor system u.
1 ang. flash m e m o ry ~ p a m ię ć błyskow a; 2 z a ng. p e n - p ióro, drive = n ap ęd
sterowanie i regulacja wielkości procesowych - jest to tzw. najniższa lub dolna warstwa działania (rys. 1 na następnej stronie), • kontrola wartości granicznych, m eldowanie sytuacji awaryjnych, zapewnienie działania lub zatrzyma nie pracy systemu w przypadku pojawienia się w ybranych uszkodzeń, • nadzór i diagnoza uszkodzeń, koordynacja system ów cząstkowych w systemach złożonych, zarzą dzanie systemam i złożonym i - i jest to tzw. najwyższy lub górny poziom działania. Już nawet przejęcie przez procesor systemu m echatronicznego odpow iedzialności za najniższy poziom działania odciąża użytkownika i pozwala mu na zwrócenie większej uwagi na zadania wyższego poziomu i na głów ny cel, jakim jest użytkowanie systemu.
14
komunikacja z układami nadrzędnymi
sygnaiy sterujące, regulujące
t
>roc procesor (mikrokomputer) rokc
sensory ciśnienia powietrza sygnały prowadzące, zadające
Jtt nastawnik energii (prostownik sterowany)
sygnalizacja, diagnostyka
15
1.1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie mechatronicznym
1.1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie mechatronicznym
Rys. 1. Schemat budowy warstwy działań sterujących i regulacyjnych systemu mechatronicznego na przykładzie elek tromechanicznego układu napędowego Trzecią cechą systemu m echatronicznego jest, podobnie jak w przypadku sensorów, zintegrowanie aktuatorów z realizowanym przez system procesem . Tu także ponow ne zbliżenie się do wielkości procesowych skutkuje koniecznością wyboru różnych zasad działania elementów i urządzeń wykonawczych oraz różnych sposobów ich działania w czasie (działania ciągle, przerywne itd.). Jednocześnie działania wykonawcze wy m agają w zdecydow anej większości procesów: • • •
wzm ocnienia energetycznego sygnałów, a więc podania energii pom ocniczej, najczęściej w postaci ełektrycznej, pneum atycznej lub hydraulicznej, przetworzenia elektrycznych sygnałów cyfrowych procesora na akceptowaną przez dany aktuator postać (analogową, cyfrową, binarną) i w ielkość fizyczną sygnału (prąd, ciśnienie, przepływ itd.), dobrej jakości przetworzenia sygnałów wejściowych aktuatora na sygnały procesowe - może to w y m agać potraktowania urządzenia wykonawczego jako cząstkowego systemu (lub podsystem u) me chatronicznego z własnym i sensorami, procesorem i aktuatorami.
Ta integracyjna, synergiczna' koncepcja systemu m echatronicznego może być wykorzystana w bardzo róż nych rozwiązaniach technicznych, począwszy od produktów klasy cyfrowego odtwarzacza muzyki i aparatu fotograficznego, przez stanowiska i linie produkcyjne współczesnego przemysłu aż do praw dopodobnie naj większego na świeoie systemu m echatronicznego, jakim jest system zabezpieczający drogę wodną do por tu w Rotterdamie w Holandii, ze sterowanym i kom puterow o elementami ruchom ym i śluz mierzącymi ponad 300 m etrów długości. 5 syn ergiczn y = d zięki w s p ó łd zia ła n iu sku te czn iejszy niż su m a o d d zie ln ych działań , gr. syn ergo s = w spółdzia ła n ie
Rys. 1. Mechatroniczne zgrzewadto blach stosowane w zrobotyzowanej linii montażu karoserii i a) zgrzewadto zamontowane na robocie przemysłowym, b) przekrój budowy oraz c) schemat budowy mechatro nicznego układu napędowego zgrzewadla
'
Dobrym przykładem synergii różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie m echatronicz nym jest zgrzewadto blach stosowane w procesach m ontażu karoserii sam ochodowych, jedno z najczęściej obecnie wykorzystywanych narzędzi robotów przem ysłowych (rys. la ) . Wykorzystanie konwencjonalnego rozwiązania polega na ręcznym doprowadzeniu zgrzewadla przez robotnika-operatora stanowiska do punktu zgrzewania, zamknięciu elektrod (szczęk) zgrzewadla na łączonych blachach i włączeniu przepływu prądu przez elektrody. Po upływie żądanego czasu zgrzewania i wyłączeniu prądu operator otwiera elektrody i przemieszcza ręcznie zgrzewadto do kolejnego punktu zgrzewania. Czas elementarnego cyklu zgrzewania trwa od kilkunastu do kilkudziesięciu sekund. Niedokładności ręcznego doprowadzenia i sterowania zgrzew adłem są przyczyną ograniczonej jakości i w ytrzym ałości zgrzeiny, W tym także często złego wyglądu miejsca zgrzewania. W wersji mechatronicznej zgrzewadto jest doprowadzane (rys. 1 a) do punktu zgrzewania przez robota prze mysłowego, pełniącego rolę nadrzędnego - w stosunku do zgrzewadla - systemu m echatronicznego. Usta wienie elektrod w stosunku do punktu zgrzewania z dokładnością rzędu części milimetra, typową dla robo tów przemysłowych, wywołuje przesłanie sygnału inicjującego proces zgrzewania do procesora-sterownika m ikrokom puterowego zgrzewadla (rys. 1 b).
16
1 .2 Systemowe podejście przy ¡projektowaniu urządzeń i systemów m echatronicznych
1.1 Synergia różnych zasad działania urządzeń zintegrowanych w systemie m echatronicznym
Proces zgrzewania przebiega zgodnie z następującą programowaną procedurą: • aktuator zgrzewadia przemieszcza elektrody w pobliże powierzchni zgrzewanych blach z m ożliwie naj-\ , większą prędkością ruchu (ruch jafowy), • aktuator dosuw a elektrody do pow ierzchni zgrzew anych blach z tak nastaw ianą prędkością, aby w chwili Ich zetknięcia się z łączonym i blachami prędkość była równa zeru - zapobiega to uderzeniu elektrod i odkształceniu blach (ruch roboczy), aktuator rozwija - zgodnie z przyjętą charakterystyką - silę docisku elektrod do powierzchni zgrze wanych blach, • po osiągnięciu zadanej sity docisku procesor zgrzewadia wysyła sygnał włączenia prądu zgrzewającego, • po zaprogramowanym czasie zgrzewania i wyłączeniu prądu aktuator odsuwa elektrody z możliwie największą prędkością ruchu od punktu zgrzewania (ruch jałowy), • po zajęciu pozycji wycofania elektrod procesor zgrzewadia wysyła sygnał zakończenia procesu do układu sterowania robotem - robot przemieszcza zgrzewadto do kolejnego punktu zgrzewania.
17
1.2 Systemowe podejście przy projektowaniu urządzeń I systemów mechatronicznych . j |
i | i l ; i
Ten - mechatroniczny, autom atycznie sterowany - sposób zgrzewania gwarantuje najwyższą jakość i dosko- i nały w ygląd zgrzeiny przy jednocześnie zdecydow anie krótszym czasie cyklu w porównaniu ze zgrzewa- • niem konwencjonalnym . i
.Interdyscyplinarność m echatroniki zmusza do innego podejścia przy projektowaniu urządzeń, maszyn i systemów, niż miało to miejsce w przypadku rozwiązań konwencjonalnych! Tylko pozornie może się wydawać, że rozwiązanie mechatroniczne jest wyłącznie następstwem dokonujące go się postępu technicznego. Duże, drogie, bardziej zawodne i nie poddające się woli użytkownika zespoły mechaniczne są - dzięki postępowi technicznem u - zastępowane małymi, tańszymi, niezawodnym i i progra mowanymi przez użytkownika zespołam i elektrycznymi, elektronicznym i i m ikrokom puterowym i. W istocie rzeczy jednak rozwiązanie m echatroniczne od wspom nianego konwencjonalnego odróżnia wła śnie inne podejście do projektow ania (tab. 1). Już od fazy wstępnej koncepcji projektu uw zględnia się w mechatronice przede wszystkim cele funkcjonalne i użytkowe danego rozwiązania i dobiera najbardziej sprzyjające tym celom koncepcje, a potem elementy i zespoły, nawet jeśli pochodzą one z różnych dziedzin techniki i wykorzystują różne zasady działania, odm ienne od tradycyjnej koncepcji. Jest to więc podejście
W budowie mechatronicznego zgrzewadia wykorzystano (rys. 1c na poprzedniej stronie):
Tab. 1. Ważniejsze różnice pomiędzy projektowaniem konvvencjonalnym i mechatronicznym
• •
Projekt konwencjonalny
Projekt mechatroniczny
Tradycyjna koncepcja rozwiązania
Studium wielu m ożliwych rozwiązań powstałych na podstawie niekonwencjonalnych metod rozwiązywania problem ów
Prowadzenie projektu zgodnie z jednorodną koncepcją rozwiązania
W ybór rozwiązań cząstkowych na podstawie badań modeli teoretycznych i eksperymentalnych
trzy sensory, dwa czujniki piezokrystaliczne ciśnienia powietrza w komorach siłownika aktuatora, pozwalające na sterowanie silą docisku elektrody ruchomej, • czujnik magnetostrykcyjny położenia tloczyska siłownika aktuatora, pozwalający na sterowanie po zycyjne elektrodą ruchom ą zgrzewadia, • mikrokomputer pełniący rolę procesora-sterownika zgrzewadia zapewniający, oprócz realizacji za dań sterowania ruchem i siłą docisku elektrod, także zadania interfejsu sieci lokalnej zgrzewadia i interfejsu zewnętrznej magistrali sieciowej przesyłającej sygnały w spółpracy z nadrzędnym ste rownikiem robota, • aktuator elektropneumatyczny zbudow any z dwóch elementów: - pneumatycznego siłownika tłokowego jako przetwornika energii pom ocniczej (sprężone powie trze) w energię ruchu i siły docisku elektrody ruchom ej zgrzewadia, - elektropneumatycznego, proporcjonalnego zaworu przepływowego jako nastawnika energii dostarczanej do siłownika, « dźwigniowy mechanizm kinematyczny przekształcający ruch iiniowy tłoczyska siłownika aktuatora w ruch kątowy elektrod.
Do charakterystycznych dla rozwiązania m echatronicznego, synergicznych cech zgrzewadia zaliczyć należy: • •
•
i • ", k i; • j :?
zintegrowane działania sensoryczne - konstrukcyjne połączenie czujników sensorów ciśnienia z ka nałami wyjściowym i zaworu proporcjonalnego i połączenie czujnika położenia z tloczyskiem siłownika, wyposażenie zgrzewadia we własny wewnętrzny system komunikacyjny optymalizujący przesyłanie sygnałów z sensorów do procesora i z procesora do przetwornika elektrom echanicznego zaworu pro porcjonalnego, zintegrowane z sensorami i aktuatorem działanie procesorowe zastosowanego m ikrokom putera zapewniające: - programową realizację dwóch procedur sterowania: ruchu i siły docisku elektrod, - komunikację przez zewnętrzną magistralę sieciową z nadrzędnym układem sterowania, - diagnostykę działania sensorów i aktuatora zgrzewadia, - konstrukcyjną integrację płyt obwodów elektronicznych mikrokomputera z m echanicznym i ele mentami aktuatora, zintegrowane działania mechaniczne - konstrukcyjne połączenie nastawnika energii - zaworu proporcjonalnego z przetwornikiem energii - siłownikiem tłokowym oraz połączenie tloczyska siłownika mechanizmem kinematycznym z elektrodam i zgrzewadia, zamknięcie aktuatora, sensorów i procesora-sterownika we wspólnym korpusie serwojednostki napędowo-sterującej zgrzewadia, umożliwiające w przypadku awarii łatwą i szybką wymianę całego zespołu.
• Wykorzystanie konwencjonalnych elementów i zespołów m echanicznych i elektrom echanicznych
Wykorzystanie dostępnych m odułów mechatronicznych oraz przenoszenie działań m echanicznych do obszaru sterowania i oprogram owania
Zapewnienie dokładności i jakości przez zawężanie tolerancji wykonawczych i dopuszczal nych zmian wartości param etrów
Zapewnienie dokładności i jakości przez pom iar i regulację
Przesyłanie sygnałów przy pom ocy tradycyjnych połączeń kablowych
Przesyłanie sygnałów przy pom ocy wewnętrznych i zewnętrznych m agistrali telekom unikacyjnych
Sterowanie parametrami działań m echanicznych
Program owanie i regulowanie wartości param etrów działań mechanicznych
Pomijanie wpływu wielkości niemierzalnych
Uwzględnianie w pływu wielkości niemierzalnych przez odtwarzanie (rekonstrukcję) tych wielkości
Alarmowanie granicznych wartości param etrów
Ciągłe nadzorowanie, wizualizacja stanów awaryjnych i diagnostyka uszkodzeń
Produkt ciężki, łączony przez zewnętrzne dodawanie kolejnych elementów, zespołów i okablowania
Zwarty, lekki, zamknięty we w spólnym kadłubie p rodukt powstały ze zintegrowanych elem entów i zespołów BIBLIOTEK A CLOWNA WAT
92339
18
1.2 Systemowe podejście przy projektowaniu urządzeń i systemów m echatronicznych
1 .2 Systemowe podejście przy projektowaniu urządzeń i systemów m echatronicznych Wydaje się, że drugie podejście m oże zapew niać optym alną realizację projektów o charakterze mechatronicznym , uw zględniając zarów no czas trwa nia prac nad projektem, jak i końcowy wynik. Oba podejścia nie oznaczają, że w przyszłości rola inżynierów i techników m echaników, elektroników i informatyków w projektowaniu i prowadzeniu prac badawczych i rozwojowych będzie malała. Oznacza to tyle, że w coraz większym stopniu będą potrzebni w przemyśle specjaliści łączący wąską specjalizację z umiejętnością poruszania się w obszarze dziedzin pokrewnych, przede wszystkim automatyki, elektro techniki, elektroniki i informatyki, ale także m echani ki, w tym pneum atyki i hydrauliki, robotyki, optyki i fotoniki oraz metrologii i sensoryki. Oznacza to je d nak, że będzie malało znaczenie tradycyjnego w y kształcenia zarów no zaw odow ego, technicznego, jak i inżynierskiego na rzecz kształcenia bardziej niż obecnie wszechstronnego, zapewniającego i m ożli wość pracy w zespołach interdyscyplinarnych, i ła twość dokształcania się dla podnoszenia i zm iany kwalifikacji.
kwalifikacjo zawodowo przedstawiciele wszystkich specjalności
ocena w odnlos lontu do problemu oczekiwanie jasnych I akceptowalnych wyników
19
' koszty : jakie sq koszty osobowe . (w tym ekspertów: zewnętrznych).
członkowie zespołu projektującego cochy osobowo • motywacja • predyspozycjo do pracy zespotowoj • dośwladczonie • samodzielność
niezależność • od warunków socja/nych • od środowisk doradczych . . I opiniodawczych dyspozycyjność • możliwość czasowe go oddelegowania • zastępstwa
Rys. 1. Kryteria doboru zespołu realizującego projekt mechatroniczny
Szczególne miejsce w projektowaniu złożonych system ów mechatronicznych ma wstępne studium rozwią zania. Jego rola wynika z istnienia zwykle wielu możliwych rozwiązań alternatywnych. Dobrym przykładem jest tu wybór napędu urządzenia lub maszyny - aktualnie producenci wszystkich trzech podstawowych ro dzajów napędu, a więc elektrycznego,, pneum atycznego i hydraulicznego, proponują bardzo porównywalne, funkcjonalnie i użytkowo, rozwiązania. Muszą być one ocenione i porównane w fazie studium i początkowej fazie realizacji projektu. Dla wyboru pomysłu oraz oceny i porównania różnych koncepcji rozwiązań projektów mechatro nicznych proponowane są trzy techniki: ■
systemowe, a nie, jak się to często dzieje w rozwiązaniach tradycyjnych, proste dołączanie do już istniejące go lub znanego rozwiązania dodatkow ych elementów i uktadów pom iarowych, sterujących i wykonawczych, często realizowanych w tej samej technice, co podstawowe rozwiązanie.
■
Konsekwencją podejścia system owego do problem u projektowania urządzeń i maszyn m echatronicznych jest konieczność zapewnienia w zespole projektującym umiejętności korzystania z różnych dziedzin nauki ¡ techniki (rys, 1). Można to oczywiście zapewnić albo przez oparcie się na projektantach-mechanikach z do brą znajomością automatyki, elektroniki i informatyki, a więc na m echatronikach, albo przez dobór projektantów-specjalistów i ekspertów z interesujących dziedzin (rys. 1 na następnej stronie). To jednak nie rozwiązu je jeszcze problem u systemowego podejścia przy projektowaniu nowoczesnych urządzeń, maszyn i syste m ów produkcyjnych.
■
Dotychczasowe doświadczenia przemysłu wskazują, że optymalne są tu dwa podejścia: • m echatronik lub m echatronicy przygotowują propozycje realizacji danego projektu, wykonują warian towe m odele i dopiero wtedy, razem ze specjalistami z towarzyszących projektowi dziedzin, wybierają końcową koncepcję rozwiązania i dopracow ują szczegóły jego realizacji, • m echatronik kieruje zespołem specjalistów, przy czym charakterystyczne dla realizacji mechatronicznej cząstkowe rozwiązania są przygotowywane w zespołach różnych specjalistów ju ż od sam ego po czątku prac nad projektem , a nie dopiero po wstępnym przygotowaniu koncepcji i modeli.
do ws'tępnego wyboru i oceny koncepcji tzw. metody asocjatywne1, do których należą m etoda „bu- ' rzy mózgów”2, m etoda tzw. „list występowania"3 i szczególnie m etoda „map poglądowych"4 (przy kład na następnej stronie), modelowanie funkcjonalne, którego celem jest opis i wykazanie funkcjonalności oraz obliczanie i badanie wartości param etrów np. układów sterow ania i regulacji. W tym obszarze m odelowania ■ szczególnie dobrze sprawdzają się m etody zorientowane na budow ę m echanizm ów kinematycznych > złożonych urządzeń i maszyn z uwzględnieniem ich dynamiki, pracujące w czasie rzeczywistym5, modelowanie konstrukcyjne, którego celem jest opis i ocena geom etrii i wytrzym ałości zarówno : rozwiązań cząstkowych, jak i zintegrowanego m echatronicznie produktu projektu. Wykorzystywane i są tu m etody kom puterowo wspom aganego projektowania klasy FEM8 i CAD7 oraz narzędzia progra-1 mowe ich wzajem nego powiązania. ; •:
Proces projektowania ma zwykle charakter iteracyjny5, cykliczny, polegający na naprzemiennym stosowaniu modelowania funkcjonalnego i konstrukcyjnego połączonego ze sprawdzaniem wyniku i jego zgodności z założeniami projektowym i.
lac. assoclare ~ połą cze nie m yśii, je d n o czen ie się w m yślen iu ; ang. B ra insto rm ing -. 3 ang. B ra tn w rlttn g : l ang. M ln d -M a p p ln g ; M in d -- m apa, M a p = m apa; -“np. klasy m o d eli nazyw a n ych M B S , ang. M u ltib o d y S ystem s i RTS, a ng . R eal-Tim o Systems: ang. Finile-Elem ent M e th o d ~ m e to d a e lem en tów sko ńczo nych ; ang. C o m p u ta r A id e d D e sig n ~ p ro jekto w a nie w sp o m a g a n o ko m p ute row o; lac. itoratio = p ow tarzanie
:
T 1.2 Systemowe podejście przy projektowaniu urządzeń i systemów m echatronii
20
•Í'-ÍM 1 3 Przykłady urządzeń i system ów m echatronicznych
21
1.3 Przykfady urządzeń i systemów mechatronicznych Przykład:
p ro g ra m s te ru ją c y
Dla układu napędowego stanowiska badawczego (rys. 2) należy sporządzić mapę poglądową koncepcji rozwiązań mechatronlcznych
cyfrow e-
w iz u a liz a c ja sy s te m o p e ra c y jn y
s e n s o ry m e c h a n ic z n e in d u k c y jn e te c h n ik a p o je m n o ś c io w e j s e n s o ryczn a
Rozwiązanie:
Rys. 1 - mapa poglądowa Rys. 2 - przykład rozwiązania
e le k try c z n e
Przyjmuje się, że pierwszym system em m echatronicznym była o b ra b ia rka s te ro w a n a p ro g ra m o w o do produkcji żeber skrzydła sam olotowego, opraco wana w 1949 r. w Massachussetts Institute of Tech n o lo g y (MIT) w USA. W m iejsce m e ch a n iczn e g o sterowania krzywkowego, wtedy jedynego sposobu p rogram ow ania o b ra b ia re k, w yk o rz y s ta n o w niej analogowy zapis na taśmie magnetycznej programu obróbki żebra. W tym sam ym Instytucie w 1952 r. skonstruowano kolejną, program owo sterowaną o b rabiarkę do produkcji śm igieł helikoptera. W sterow niku tej o b rabiarki w ykorzystano po raz pierw szy technikę cyfrow ą, tw orząc tym sam ym p o d sta w y rozwoju o b ra b ia re k s te ro w a n y c h n u m e ry c z n ie 1 (rys. 1).
w e jś c ie \ w z m a c n ia c z y \
p rz e w ó d
w y jś c ie
Rys. 1. Mapa poglądowa projektu mechatronicznego układu napędowego ■
Podobną d ro g ę p o c z ą tk o w e g o rozw oju przeszły także ro b o ty p rzem ysłow e, wym ieniane obok obra biarek NC jako najbardziej przykładowe dla m echa troniki rozwiązania techniczne (rys. 2). Rozpoczęte w 1954 r. prace doprowadziły w 1961 r. do zastoso wania pierwszych robotów przem ysłow ych w prze myśle sam ochodowym USA (firma General Motors i rok później firma Ford).
Rys. 1. Współczesna plęclooslowa frezarka NC - dosko nały przykład maszyny mechatronicznej
s te r o w n ik
tą H
•S-. , I • stacja .i :
W
Do początku lat 70. ubiegłego wieku w napędach obrabiarek NC i napędach robotów przem ysłowych wykorzystywano prawie wyłącznie s e rw o m e c h a n i zm y e le k tro h y d ra u lic z n e sterow ane analogow ym sygnałem elektrycznym. Prace nad nowymi rodzaja mi napędu elektrycznego, um ożliwiającego dokład ne sterow anie p o zycyjn e osi obrabiarek i członów robotów, d oprow adziły do pow stania początkow o analogowych, obecnie najczęściej cyfrow ych s te ro w n ikó w e le k try c z n y c h s e rw o je d n o s te k n a p ę dowych i szybkiego upowszechnienia się powstałe go dla nich term inu „m echatronika” . Podobne ste rowniki wprowadzono w latach 80. do sterowania na pędów elektrohydraulicznych i w latach 90. XX wieku do sterow ania nap ęd ó w elektro p n e u m a tyczn yo h , tworząc z nich także m e c h a tro n ic z n e s e rw o je d nostkf napędowe (rys. 1 na następnej stronie), mo gące konkurować z napędam i elektrycznymi.
iLl....... X PC ł
£¡1
obsługa, wizualizacja, dokumentowanie
płyta podstawy
prowadnice
moduły 1/0
W spółcześnie nie sposób doszukać się dziedziny życia, zarówno gospodarczej, społecznej, jak i pry watnej, w której nie mielibyśmy do czynienia z urzą dzeniami, maszynami i systemami m echatronicznymi. Przyczynił się do tego przede wszystkim postęp i rozwój m ik ro e le k tro n ik i, n a n o e le k tro n ik i i m ik ro e le ktro n iki m o le ku la rn e j w ostatnim ćwierćwieczu.
Rys. 2. Przykład rozwiązania mechatronicznego układu napędowego stanowiska badawczego 1 ang. N u m e rica l C o n tro l (NC)
Rys. 2. Roboty przemysłowe - typowy produkt mechatro niki - tu w zastosowaniu do robotyzacji linii pro dukcyjnej samochodów osobowych
1.3 Przykłady urządzeń i systemów m echatronicznych
22 Od w yprodukowania w 1971 r. pierw szego układu scalonego podwajanie co dwa lata, a obecnie na wet co półtora roku, w ydajności przetwarzania infor macji w procesorach m ikro ko m p ute ró w d o p ro w a dziło, dzięki zastosowaniu sieci telekom unikacji, no woczesnych technik sterowania, im plem entacji p ro cedur sztucznej inteligencji oraz niskiego kosztu ich produkcji, do realizacji - trudnych jeszcze do w y obrażenia kilkanaście lat tem u - rozwiązań'. W spół czesny kalkulator różni się od swego m echaniczne go poprzednika (rys. 2) nie tylko nieporównywalnie większymi możliwościami obliczeniowym i, ale także ok. pięćdziesięciokrotnie niższą ceną. A dzieli te w y konania mniej niż 30 lat.
nentów, jed n o ste k ruchu i m o d u łó w n a p ęd o w ych (rys. 3 na poprzedniej stronie), p o p rz e z ro b o ty (rys. 1) i p o d s y s te m y m o n ta ż o w e (ry s . 2 ), d o kom pletnych syste m ó w p ro d u k c y jn y c h , w s p o m a ganie m echatroniczne u m ożliw ia ela styczn ą in te grację całego zakresu cz y n n o ś c i p ro d u k c y jn y c h i o sią g n ię cie p e łn e g o w s p ó łd z ia ła n ia c z ło w ie k a i „inteligentnych" m aszyn (rys. 3).
Rys. 1. Mechatroniczne Jednostki ruchu stosowane w au tomatyzacji I robotyzacji współczesnych procesów produkcyjnych
Bez przesady m ożna ju ż dzisiaj powiedzieć, że m echatronika" je st na u sługach człow ieka. M a szyny, podzespoły i system y m echatroniczne są w y ko rzystyw a n e d o b u d o w y urzą d ze ń d o m o w ych i biurow ych, w telekom unikacji, m edycynie i bio in żyn ie rii, rolnictw ie i le śn ictw ie , o ch ro n ie środowiska, przem yśle spożywczym , farm aceu tycznym , przem yśle m otoryzacyjnym , m aszyno wym i okrętowym , inżynierii chemicznej, energe tyce, lotnictwie, technice wojskowej i kosmicznej, a nawet w zabawkarstwie. W przem yśle m aszyny i syste m y m ech a tro niczne zbudowane przez człowieka mają za zadanie zastą pienie go w procesach wykonywania wielu prostych, nużących i powtarzających się czynności lub pracy w ciężkich warunkach, często stanowiących zagro żenie dla zdrowia lub życia. Urządzenia te są zinte growanym i, w ielofunkcyjnym i zespołami kom ponen tów i podzespołów, o niejednokrotnie złożonej struk turze wewnętrznej, ale jednorodnym i spójnym algo rytmie funkcjonowania; działającymi w oparciu o róż ne praw a fizyki i w y ko rzysta n ie różn ych zjaw isk. Szczególną rolę pełnią w tych procesach manipula tory i roboty przemysłowe, które - dzięki elektronizacji i m echatronizacji w m inionych dwóch dziesię cioleciach - staty się nieodzow nym i pom ocnikam i człowieka na wielu polach działalności przem ysło wej. Ocenia się, że w przemyśle światowym pracuje •już kilka m ilionów robotów wspom agających i zastę pujących pracę produkcyjną człowieka. M echatroniczne linie m ontażowe oraz linie kon fekcjonow ania i pakow ania w yrobów (przem ysł s a m o c h o d o w y , fa rm a c e u ty c z n y , s p o żyw czy) są przykładam i system ów sterow anych binarnie i cy frow o , p rzy p o m o c y p ro g ra m o w a ln ych s te ro w n i k ó w i m ik ro k o m p u te ró w 1. Począw szy o d ko m p o ' n a zyw a n ych także k o m p u te ra m i p rze m ysło w ym i lu b w w e rsji jo d n o u k la d o w e j - p o to c z n ie iP C & C h lp , z ang. Ind u stria l P C
23
Przykła d y urządzeń-i s y s te m ó w m e c h a tro n iczn ych _
T3___
Przemyśl sam wytwarza urządzenia m echatronicz ne, ale jest również największym o d b io rc ą i użyt kownikiem m echatronicznych maszyn i systemów. Te przemysłowe mechatroniczne m aszyny i sys temy dzieli się na trzy g ru p y b ra n żo w e zw iązane z typowymi procesami produkcyjnym i: •
•
w ytw arzania d e ta li i e le m e n tó w te c h n ik a m i obróbczym i - jest to mechatronika maszyno w a1, montażu zespołów i urządzeń - mechatroni
ka montażowa2, • oraz re a liza cji p ro c e s ó w p rz e m y s ło w y c h mechatronika procesowa3. W nowoczesnych zakładach p rodukcyjnych wspo
maganie produkcji przez mechatronikę'1 dotyczy wszystkich faz produkcji: Rys. 2. Kalkulator mechaniczny z lat 60. ubiegłego wieku i współczesny, wielofunkcyjny, zasilany fotoogni wem kalkulator elektroniczny - Ilustracja postępu w rozwoju produktów powszechnego użytku •j z ro b o ty z o w a ’ i no s ta n o w is k o
Rys. 1. Robot przemysłowy opracowany dla zastosowań w liniach montażowych urządzeń mechatronicz nych • • •
projektowania i przygotowania prototypu, przygotowania produkcji, realizacji procesów produkcyjnych części, ze społów i modułów, • m ontażu gotow ych wyrobów, • m on ito ro w a n ia p ro d u kcji, utrzym ania ruchu i kontroli jakości, • działań logistycznych i zarządzania. ;
' •
.... .......... y&ymuiDwąne i, (Wirtualna i “-stanowislio | zrobotyzoWanei
m mmm
.
Rys. 2. Podsystemy mechatroniczne współczesnych Jinii l | produkcyjnych
Rys. 3. Mechatroniczne moduły ruchu łączące funkcje ot rotu i chwytania, stosowane jako wyposażenie rc botów przemysłowych
Rys. 3. Interaktywne programowanie wirtualne zrobotyzowanego stanowiska produkcyjnego
! ang. * ang. :i ang. 4 ang.
M a ch in in g M e clm tro n ics\ A ssem bly M a ch atro nics; P ro cess M e c h a iro n ic s ; M e ch n iro n ic Support
r : 24
1.3 Przykłady urządzeń i system ów m echatronicznych
1 3 Przykłady urządzeń i systemów m echatronicznych
25
Do powszechnie już znanych i chętnie w ykorzy stywanych produktów m echatronicznych, produ kowanych przez współczesny przemysł, można zaliczyć: •
•
•
• • is ta n o w ls k o m o c o w a n ia I o d m o c o -J iw a n la p rz e d m io tu o b ra b ia n e g o
Rys. 1. Elastyczny system wytwarzania (FMS) - rysunek poglądowy: kolorem niebieskim oznaczono maszyny produkcyj ne, kolorem żółtym - maszyny manipulacyjne I transportowe We współczesnej, zautom atyzowanej i zrobotyzowanej produkcji przemysłu m echanicznego i elektrom echa nicznego główną rolę odgrywają obrabiarki sterowane kom puterowo’ . Programy sterowania numeryczne go tych maszyn są przygotowane w fazie wirtualnego przygotowania produkcji. Obrabiarki CNC charaktery zuje ograniczone oprzyrządowanie, krótki czas przezbrajania i obróbki, stała jakość wytwarzania i mala ilość braków. Ze względu na autom atyzację i robotyzację obsługi koszty produkowania są minimalne. Choć ma szyny CNC idealnie nadają się do produkcji wielkoseryjnej, wym agania różnorodności produktów w ramach tej sam ej rodziny w yrobów doprow adziły do koncepcji elastycznych gniazd i elastycznych wysp obróbczych, składających się z wielofunkcyjnego centrum obróbczego, urządzeń do wym iany narzędzi i palet, z systemem transportu elem entów wsadowych, narzędzi i produktów wytwarzanych oraz kom puterow ego systemu sterowania. Ich rozwinięciem są elastyczne systemy wytwarzania2, często uzupełniane przez inne systemy mechatroniozne (rys. 1), np. przeznaczone do m ontażu detali i podzespołów w jedną całość, tw o rząc zintegrowane systemy produkcyjne3. Mechatronika procesowa jest realizowana w systemach sterowania ciągłych procesów energetycznych, chemicznych, petrochemicznych, metalurgicznych itp., realizowanych w wielkich instalacjach przemysłowych, jak np. rafinerie ropy naftowej, elektrownie, cukrownie, cementownie, oczyszczalnie ścieków. Ich charaktery styczną cechą jest wykorzystanie nadzorującego przebieg procesu produkcyjnego systemu kontroli i zarzą dzania oraz w układach sterowania poszczególnych wielkości procesowych sprzężeń zwrotnych realizowa nych przez mechatroniozne urządzenia pomiarowe (sensory), regulacyjne (regulatory) i wykonawcze (aktuatory), zapewniających regulację tych wielkości na zadanym poziomie lub o zadanym przebiegu. Ko nieczność ciągłej kontroli systemu sterowania produkcją, przy równoczesnej maksymalizacji możliwości kon troli realizowanych procesów technologicznych i poprawności funkcjonowania poszczególnych elementów in stalacji i urządzeń technicznych, zmusza do stosowania inteligentnych systemów sterowania i to zarówno na poziomie stanowiska centralnego sterowania, jak i stanowisk sterowań lokalnych oraz do wykorzysta nia wizualizacji i diagnostyki realizowanych procesów opartej na inteligentnej komunikacji sieciowej.
! ang, C o m p u te r N C (C N C ); s a ng . Flexibte M anuta ctu rin g System (FM S); 3 ang. C o m p u te r-lnto grate d M a n uta ctu rin g (C IM )
urządzenia gospodarstw a dom ow ego, np. roboty kuchenne, sterow ane cyfrow o pralki, zmywarki, chłodziarki i zamrażarki, kuchenki mikrofalowe, domowe maszyny do szycia i ma szyny dziewiarskie, sprzęt audiowizualny, np. cyfrow e aparaty fotograficzne, kam ery w izyjne i telew izyjne, nagrywarki i odtwarzacze płyt CD i DVD, przyrządy, urządzenia i stanowiska do ba dań naukowych, np. kom puterow o sterow a ne analizatory i chrom atografy, ultrawirówki, teleskopy, sprzęt biurowy, np. kopiarki, drukarki lasero we i atramentowe, skanery, urządzenia i systemy techniki motoryzacyj nej, np. układy sterowania silnikam i spalino wymi, wspom agania uktadu jezdnego, syste m y p rz e ciw b lo ku ją c e i p rz e c iw p o ś liz g o w e , system y resorowania, p o d uszki pow ietrzne, napędy szyb, systemy parkowania i nawigacji.
Do urządzeń nieco mniej znanych, ale ze względu na ochronę zdrowia i życia człowieka bardzo ważnych, należą o c z y w iś c ie m e c h a tro n io z n e p rz y rz ą d y i sprzęt inżynierii biomedycznej, np. do budow y sztucznych narządów, autom atycznego podaw ania leków, wspomagania funkcji układu krążenia i oddy chania, rehabilitacji narządów ruchu. Mechatroniczne urządzenia rehabilitacyjne, np. dla osób z pora żeniem kończyn, ułatwiają prowadzenie ćwiczeń ru chowych i sam odzielne poruszanie się. Mechatroniczna proteza (rys. 1) może zastępować pracę rąk, których ruch wspom agają siłowniki pneum atyczne sterowane przez umieszczony w plecaku sterownik komputerowy. Roboty, a w łaściw ie teleoperatory chirurgiczne, nie tylko umożliwiają prowadzenie ope racji na odległość przez chirurga znajdującego się po za salą operacyjną (rys. 2), ale także ułatwiają prowa dzenie operacji wymagających dużej precyzji ruchów oraz operacji wewnętrznych oszczędzających pacjen ta, prowadzonych tylko przez nacięcia skóry. W nieodległej przyszłości m ożem y oczekiw ać, że roboty nazywane hum anoidalnym i lub antropom orficznym i, n a śla d u ją c e w y g lą d i za ch o w a nie człowieka (rys. 3) lub zwierząt (rys. 1 na następnej stronie), staną się naszym i pa rtn e ram i nie ty lk o w zabawie i rozrywce, ale przede wszystkim będą służyć osobom starszym, samotnym, niedołężnym , kalekim lub chorym.
Rys. 1. Opracowana w Instytucie Sztuki, Informacji I Tech nologii w Hamburgu mechatroniczna proteza wspo magająca procesy rehabilitacji ruchu ramienia
Rys. 2. Za pierwszą operację wykonaną na odległość uważa się usunięcie kamieni żółciowych, wykona ne w 2001 r. przez prof. Jacąuesa Marescaux w Nowym Yorku, pacjentce operowanej w szpita lu w Strasburgu
Rys. 3. Japońskie roboty humanoidalne mają już w nieda lekiej przyszłości opiekować się osobami samot nymi, chorymi, kalekimi I niedołężnymi
26
1.3 Przykłady urządzeń I systemów
4 Znaczenie mechatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju
Wreszcie, o czym także należy pamiętać, cały sprzęt techniki lotniczej, badań kosmosu, techniki policyj nej i militarnej - to wszystko są bardzo zaawanso wane rozwiązania m echatroniczne. Mobilne, minia turowe roboty inspekcyjne (rys. 2), przygotowane do penetrow ania nie b e zpieczn ych lub .niedostęp nych dla człowieka środowisk, chronią życie i zdro w ie p o licja n ta , sapera, g ro to ła za i... a rch e o lo g a . Służyć m ogą także w przypadku katastrof budow la nych, p o w o d o w a n y c h przez np. trzęsie n ia ziem i i huragany, przeszukując niezasypane przestrzenie w ruinach budynków. M ogą także odkurzać nasze mieszkania i strzyc nasze trawniki. Trochę większe pomagają w pracy robotnikom budow lanym i leśni kom w trudno dostępnym terenie. Mechatronika może także bawić, przestraszać, swa wolić... Jako robo-prezenterzy na targach i wysta wach techniki, lalki w teatrzykach i oknach wystaw
m a try c e m ik ro e le k tro d
fi
k o ra ru c h o w a ,fĄ s*
'
fie u ro u k ta d s c a lo n y
-3
m ó zg u
LjćJŹ'-Li
'*
u k ia d s c a lo n y ste ru ją c y s k u rc z e m m ięśn i
Rys. 1. Pieski Albo bawią, ale i uczą |apońskle dzieci ob cowania na co dzień z „inteligentnymi" maszynami
Rys. 1. Mechatronlczny upiór - straszy czy bardzie) bawi...
Rys. 2. Miniaturowe roboty mobilne opracowane na Wydziale Mechatroniki Politechniki Warszawskie): a), b) Jezdne - In spekcyjny (a) i roboczy (b) oraz c) kroczący (rys. 3) i m echatroniczne potwory w horrorach i fil mach fantastycznych (rys. 1 na następnej stronie). Na koniec warto także wspom nieć, że m y - jako lu dzie i cała otaczająca nas żywa natura to także swe go rodzaju system y m echatroniczne, tyle że biolo giczne. Posługujem y się przetwarzaniem informacji i czynność ta jest realizowana w p o dobny sposób w każdej komórce, zarówno w kom órce drożdży, jak i kom órkach układu nerw ow ego - neuronach m ó zgu człowieka. Wytwarzane w trakcie przetwarzania Informacji potencjały (w korze m ózgowej człowieka osiągające wartość nawet 70 mV) pobudzają bądź pojedynczy mięsień, bądź grupy mięśni, prowadząc - przez układ m ięśniowo-szkieletowego żywego or ganizmu - do wykonywania żądanych ruchów. Za awansowane są już pracę badawcze nad wykorzy sta n ie m ty c h z ja w is k d o s te ro w a n ia s y s te m ó w m e c h a tro n ic z n y c h - b a d an ia m i tym i za jm uje się neurorobotyka, będąca jedną z najbardziej intere s u ją c y c h p rz y s z ło ś c io w o d zie d z in m e c h a tro n ik i (rys. 2 na następnej stronie).
27
Rys. 2. Sterowany bioprądami samojezdny wózek inwa lidzki dla osób sparaliżowanych - to neurobotyka, czyli też mechatronika
1.4 Znaczenie mechatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju Ze względu na coraz szersze zastosowanie m echatronicznych maszyn i urządzeń w życiu codziennym oraz różnych sektorach przemysłu i całej gospodarki m echatronika wywiera coraz większy w pływ na rozwój eko nomiczny każdego kraju, w tym oczywiście i Polski. Obecność m echatroniki w nauce, technice i edukacji pozwala na tworzenie wspólnej platformy, na której in tegrowane są pom ysły i działania zmierzające do realizacji nowych projektów i rozwiązań potrzebnych no woczesnej gospodarce. Termin „wspomaganie mechatroniczne" dotyczy wielu form inteligentnego działa nia prowadzącego do usprawnienia procesów projektowania oraz budow y i wykorzystania nowej generacji maszyn i urządzeń (rys. 1 na następnej stronie). W nauce i technice powstał nowy obszar badań nad możliwościami budow y nowych, „inteligentnych" urzą dzeń i systemów, od nanomaszyn przez wspom agane kom puterow o stanowiska badawcze wielu dziedzin nauki i techniki (rys. 2 na następnej stronie) aż do w ielkogabarytow ych systemów produkcyjnych. Mecha troniczne projekty techniczne i technologiczne są z reguły powiązane z badaniami w zakresie inżynierii ma teriałowej i zastosowaniem nowych m ateriałów o w yjątkowych właściwościach i parametrach.
Rys. 3. Przyciągają oczy nie tylko maluchów - mechatronlczne robo-kukielki
Projektowanie urządzeń m echatronicznych zw ykle rozpoczyna się od stw orzenia w irtualnego m odelu, w którym zaprogram owane są wszystkie je g o param etry i sym ulow ane wszelkie je g o funkcje. Nowe m eto dy badań elem entów inteligentnych urządzeń i system ów (sensorów, sterowników, aktuatorów), obejmują ce wyznaczenie charakterystyk ich działania i w pływ u na różnorodne procesy, np. biologiczne i technolo giczne, pozwalają na zwiększenie niezawodności i funkcjonalności maszyn i urządzeń, skrócenie czasu ich
28________________________________________ 1.4 Znaczenie mechatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju
1 4 Znaczenie m echatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju________________________________________ 29
Rys. 1. Stanowisko projektowo-badawcze parametryzacji elementów, podzespołów I modułów systemu mechatronlcznego z wykorzystaniem modelowania funkcjonalnego jego zachowań dynamicznych (system WlnPISA - Festo)
poprawie warunków życia i pracy, kom unikujące się z człowiekiem maszyny i urządzenia. Produkty wielu dziedzin przem ysłu, nie tylko obrabiarkow ego czy sam ochodow ego, ale także np. zaba w ka rskie g o , stają się produktami mechatroniki. Dotyczy to rów nież metod ich wytwarzania, zarówno produkcji wa łów napędow ych siln ik ó w w e la styczn ych g n ia z dach obróbczych, spawania i lakierowania karoserii samochodów przy pom ocy robotów, jak i linii pro dukcyjnych wytwarzających elementy elektroniki lub pakujących produkty spożywcze. W szystko to d o kumentuje coraz pow szechniejszą o b e cno ść m e chatroniki w całej gospodarce.
Proce«»Contro) System rw iłlini) X« >$.0« W» «».W V* «,0(1
Durtltflułi I s ».«O W* ) l,lf V * łł.O*
Ołuth
Temptfilur KB 2M* W» Jf,i» y » im.m
... lii
3E Rys. 1. Stanowisko produkcyjne elementów z tworzyw sztucznych dla przemysłu samochodowego - przykład nowej generacjl mechatronlcznych, wielkogabarytowych maszyn produkcyjnych uruchom ienia i optym alne sterowanie realizowanym p ro ce se m , Z a m o d e lo w a n ie w irtu a ln e g o pro ce su i testowanie jego przebiegu pozwala na uniknięcie wielu błędów i strat oraz obniżenie kosztów związa nych z rozruchem system ów rzeczywistych (rys. 1 na następnej stronie).
Wprowadzane do praktyki przemysłowej i oparte na mechatronicznych maszynach i urządzeniach inteligentne systemy wytwarzania usuwają wiele niedostatków produkcji przemysłowej i zapewniają zasadniczą poprawę produktywności, co ma ogrom ne znaczenie dla poprawy konkurencyjności polskich wyrobów na rynkach eu ropejskich i światowych. W konsekw encji m echatronika przyczynia się do wzrostu produktu krajow ego, zmniejszenia bezrobocia i tym samym do oczekiwanego wzrostu zamożności i poprawy poziomu życia całego społeczeństwa.
Nowe p ro je kty i ko n stru kcje urządzeń m echatronicznych są tw orzone p rzy ścisłej w sp ó łp ra cy na u k o w c ó w z in ż y n ie ra m i, w ra m a c h r e a liz a c ji w spólnych pro je któ w przez p laców ki uniw ersytec kie, przem ysłow e instytuty badaw cze i działy ba d a w czo-rozw ojow e firm p rzem ysłow ych. Projekty te realizow ane są zarów no przez w łasne finanso w anie (projekty w łasne oraz p ro je kty celow e i za m awiane, w sp ółfinansow ane przez a g e nd y rządo we), ja k i przez finansow anie w ram ach Unii Euro pejskiej. Różne dziedziny i obszary gospodarki kraju (prze mysł, komunikacja, budownictwo, rolnictwo, m edy cyna i inne) stopniow o wchłaniają nowe, inteligent ne rozwiązania komponentów, podzespołów' i kom p le tn ych system ów, prze kszta łca ją c je w służące
Spotykane są określenia m echatroniki jako „infor Rys. 2. Komputerowo wspomagane sterowanie I monito rowanie procesów przemysłowych (system WlnCC matyki stosowanej", „informatyki przem ysłow ej” firmy Siemens w zastosowaniach firmy Festo) i „inteligentnej komunikacji". To właśnie technolo gie informatyczne i telekom unikacyjne nadają urzą dzeniom i systemom znamiona „inteligencji” , rozumianej jako zdolność do przetwarzania i przekazywania in formacji (wr formie sygnałów mechanicznych, elektrycznych, pneum atycznych, optycznych i innych), ucze nia się oraz kom unikowania się z czlowiekiem -użytkownikiem tych urządzeń i system ów przy zapewnieniu wysokiego stopnia ich autom atyzacji (rys. 2) i robotyzacji. Przyczynia się to w istotny sposób do rew olucjo nizowania zarówno metod wytwarzania, jak i m etod w ykorzystania m echatronicznych środków i narzędzi produkcji.
Mechatronizacja, rozum iana nie tylko w yłącznie w odniesieniu do techniki i technologii, ale w znacznie szerszym ujęciu uwzględniającym aspekty pozatechniczne (elastyczna integracja czynności produkcyjnych i zarządzania produkcją, zarządzanie kadram i, zarządzanie inform acją i logistyka), jest najefektywniejszą drogą do rozwiązania nie tylko w spom nianego problem u wzrostu produktyw ności i konkurencyjności go spodarki, ale rów nież drogą do zapew nienia gosp od a rce w ykw alifikow anych pracow ników zdolnych do sprostania współczesnym w ym aganiom zaw odowym i społecznym (rys. 1 na następnej stronie). Rys. 2. Stanowisko badawcze wyposażone w zrobotyzowany system manipulacyjny próbek I komputero wy system sterowania przebiegiem eksperymen tów I analizy wyników - przykład mechatronlzacjl badań naukowych i usługowych
W procesach transformacji, wym uszających reformy rynkowe i związane z nimi reformy systemu edukacyjne go oraz duże zmiany na rynku pracy, warunki kształcenia zawodow ego m łodzieży i dokształcania dorosłych, możliwe do realizacji na różnych poziom ach zaawansowania technicznego i umiejętności zawodowych, na-
ï 1.4 Znaczenie m echatroniki dla rozwoju gospodarczego kraju
30
bierają szczególnego znaczenia. Edukacja mechatron iczn a p ro p o n u je tu now e m e to d y kształcenia i uczenia się, otwierając nowe m ożliwości zawodo wej kariery.
31
2.1 Bezpieczeństwo i higiena pracy
2 Bezpieczeństwo i higiena pracy 2.1 Człowiek jest miarą
W krajowej edukacji zawodowej służącej zaspakaja niu potrzeb rynku pracy obserwuje się rosnące zain teresow anie m echatroniką. M echatronika stwarza możliwości powstawania nowych zawodów, nie tyl ko w sferze p ro d u k c ji prze m ysło w e j, ale rów nież w innych dziedzinach gospodarki (rolnictwo, leśnic two, ochrona środowiska, budow nictw o, medycyna, b iotechnologie), z uw zględnieniem także obszaru usług. Specjalista „elektrom echanik p ojazdów sa Rys. 1. Nowoczesna pracownia mechatroniki powinna in tegrować kształcenie w zakresie mechaniki, elek m ochodow ych" już obecnie musi wykonywać zada troniki 1Informatyki nia w ła ściw e dla zaw odu m on te ra -m e ch atro n ika . Specjaliści m echatronicy będą znajdow ać zatrud nienie w wielu specjalistycznych zawodach we wszystkich dziedzinach przemysłu i gospodarki oraz w wielu obszarach zastosow ań „inteligentnych" maszyn i urządzeń powszechnego użytku. S Realizacja procesu kształcenia zawodowego na różnych jego poziom ach przy pom ocy mechatronicznych j; system ów dydaktycznych (nowoczesne urządzenia, specjalistyczne oprogram owanie, sprzęt pomocniczy,! multimedia), um ożliwiających wprowadzenie do nauczania i uczenia się elementów interaktywnej stymulacji,!; elem entów gier kom puterow ych, zabawy i w spółzaw odnictw a bardzo aktywizuje uczestników kształcenia j oraz zwiększa jego atrakcyjność i efektywność. Ułatwia to realizację koncepcji specjalizacji zawodowych! w ramach m echatroniki jako grupy zawodów otwartych powiązanych z aktualnymi potrzebami rynku pracy, j Rozwój nowych dyscyplin naukowych, podniesienie poziom u wykształcenia technicznego i kultury tecbnicz-.; nej, tworzenie nowych miejsc pracy przez nowy system kształcenia i szkoleń oraz zapewnienie wzrostu efek-'^ tyw ności produkcji, to wym agania dla każdej, także polskiej gospodarki, w sprostaniu którym pom aga me-^ chatronika. j
Praca, warunki jej wykonywania, urządzenia towarzy szące i otoczenie muszą być dostosowane do fizycz nych, fizjologicznych i psychicznych możliwości czło wieka. Człowiek, wraz ze swoimi zdolnościami i potrze bami, jest miarą tego dostosowania - praca powinna być dla niego: • wykonywalna, • znośna, • akceptowalna, ■ zadowalająca. Kształtowanie warunków pracy odnosi się zarówno do stanowiska pracy - jego ergonomii, jak i zadań oraz or ganizacji pracy.
2.1.1 Ergonomia Ergonomia zajmuje się dostosowaniem urządzeń tech nicznych i produkcyjnych do określonych przez anato mię, fizjologię i psychologię cech sprawności człowie ka. Od dawna już traktuje się człowieka - poprzez ze spól tych cech - jako miarę tego dostosowania (rys. 1 ). Pomiarami wspomnianych cech i badaniem ich zmien ności zajmuje się dziedzina nauki nazywana antropo metrią2. Człowiek jest jedynym i absolutnym odniesieniem dla działań ergonomicznych.
1. Podaj inne, niż wymienione w rozdziale 1, urządzenia do zapisu i odtwarzania dźwięku, produkty techniczne ze swojego domu, szkoły lub najbliższego otoczenia, które przeszły lub przechodzą od rozwiązań mecha nicznych do mechatronlcznych. 2. Do najważniejszych cech charakteryzujących produkty mechatroniczne powszechnego użytku należą między ; innymi: I
Rys. 1. Kanon proporcji - człowiek jako obiekt geome tryczny, szkic Leonarda da Vinel1
Konstrukcje maszyn, przyrządów oraz otoczenie miej sca pracy powinny być dostosowane do człowieka, a nie na odwrót. slronnś^ Dodatkowe zalecenia podaw ane są dla stanow isk pracy osób niepełnosprawnych.
światło p om ieszcze n ie
- miniaturyzacja wymiarów, - małe zużycie energii,
j
- automatyczne działanie,
I
- programowalność funkcjonowania, - uniwersalność zastosowań, - duża trwałość i niezawodność, -niska cena,
i
i ■ ‘
j
- powszechna dostępność. Połącz te cechy z posiadanymi osobiście lub znanymi przyrządami, urządzeniami i maszynami. 3. Wyjaśnij, na czym polega synergiczna koncepcja budowy urządzeń i maszyn mechatronicznych.
j
4. Wymień najważniejsze różnice między realizacjami konwencjonalnych i mechatronicznych projektów tech- , nicznych. 5. Jakie dziedziny nauki i techniki tworzą mechatronikę? <
Do ważniejszych kryteriów ergonomicznie ukształ towanego miejsca pracy zalicza się: • właściwy poziom wymagań od pracownika: nie przekraczających jego możliwości, ale także ich nie dyskwalifikujących („nie za dużo wymagań, ale i nie za mato”), • bezpieczne korzystanie ze środków produkcji bez narażenia się na wypadek, • wykonywanie pracy przy naturalnym ułożeniu ciała (rys. 2 ), • akceptowalne - odnośnie ruchu powietrza, hała su, temperatury i oświetlenia - otoczenie. Przestizeganie tych kryteriów przynosi wymierne ko rzyści zarówno dla zatrudnionych, jak i pracodawców.
kąt o bse rw a cji . bez konie czn ości ruszania g łow ą o p tym a ln y kąt obse rw a cji
Rys. 2. Otoczenie stanowiska pracy I pozycja ciała Leonardo da Vinci (1452 -1 51 9 ) - w ło ski m alarz, b adacz, b u d o w n i czy, technik; gr. a nlluo p os = czło w ie k, m etron = m iara
2.1 Człowiek jest
2.1.1.1 Ergonomiczne stanowisko pracy
_ j
2,1
W grupie urządzeń m echatronicznych najw ażniej sze jest komputerowe stanow isko pracy. Musi ono spełniać zalecenia ergonom iczne. O prócz ergono micznego kształtu klawiatury, ekranu itp: ważny jest również .układ sprzętu na stanow isku, ja k również jego usytuowanie w pom ieszczeniu (rys. 1 ).
Tab. 1: Wymiary stanowiska pracy praca tylko stojąca
praca siedząca i stojącą
powierzchnia robocza na wysokości mężczyzna: ok. 72 cm kobieta: ok. 69 cm
mężczyzna: ok. 105 cm kobieta: ok. 95 cm
podział ciężaru: 60% na powierzch nię siedzenia, 40% na stopy
podwyższenia przy bardzo wysokich maszynach
zalecane siedzisko robocze
konieczna wolna przestrzeń sięgania
wysokość: ok. 30 cm powierzchnia: ok, (40x40) cm 2 nachylenie: 20°
nastawiana wyso kość: 420-500 mm głębokość: 380-440 mm szerokość: 400-480 mm
szczególna uwaga na przestrzenie robocze i sięgania osób bardzo niskich
Jeżeli zezwala na to proces produkcyjny, to pozycje (ułożenie) ciata powinno się zm ieniać w trakcie pra cy, tzn. należy przyjm ować różne pozycje siedzące, wstawać i chodzić (rys. 1 ). Wymiary przestrzeni roboczej zależą od zasięgu i ru chliwości rąk - nie wszystkie obszary tej przestrzeni nadają się jednak do wykonywania w nich harmonij nych ruchów. Ograniczenia te wynikają z wygodnych i niewygodnych położeń stawów rąk (rys. 2 ). Właściwie ukształtowane stanowisko pracy powinno zawierać w obszarze maksymalnej przestrzeni sięga nia wszystkie zespoły nastawcze, narzędzia i detale. Jeżeli jest to niemożliwe, to rzadko używane elementy należy umiejscowić tak, aby można je było chwycić już po niewielkim ruchu korpusu ciała. Przy pracy stojącej zwiększa się znacznie przestrzeń robocza (rys. 3). Przestrzenie robocze, a więc zasięg d ło n i, rąk i nóg, muszą być przebadane odnośnie warunków bezpie czeństwa. Przepisy dotyczące b e zp ie cznych o d le g ło ś c i są wyczerpująco i dokładnie opisane w nor mach BHP. Zalecane odległości urządzeń ochronnych (kraty, ba rierki) od zabezpieczanych urządzeń, np. od pras lub obracających się walów maszyn, podawane są w od powiednich tabelach - w zależności od stopnia zagro żenia stosuje się mniejsze lub większe odległości. Na leży przy tym brać pod uwagę prawdopodobieństwo wystąpienia wypadku oraz je g o rodzaj. Małe ryzyko wystąpienia wypadku łączy się z otarciem o obracają cy przedmiot, bardzo duże - jeśli grozi wciągnięcie do wnętrza maszyny lub nawinięcie (części ubrania, wło sów) na elementy ruchome.
33
2.1 .1.2 Ergonomiczne urządzenie mechatroniczne
i____
Wymiary stanowiska zależą od rodzaju pracy (tab. 1) i musi być ono dostosowane do indywidualnej wiel kości pracownika.
praca tylko siedząca
Człowiek jest miarą
Ekrany należy umieszczać poprzecznie do okien, aby nie razić oczu użytkownika jasnym tłem okien i nie zmuszać do ciągłego przystosowywania się do jasności ekranu. Okna powinny być wyposażone w żaluzje lub wertikale dla uniknięcia bezpośrednie go oświetlenia światłem, słonecznym i zapewnienia sterowania wpadającym światłem dziennym (tab. 1 na następnej stronie). Powinna istnieć możliwość regulacji wysokości położenia ekranu odpowiednio do wzrostu użytkownika. Górna kra wędź ekranu powinna znajdować się na wysokości oczu użytkownika, podczas używania klawiatury ręce powinny być zgięte o 90° (rys. 2). Pomiędzy kiawiaturą a zaokrą gloną krawędzią stołu pow inna być p ow ierzchnia do oparcia dłoni o szerokości nie mniejszej niż 100 mm1.
Tmnrmn . i h m
it
wottłkolo do regulacji oświetlenia
T T -m n u . r r r bozpośrcdnlo oświetlenie stanowiska
l-U J _
-8 0 0 1 2 3 4
-6 0 0
-4 0 0
-2 0 0
0
2 00
400
600
Rys. 1 . Komputerowe stanowisko pracy
+ 20°^-5°
Rys, 2. Praca przy monitorze1
800
o p tym a ln a prze strzeń ro b ocza prze strzeń ro b o c z a d la o b u rąk o p tym a ln a p rzestrzeń się ga n ia d la z g iętych rąk m a ksym a ln a p rzestrzeń się ga n ia przy w yp ro sto w a n ych rękach
Rys. 2. Przestrzenie robocze
w ym iary w cm
Rys. 3. Telemanipulator sterowany na podstawie przestrzennego (3D) obrazu wizyjnego
Rys. 3. Przestrzenie ruchu człowieka 1 na podstaw ia Dz.U. n r 14811998, p oz. 973
iir tr + t.
nicosluplnjqco sztuczne oświetlenia
b iurko
Oparcie krzesła ma zapewnić właściwą, wyprosto waną (pionową) postawę ciała podczas pracy. Przykładem ergonom icznego urządzenia mechatronicznego jest telem anipulator (rys. 3). Jest on zdal nie sterowany przez operatora, który kontroluje jego pracę przy p o m o cy telew izji przem ysłow ej. Takie
rm
2.2 Warunki bezpiecznej pracy ■
36
37
2.2 Warunki bezpiecznej pracy
Przepisy dotyczące zagospodarowania miejsc pracy określają wymagania i wyposażenie toalet i pomieszczeń • socjalnych oraz wymagania związane m.in. z wietrzeniem, oświetleniem i ogrzewaniem (tab. 1).
2.2.1 Obowiązujące przepisy i dyrektywy
W przepisach dotyczących uprawnień związkowych podane są aktualne informacje o prawach i obowiązkach pracowników, w tyrfi np. o zmianie stanowisk pracy, urlopach itp. Określone są tu również prawa i obowiązki rad zakładowych.
Wprowadzając odpow iednie prawa i przepisy, państwo chroni swoich obywateli, użytkowników energii elektrycznej, przed niebezpieczeństwami, które m ogą im zagrażać.
Przepisy dotyczące bezpieczeństwa i higieny w pracy określają warunki bezpiecznej pracy w procesie produk-i cyjnym i określają zadania odpowiednich siużb, np. zadania, lekarza zakładowego i zadania oraz.uprawnienia in- j. spektorów BHP.
•
Lekceważenie tych nakazów prowadzi do śmiertelnych porażeń prądem, pożarów, awarii itp. Odpowiednie prawa i przepisy są zawarte m.in. w prawie budowlanym, energetycznym, kodeksie pracy, ustawie o ogólnym bezpieczeństwie produktów, rozporządzeniach ministrów odpowiednich resortów oraz w normach.
2.2.1.1 Ustawa o ogólnym bezpieczeństwie produktów Przepisy o zapobieganiu wypadkom podają szczegółowe zalecenia dla budowy stanowisk pracy i potrzebnych! środków zabezpieczających. Przepisy te są zwykle opracowywane przez stowarzyszenia i związki zawodowe. Sąi Ustawa określa ogó ln e w ym agania dotyczące bezpieczeństw a produktów , zasa to przepisy bardzo specyficzne dla danego zawodu - ciągle modernizowane wraz z postępem i nowymi metoda-, mi pracy. Są to m.in. przepisy o zapobieganiu wypadkom ze względu na hałas, urządzenia elektryczne, maszyny ro-j ■ dy i tryb przeciwdziałania naruszeniom tych wymagań przez przedsiębiorców oraz or gany sprawujące nadzór nad bezpieczeństwem produktów. Dotyczy ona głównie wy boczę, prasy i gilotyny, pojazdy do transportu podłogowego. i .B , robów przeznaczonych do użytku konsumentów, nowych, używanych i naprawionych. Ponieważ większość wyrobów (np. sprzęt AGD) jest używana przez osoby niewykwa Rys. 1. Znak bezpie lifikowane, to w stosunku do tych wyrobów wym agania w zakresie bezpieczeństwa Tab. 1. Temperatura pomieszczeń czeństwa B obsługi i eksploatacji są zaostrzone. W yroby te powinny być testowane w laborato Przykłady pomieszczeń Przeznaczenie pom ieszczenia Temperatura riach posiadających akredytację, tzn. upoważnienie do wystawienia certyfikatu. • magazyny bez stałej obsługi, garaże • nieprzeznaczone na pobyt ludzi + 5 “C Dla sprzętu elektrotechnicznego jednostką certyfikującą, tzn. sprawdzającą i wydają indywidualne, szyby dźwigów osobowych cą tzw. Świadectwo Zgodności, może być np. Biuro Badań Jakości - Stowarzy • klatki schodowe w budynkach • bez zysków ciepła, pobyt ludzi w okryciach + 8°C szenia Elektryków Polskich (BBJ - SEP). Sprzęt po pozytywnym wyniku przepro mieszkalnych zew. nie przekraczający 1 godz. Rys. 2. Znak CE wadzonych prób może nosić znak bezpieczeństwa „B” (rys. 1). • hale sprężarek, pompownie, wydziały • z zyskami ciepła od urządzeń obróbki cieplnej, kuźnie technologicznych W Unii Europejskiej, a od 1.05.2004 r. także w Polsce, wszystkie sprzedawane i uruchamiane maszyny • magazyny ze stalą obsługą, hole • bez zysków ciepła, przeznaczone do stałego + 12°C i aparaty muszą odpow iadać europejskim dyrektywom o bezpieczeństwie i nosić znak C E1 (rys. 2). wejściowe, poczekalnie bez szatni pobytu ludzi w okryciach zew. lub wykonujących prace fizyczne Znak ten nadaje produktom wytw órca i tym sam ym zaświadcza, źe wyrób spełnia europejskie przepisy • bez zysków ciepła, przeznaczone na pobyt ludzi • sale widowiskowe bez szatni, ustępy + 16°C o bezpieczeństwie, które szczegółowo opisuje w dokum entacji techniczno-ruchowej (DTR). publiczne, hale produkcyjne siedzących lub stojących w okryciach zew. lub bez tych okryć, ale wykonujących prace fizyczne 2.2.1.2 Przepisy, dyrektywy, normy • przeznaczone do stałego pobytu ludzi bez okryć • pokoje mieszkalne i biurowe, + 20 °C sale posiedzeń zew. i nie wykonujących w sposób ciągły prac fizycznych W krajach UE dąży się do ujednolicenia przepisów. Służą do tego tzw. dyrektywy nowego podejścia. Są to doku • pomieszczenia iekcyjne (min + 18 °C) menty obligatoryjne dla krajów członkowskich, nie zawierają one jednak szczegółowych wymagań technicznych. • łazienki, rozbieralnie - szatnie, • przeznaczone dla ludzi bez odzieży, + 24 °C Podstawową zasadą zawartą w każdej dyrektywie jest założenie, że wyrób spełnia wymagania zasadnicze, je sale niemowląt i dziecięce w żłobkach śli produkowany jest według zharmonizowanych norm technicznych, tzn. norm europejskich EN, które zo stały wdrożone do systemu norm danego państwa - w Polsce normy PN-EN.
CC
B iS Ś ilj f i i n ih il •¡(.'IfiflTfM l
V'
......
i
1. Wymień najważniejsze kryteria ergonomicznego ukształtowania stanowisk pracy. 2. Co rozumie się pod pojęciem zmiany pozycji siedzenia i jak osiąga się zmiany w obciążeniu clata? 3. Jak należy umieścić monitor w stosunku do wysokości oczu? 4. Jakie negatywne skutki powoduje praca wielozmlanowa? 5. Wymień najważniejsze przepisy dotyczące zaleceń odnośnie warunków pracy.
2.2 Warunki bezpiecznej pracy T Praca, przy której korzysta się z urządzeń technicznych, powinna być bezpieczna. Obowiązek stworzenia odpow iednich do rodzaju pracy w arunków i zabezpieczeń spoczywa na pracodawcy. Prawie każdy proces produkcyjny wiąże się z wykorzystaniem energii elektrycznej, dlatego.szczególnie waż ne jest przestrzeganie przepisów BHP w tej dziedzinie.
Jeżeli normy i przepisy krajowe nie są zharmonizowane z normami europejskimi (EN), to można je stosować po spełnieniu określonych warunków. Stosowane, oprócz PN-EN, są również normy PN-ICE. Zawarte w nich wy magania nie są obligatoryjne, chyba że powołują się na nie przepisy państwowe, dyrektywy UE lub producent. Przykładami dyrektyw UE są: • dyrektywa maszynowa nr 98/37/EWG w sprawie zbliżenia prawa państw członkowskich dotyczącego maszyn, • dyrektywa o ogólnym bezpieczeństwie wyrobu nr 92/59/EWG. W Polsce obowiązującym i dokum entam i są rozporządzenia właściwego ministra. Normy i przepisy wym ie nione w rozporządzeniu są dokum entam i obligatoryjnym i. Pozostałe norm y lub ich części, jeśli nie są pow o łane do obowiązkowego stosowania, nie są obligatoryjne. W krajach UE obowiązują normy EN lub dokumenty harmonizujące DH, które mają jednak charakter norm niższego rzędu.
2.2.1.3 Przepisy o zapobieganiu wypadkom Za stan BHP w zakładzie pracy odpow iada pracodawca. 1CE (franc. C onfo rm itó
E uropćenno)
= zgodność europejska
Tii 2.2 Warunki bezpiecznej pracy ;
38
: Obowiązkiem pracownika jest przestrzeganie przepisów bezpieczeństwa i higieny pracy, stosowanie się ;j do wydawanych w tym zakresie poleceń i wskazówek przełożonych, dbanie o należyty stan maszyn, j : urządzeń i sprzętu oraz o porządek i lad w miejscu pracy. i Zadania i obowiązki pracodawcy w zakresie bezpieczeństwa i higieny pracy są zapisane w ustawie kodeks j pracy. Pracodawca jest zobowiązany do przeszkolenia pracownika w dziedzinie bezpieczeństwa i higieny pra-'1' cy przed dopuszczeniem go do pracy oraz przeprowadzania okresowych szkoleń. Ponadto musi wydać szczegółowe instrukcje i wskazówki dotyczące bezpieczeństwa i higieny pracy na stanowisku pracy. Pracow- .• nik jest zobowiązany potwierdzić na piśmie, że zapoznał się z wyżej wymienionymi przepisami oraz zasadami. > 4
2.2 Warunki bezpiecznej pracy
39
Tab. 1 . Znaki bezpieczeństwa
Nieupoważnionym wstęp wzbroniony
Zakaz ruchu dostawczych pojazdów naziemnych
Zakaz palonia oraz używania ognia i otwartego światła
Nłet dotykać, obudowa znajduje się pod napięciom
2.2.2 Oznakowania dotyczące bezpieczeństwa pracy Zakaz palonia
2.2.2.1 Oznakowanie materiałów niebezpiecznych Zgodnie z przepisami materiały niebezpieczne muszą być oznakowane. W oznakowaniu muszą być podane niezbędne informacje, jak m.in,: • rodzaj niebezpiecznej substancji, • sym bol i znak zagrożenia (tab. 1). Jeżeli materiał znajduje się w kilku opakowaniach (jedno w drugim ), to każde opakowanie musi być oznakowane oddzielnie. Przy przepakowywaniu na mniejsze porcje także obowiązuje ozna kowanie, nawet wtedy, gdy mniejsze opakowania są przeznaczone do użytkowania jedynie wewnątrz zakładu. Dla zmniejszenia zagrożenia podczas styczności z niebezpiecznymi sub stancjami zostały ustalone wartości największych dopuszczalnych stężeń (NDS) substancji niebezpiecznych w miejscu pracy. Nawet długotrwale przebywanie (w cyklu po 8 godzin przez 5 dni) w środowisku, w którym NDS nie przekracza dopuszczalnej wartości, nie jest szkodliwe dla zdrowia.
S ym bol
Znak
E
■
Znaki nakazu zwracają uwagę na potrzebę odpowiedniego zachowania się pracownika, np. konieczność noszenia wyposażenia ochronnego. Z n a k i o s trz e g a w c z e to znaki bezpieczeństw a, które ostrzegają przed zagrożeniem, np. przed niebezpiecznym napięciem. Z naki ra tu n k o w e zawierają sym bole, które w sytuacji zagrożenia wskazują drogę ucieczki albo miejsce, gdzie są środki ratunkowe, np. urządzenia do przem ywania oczu. Z naki p o ża rn icze wskazują miejsce, gdzie są urządzenia do zgła szania albo zwalczania pożaru, np. przycisk alarmowy albo gaśnica. Znaki bezpieczeństwa m ogą zawierać jedynie sym bole, tzn. mieć tylko formę graficzną. Dzięki temu każdy pracownik, niezależnie od , jakim językiem się posługuje, może rozumieć sens znaku. ¡li, ' i '■
Podstawowe znaki bezpieczeństwa podano w tab. 1 na następnej stronie.
Nfo przełączać
Nie zastawiać drogi
O b ja ś n ie n ie
V l
Z a g r o ż e n ie w ybuchem
J
n i
J
Załóż okulary ochronne
Załóż holm ochronny
Załóż słuchawki przeciwhałasowe
Załóż m askę ochronną
Włóz b uły ochronne
Przed otw arciem wyjm ij wtyczkę z gniazdka
O diącz przed rozpoczęciom pracy
z-"'- if.AA^
A ê1
O
Ł a tw o p a ln e
F
Ł a tw o z a p a ln e
F+
fi'
f
Mi
Załóż rękawico ochronno
B a rd z o ła tw o z a p a ln e
Vj i
Włóż ubranie ochronne
Załóż osłonę twarzy
Znaki ostrzegaw cze u .-
m b
N
N ie b e z p ie c z n e d la ś ro d o w is k a
T
T ru ją c e
T-ł-
Z naki zakazu zabraniają zachowania, które może narażać na nie bezpieczeństwa, np, palenie w pom ieszczeniu akumulatorowni.
W oda nie nadajo się do picia
Tab. 1. Symbole zagrożeń
B a rd z o tru ją c e
*
2.2.2.2 Znaki bezpieczeństwa Pracodawca jest zobowiązany zwrócić uwagę na istniejące w miejscu pracy zagrożenia i środki ochronne oraz wydać niezbędne zakazy. Podobnie jak w ruchu drogowym, kształt i kolor znaku podpowiadają, czy chodzi o zakaz, nakaz, ostrzeżenie, ratunek czy znak pożarniczy (tab. 2).
Zakaz przejścia
SI*
C
Ż rą c e
Xi
D ra ż n ią c e
\w \
Xn
S zkodliw e dla zdrow ia
- ........... ................. ... ........ — Tab. 2. Znaki bezpieczeństwa K s z ta łt i b a rw a
• O A
Uwagal Miejsce niebezpieczne
Uwagi Sub:
Uwagat Materiały wybuchowo
we
Uwaga! Substancje trująco
reństwo i
Uwaga! Materiały radioaktywno
—!
Z n a c z e n ie Uwaga! Niebezpieczne napięcie
Zakaz
Uwaga! Poie elektromagnetyczne
N akaz
J O s trz e ż e n ie
,
Lf1"
Droga ucieczki
Uwaga! Możliwość samoczynnego rozruchu
ß lli
l i ‘¿ a A ' '.Ifw . Wyjście rałunkowe
Uwaga! Baterio lub akumulatory
V Punkt pierwszej pom ocy
Urządzenie do przemywania oczu
R a tu n e k
■H
O c h r o n a p o ż a ro w a
Wąż gaśniczy
Punkt zgłaszania pożaru
Urządzenia do zwalczania pożaru
2.2 Warunki bezpiecznej pracy j
40
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
41
2.2.3 Bezpieczne użytkowanie narźędzi i przyrządów 1
Zasady bezpiecznej pracy są dostosowane do cha rakteru wykonywanych czynności i dotyczą używa nych podczas pracy przyrządów i narzędzi. Na przy kład w elektrotechnice narzędzia do pracy przy ze społach znajdujących się pod napięciem pow inny być odpowiednio izolowane (rys. 1), oznaczone oraz dobrane do napięcia, przy jakim wykonuje się pracę.
Kto sprawdza zgodność produktu z wymaganiami w celu nadania znaku bezpieczeństwa B?
2. Kiedy normę uważa się za obligatoryjną? 3.
W jakim celu tworzy się przepisy o zapobieganiu wypadkom?
4.
Jak oznacza się substancje niebezpieczne?
5.
Co to znaczy: „największe stężenie substancji niebezpiecznej w środowisku pracy”?
6. Wymień znaki bezpieczeństwa. 7.
Po czym rozpoznaje się bezpieczne narzędzia przeznaczone do pracy przy elementach znajdujących się pod napięciem? 8. Jak należy postępować, aby utrzymać narzędzia w dobrym stanie?
N arzędzia należy, c z yścić, ko n se rw o w a ć oraz p rzechow yw ać w w a run ka ch za p o bieg a ją cych ich wzajem nym uszkodzeniom . D otyczy to za równo narzędzi do prac elektrycznych, jak i na rzędzi ślusarsko-m onterskich.
9.
10.
Jak oznaczane jest okresowo sprawdzone elektronarzędzie? Wymień dwa sprzęty ochronne.
E,S\ Praca z urządzeniami elektrycznymi
Narzędzia izolowane mają oznakowanie zawierające: symbol (podwójny trójkąt), znak napięcia (np. 1000 V), numer normy (np. PN EN 60 900), typ (np. IS 18 6,5 x 150), specyficzny znak bezpieczeństwa (np. B dla rynku polskiego), numer w kodzie: dzień / rok produkcji oraz skróconą nazwę producenta. Przykłady najistotniej szej części oznakowania pokazano na rys. 2, a - stare, b - nowe (niemieckie), c - polskie.
2,3. ł Ogólne warunki zasilania elektrycznego Zasady i warunki dostarczania energii elektrycznej do odbiorców taryfowych określają przepisy ustawy pra wo energetyczne i szczegółowe rozporządzenia Rady Ministrów, Przesyłem i dystrybucją zajmują się przed stawiciele przedsiębiorstw energetycznych. Oznaczenia bezpiecznych narzędzi Izolowanych
Narzędzia i przyrządy przed użyciem należy obej rzeć (ewentualnie sprawdzić), żeby stwierdzić, czy nie są uszkodzone. Pomocną przy regularnej kontroli elektronarzędzi jest plakietka probiercza (rys. 3), ułatwiająca odnotowanie ostatniej i następnej daty kontroli.
DIN VDE 0680 A l0 0 0 V
DIN .EN 60900
A 1000V
Osoba zajmująca się eksploatacją sieci oraz instalacji i urządzeń elektrycznych musi posiadać kwalifika cje potwierdzone świadectwem wydanym przez komisję kwalifikacyjną. Urządzenia u klienta powinny być instalowane, konserwowane, rozbudowywane lub m odyfikowane wyłącznie przez osobę uprawnioną, po siadającą odpowiednie świadectwo kwalifikacyjne. Szczegółowe postanowienia dotyczące wymagań bezpieczeństwa i higieny pracy pracowników zatrudnionych przy eksploatacji urządzeń i instalacji elektroenergetycznych zawarte są w rozporządzeniu Ministra Gospodarki1.
2.3.2 Podstawowe pojęcia Dla ułatwienia form ułowania jednoznacznych nakazów i zakazów, które w elektrotechnice są szczególnie ważne, ustalono i zdefiniowano poniższe pojęcia:
PN EN 60900 ^
Rys. 3. Plakietka probiercza dla elektronarzędzi
1000V
Rys. 2. Znaki graficzne z podaniem napięcia
2.2.4 Odzież i środki ochrony indywidualnej Przestrzeganie przepisów bezpieczeństwa to również noszenie właściwej odzieży roboczej i ochronnej. O dzież robocza, ochronna i środki ochrony indyw idualnej służą do ochrony zdrowia i zabezpieczają ' przed urazami i chorobam i zawodowym i. ! W zależności od przeznaczenia sprzęt ochronny dzieli się na: • sprzęt izolacyjny, np. drążki izolacyjne, uchwyty bezpieczników, wskaźniki napięcia, izolowane narzędzia, rękawice, hełmy, kombinezony, • sprzęt chroniący przed pojawieniem się napięcia, np. uziemiacze, • sprzęt zabezpieczający, np. okulary ochronne, osłony izolacyjne, • sprzęt pom ocniczy: ogrodzenia, barierki, liny, tablice ostrzegawcze.
• Część czynna to przewód lub przewodząca część urządzenia, przeznaczona do pracy pod napięciem w warunkach norm alnych, łącznie z przewodem neutralnym N, lecz z wyjątkiem przewodu ochronnoneutralnego PEN. • Część przewodząca dostępna to część przewodząca instalacji elektrycznej, która może być dotknięta i która w warunkach normalnej pracy instalacji nie znajduje się pod napięciem, lecz może się znaleźć pod napięciem w wyniku uszkodzenia. • Część przewodząca obca to część przewodząca nie będąca częścią instalacji elektrycznej, która może znaleźć się pod określonym potencjałem , zazwyczaj pod potencjałem ziemi. • Urządzenie przenośne to takie urządzenie, które podczas użytkowania przy podłączonym zasilaniu m o że być tatwo przemieszczane z jednego miejsca na drugie. • Urządzenie ręczne to urządzenie przenośne, przeznaczone do trzymania w ręce podczas jego normalne go użytkowania, przy czym silnik, jeżeli jest, stanowi integralną część tego urządzenia, np. elektronarzędzia. • Urządzenie stacjonarne jest nieruchom e bez uchwytów i ma taka masę, że nie można go łatwo prze mieszczać. • Urządzenie stałe jest przytwierdzone do podłoża lub przym ocowane w inny sposób w określonym miej scu, np. na ścianie. • Instalacja elektryczna (obiektu budow lanego) to zespól w spółpracujących ze sobą elem entów elek trycznych o skoordynowanych parametrach technicznych, przeznaczony do określonych celów, np. in stalacja oświetleniowa. 'D z .ll. n r 00/1999, p oz. 912
r 42
iż ^ a ^ a j r a ź il r t l ^
2.3 Praca z urządzeniami
Szczególnie niebezpieczne jest użytkowanie przyrzą dów elektrycznych w pom ieszczeniach w ilgotnych (rys. 1). Niebezpieczne, często kończące się śmiercią, jest używanie sprzętu, elektrycznego w trakcie kąpieli w wannie (rys. 2).
oświatlonio lustra
r
X ' ' - dodelkowo wyrównanie i j
p o to n c /n ló w p r z e w o d o m
miedzianym () dozwolony tylko sprzęt [ o bezpiecznym napięciu
I
Rys. 1. Zabezpieczenia w pomieszczeniach wilgotnych
Poruszanie się w odzieży ze sztucznego tworzywa p ow oduje naładow anie e le ktro sta tyczn e (rys. 3). Podobne zjawisko może też w ystąpić na pracują cych częściach maszyn (taśmy transporterów itp.).
Na ogól te wyładowania nie są niebezpieczne dla lu dzi, ponieważ przepływająca energia jest mala. Zagra żają one pośrednio, a mianowicie, gdy wyładowanie następuje w atm osferze wybuchowej, np. w zapylo nym pomieszczeniu (wybuch pyłu) lub w pomieszcze niu z oparami benzyny.
;
Z wielu względów prąd elektryczny może być groźny dla ludzi i zwierząt, bowiem prawie wszystkie żywe organy funkcjonują w oparciu o elektryczne im pul sy. Na przykład siabe im pulsy (ok. 50 mV) z mózgu sterują ruchami mięśni. Również informacje „w od wrotnym kierunku", tj. z mięśni, oka, kom órek zapa chowych itp., przekazyw ane do m ózgu są natury elektrycznej. Ponieważ ciało przew odzi e le ktrycz ność, więc zewnętrzne obce prądy m ogą zaktócić funkcjonowanie ważnych organów człowieka. Przy kładowo, jeżeli zostanie dotknięty elem ent będący pod napięciem, to przez ciało może popłynąć prąd wielokrotnie wyższy od prądów norm alnie występu jących w tej części ciaia. Nastąpi wówczas m iejsco we porażenie mięśni, co uniemożliwi np. oderwanie palców od miejsca dotyku. Reakcja ludzkiego ciała na prąd zależy m.in. od czasu trwania przepływu oraz jego natężenia (rys. 2). Jeżeli prąd przemienny przepłynie przez mięsień sercowy, to rytm serca stara się przystosować do silnych zewnętrznych pobudzeń. Prowadzi to do zakłócenia rytmu serca. G dy zewnętrzne p o b u dzanie będzie zgodne z tzw. szkodliwą fazą skur czów serca, to może dojść do niebezpiecznego migotania kom ór sercowych, co może doprow a dzić do śmierci.
Napięcia wynoszą często nawet kilkadziesiąt tysięcy V, co kończy się zwykle wyładowaniem elektrycznym z widocznym i słyszalnym „przeskokiem" iskry,
Rys. 2. Sytuacja zagrażająca życiu
Podczas pracy z zespołami elektronicznymi, np. przy naprawie lub wymianie modułów pamięci, należy za chować szczególną ostrożność. W takich przypadkach mogą powstać uszkodzenia przyrządu spowodowane zgromadzeniem się ładunku elektrycznego na osobie naprawiającej. W związku z tym stanowiska pracy elek troników powinny być wyposażone w specjalne środki zabezpieczające (rys. 1 na następnej stronie).
Natężenie przepływającego przez ciało prądu zale ży m.in. od rezystancji RK, która składa się z rezy stancji samego ciała Ria i tzw. rezystancji przejść: wejściowej Rm i wyjściowej RW2 (rys. 3). Wartości Rm i RW2 zależą od istniejących warunków. I tak: su cha skóra, suche ubranie mają znaczną rezystancję, natomiast wilgoć, tj. pot, mokra podłoga itp., mają znikomą rezystancję. Rezystancje przejść m aleją wraz ze zwiększaniem się powierzchni styku.
Rm - rezystancja między przewo dem a ciałem flKI - rezystancja wewnętrzna ciała Rm - rezystancja między ciałem a przewodem RK - rezystancja ciała
Szczególnie zagrożone są jednobiegunowe (unipolarne) zespoły elektroniczne (np. półprzewodniki FET) - do ich uszkodzenia wystarczy napięcie elektrostatyczne rzędu 100V.
Rk
Przed rozpoczęciem pracy z zespołami elektronicz nymi należy się „rozładować", dotykając uziemienia lub przewodu ochronnego, szczególnie wówczas, gdy mamy na sobie ubranie lub bieliznę ze sztuczne go tworzywa.
'¿ M I T
Rys. 3. Elektrostatyczne ładunki I Iskrzenie przy rozła dowaniu
43
2.3.3.1 Działanie prądu elektrycznego na organizm człowieka
: dopuszczalno pizolijczniki i gniazdka. I 7. wyłącznikami ochronnymi różnicowym:]
(dol2V)
Używanie w wannie sprzętu elektrycznego zagra ża życiu i jest zabronione.
2 3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
zurźądzeniami elektrycznymi
W pomieszczeniach z groźbą w ybuchu (zapylenie, opary benzyny itp.) wszystkie przewody przewodzą ce prąd należy zabezpieczyć przed bezpośrednim dotknięciem . O bowiązuje to rów nież w innych po m ieszczen ia ch , c h y b a że m am y tam u rzą d ze n ia o bezpiecznym , niskim napięciu, tzn. maksym alnie 25 V AC lub 60 V DC. Uwaga: nawet małe prądy ok. 10 mA m ogą śmiertelnie porazić, jeżeli przepływają przez mięsień serca.
,;:tx
Rys. 3. Rezystancja ciała RK
-
Rw r + R k i + Rwz
p rze w o d zą ca w ykładzina s p o d ło g o w a (antystatyczna) skó rza ne b u ty
Rys. 1. Stanowisko montażowe urządzeń elektronicz nych zabezpieczone przed wyładowaniami elektrostatycznymi próg odczuwania
groźba migotania komór serca i 1MTiożilwe'rrl'iigoitan|e kbrnór serca1••
Rys. 2. Zakresy oddziaływania prądu przemiennego (50 Hz) na dorostą osobę (wg IEC479) P rzykład: Przy przeciętnej wartości rezystancji fi,< = 1000 fi, po dotknięciu do części będącej pod napięciem UB = 50 V przez ciało popłynie prąd lK = 50 mA (UB = R k • lK = 1000 f i • 0,05 A = 50 V). • Napięcia przemienne powyżej 50 V zagrażają życiu ludzi (dla zwierząt 25 V). • Napięcia State powyżej 120 V zagrażają życiu ludzi (dla zwierząt 60 V). • Prąd przem ienny o częstotliwości 50 Hz jest groźniejszy od stałego, bowiem może spow o dow ać migotanie kom ór serca.
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi!
44
2 3 praca z urządzeniami-elektrycznymi
Przykład:
45 ■
wysokionapięcio
przełączniki,styczniki
Podczas napraw y silnika w m anipulatorze m echatronik d o tkną! część będącą pod napięciem 230 V: a) o bliczyć, jakie będzie natężenie prądu przepływ ającego przez jego ciało? b) jakie zagrożenia wystąpią, jeżeli czas trwania przepływu prądu wynosił ( = 0,1 s?
człowiek
R ozw iązanie:
a) h< ' /UV
230 V 230 mA 1 k£2 "
b) są to w artości z trze cie g o zakresu o d d zia ływ a nia (ry s .'2 z po p rze d n ie j strony). M oże wystąpić skurcz mięśni oraz groźba migotania komór sercowych.
Ciepło w ydzielane w m iejscach zetknięcia p ow oduje oparzenia (spalenia), m ogące do ch od zić nawet do oparzeń 4 stopnia (zwęglenia). Dalszymi skutkami, które m ogą się objawić dopiero po kilku dniach, są: przeciążenie nerek i elektrolityczny rozkład krwi prowadzący do objawów silnego zatrucia. Zatem wizyta u lekarza jest konieczna, nawet jeżeli od razu po wypadku nie są widoczne i odczuwalne skutki powypadkowe.
Przyrządy i urządzenia elektryczne oddzialywują na otoczenie i odwrotnie (rys. 1 na następnej stronie), , Prądy w ywołują pola magnetyczne, napięcia - pola elektryczne. Ich przemiana wywołuje powstawanie i roz przestrzenianie się fal elektrom agnetycznych. Fale może w ywołać również „iskrzenie''. Szczególnie silnymi źródłami zakłóceń są: wszystkie przyrządy elektryczne wytwarzające iskry, np. przełączniki, styczniki, silniki z komutatorami, naturalne i sztuczne błyskawice, a także wyładowania elektrostatyczne, urządzenia nadawcze, radary, linie wysokiego napięcia, elektronicznie taktowane nastawniki.
Kompatybilność elektromagnetyczną można poprawić przez usunięcie źródeł zakłóceń I przez stosowanie śród- : ków chroniących. Ochrona przed zakłóceniami
>
:
j
O pmoulagnutyczno f il ffliyczno ^~Kit. cluktfornngnelyczm) vj/f T faloradiowo promieniowanie rentgenowskie Impulsyzakłócające __TL_ wprzewodach
cenie przewodów. Wówczas zaindukowane napięcia działają przeciwsobnie i w znacznym stopniu się znoszą. Do brą ochronę uzyskuje się przez ekranowanie dobrze przewodzącą plecionką lub dobrze przewodzącą powloką metaliczną. Zmienne pola magnetyczne wytwarzają w ekranie prądy wirowe, które przeciwdziałają polu źródłowe mu. Przed stałym polem magnetycznym chronimy przyrządy mumetalem lub stalową obudową. Przed falami elektromagnetycznymi chroni się przyrządy dobrze przewodzącymi ekranami lub powierzchniami obudów. Zakłócenia ze strony sieci zasilającej zmniejsza się przez filtry sieciowe, ochronę przed przepięciami - przez odprowadzenia przepięciowe: gazowe, diody tłumiące i warystory (dotyczy także ochrony przed skutkami wyłado wań burzowych). Pola elektromagnetyczne działają również na żywą, przewodzącą prąd elektryczny tkankę oraz na układ nerwowy - tak więc i na człowieka. Dopóki człowiek przebywa w polu elektromagnetycznym o niewielkim natężeniu, np. w polu wytwarzanym przez sieci i układy elektryczne niskiego napięcia (U s 1000 V), to nie należy się obawiać ne gatywnych skutków jego działania. Ze względu na wysoką częstotliwość bardzo negatywny wpływ na organizm człowieka mają fale emitowane przez nadajniki radiowe i radary. Szczególnie niebezpieczne są mikrofale oraz promieniowanie rentgenowskie. Z tego powodu w czasie używania kuchenki mikrofalowej jej drzwi muszą być zamknięte.
j
Pola elektrostatyczne ekranuje się za pomocą metalowych obudów (klatka Faradaya2). Fale eiektromagnetycz-| ne można również ekranować przy pomocy metalowych obudów, także ze szkła ołowiowego, co jest stosowane;), np. w przyrządach mikrofalowych i w aparatach rentgenowskich. Zmienne pola magnetyczne, na skutek sprzężeń , indukcyjnych, wywołują napięcia zakłócające. Sprzężenia indukcyjne można usunąć lub zmniejszyć poprzez skrę- f 1 Dz.U. n r 8 9/2003, poz. 828 i Dz.U. n r 141 /200S, p oz. 1189; 2 M ic lm o l Faraday (1 7 91 -1 86 7 ) - a n g ie lski fizyk, ch om ik
s il
i
Rys, 1. Źródła zakłóceń
Urządzenia elektryczne są kompatybilne, o ile nie oddzialywują elektromagnetycznie w stopniu niedopuszczalnym 11 na swoje otoczenie i pracują bezzaklóceniowo mimo elektromagnetycznych wpływów otoczenia. 11
Ze względu na niebezpieczeństwo wypadku zabroniona jest praca przy zespołach będących pod napięciem. ¡1 W yjątkowo: przy napięciu przem iennym powyżej 50 V i stałego powyżej 120 V może pracować personel* o specjalnych uprawnieniach1. |
2.3.3.2 Kompatybilność elektromagnetyczna
*
V
i
2.3,4 Bezpieczna praca z urządzeniami elektrycznymi Z analizy danych statystycznych wynika, że zarówno laicy, jak i fachow cy bardzo często nie doceniają istnie jącego zagrożenia. Większość wypadków wynika z lekceważenia przepisów i braku odpow iedniego prze szkolenia. Największa liczba wypadków (ok. 85%) ma miejsce przy instalacjach o napięciu 130+400 V.
t
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
46
W sytuacjach wyjątkowych, np. gdy wyłączenie napięcia pociągałoby za sobą olbrzym ie straty, (stalownie, huty szklą itp.), dopuszcza się pewne odstępstwa od wym ienionego zakazu. W yjątki te omawia m.in. norma PN-EN 61477/203/A2 - norma określa także wymagania odnośnie pracowników biorących udział w takich operacjach.
2.3.4.1 Pięć reguł bezpiecznej pracy z urządzeniami elektrycznyfńl
47
^ ^ B e z p le c z n a praca przy wykonywaniu robót na instalacji znajdującej się pod naWykonywanie robót na częściach instalacji znajdujących się pod napięciem wym aga nie tylko więcej cza su, specjalistycznych narzędzi i materiałów, ale także wyższego poziomu wiedzy, zaangażowania i poczu cia odpowiedzialności zarówno wykonawcy, jak też osoby nadzorującej. Wykaz prac, które można wykonywać przy bardzo niskim i niskim napięciu, zawiera tab. 1.
Przed przystąpieniem do pracy przy urządzeniu elektrycznym należy ustawić ta blicę zakazu włączenia (rys. 1). Aby zmniejszyć groźbę zaistnienia wypadku podczas pracy przy urządzeniach elektrycznych, należy spełnić w podanej kolejności pięć poniższych reguł (tab. 1) opracowanych na podstawie PN-EN 50110-1.
2 3 praca z urządzeniami elektrycznymi
Nie włączać pracują ludziel Rys. 1. Znak zakazu włą czania z tabliczką dodatkową
Tab. 1. Dopuszczalne prace wykonywane pod napięciem (przykłady) Napięcia znamionowe do 50 V AC do 120 V DC
Prace, które wolno wykonywać określonym osobom Osoba poinstruowana i wykwalifikowana: •
wszelkie prace.
Tab. 1. Pięć regut bezpieczeństwa 1. Wyłączyć napięcie
2. Zabezpieczyć przed ponownym włączeniem
3. Sprawdzić stan napięcia 4. Uziemić i zewrzeć
5. Osłonić i oddzielić sąsiadujące elementy znajdujące się pod napięciem
• wyłączyć wszystkie części urządzenia, przy których będą prowadzone prace • wyłączyć instalacyjny wyłącznik nadmiarowy, usunąć bezpieczniki topikowe • zabezpieczyć (np. taśmą samoprzylepną) wyłączniki przed ponownym załączeniem • wyjąć wkładki bezpiecznikowe • wyłącznik zablokować kłódką • wywiesić tablicę zakazu załączania • brak napięcia sprawdza pracownik kwalifikowany • do sprawdzania używać dwubiegunowego próbnika napięć • najpierw zawsze uziemić, potem zewrzeć aktywne części urządzenia • elementy zwierające muszą być widoczne z miejsca pracy Reguła 4 nie dotyczy urządzeń 0 napięciu poniżej 1000 V (wyjątkiem są linie napowietrzne) • przy urządzeniach 0 napięciu poniżej 1 kV jako osłony można zastosować maty i folie izolacyjne. Przy napięciu powyżej 1 kV wymagane są ścianki i linki odgradzające oraz tablice ostrzegawcze • ochrona osobista to: helm z osłoną twarzy, przylegające do ciała ubranie i rękawice
Osoba nadzorująca może zezwolić na pracę tylko po spełnieniu tych regut w kolejności od 1 do 5 oraz po sprawdzeniu beznapięciowego stanu urządzenia. Zezwolenie na ponow ne uruchom ienie może być wydane wyłącznie po wykonaniu powyższych czynno ści (reguł) w dokładnie odwrotnej kolejności.
2,3.4.2 Bezpieczna praca w pobliżu instalacji znajdujących się pod napięciem Jeże li trz e b a p ra c o w a ć w są sie d ztw ie urządzeń znajdujących się pod napięciem i nie można się za bezpieczyć przed dotykiem bezpośrednim, to szcze gólną uwagę należy zw rócić na d o b ór właściwych n a rzędzi i za ch o w a nie b e z p ie c z n y c h o d le g ło ś c i (tab. 2). Podane m inim alne o d ległości obow iązują elek tryków oraz innych pracow ników , którzy m ogą pracować w takich warunkach tylko pod nadzo rem uprawnionych elektryków.
od 50 V AC tub 120 V DC do 1000V AC lub 1500 V DC
Osoba poinstruowana 1wykwalifikowana: • • • • • • •
używanie odpowiedniego wyposażenia do prób, pomiarów 1 regulacji, np. próbniki napię cia, drążki izolacyjne, narzędzia do poruszania elementów łatwych do przemieszczenia, używanie odpowiednich narzędzi ( środków do czyszczenia oraz zakładanie osłon 1zapór, wyjmowanie i zakładanie odpowiednimi uchwytami wkładek bezpiecznikowych nie chro nionych przed dotykiem bezpośrednim, np. bezpieczników energetycznych, jeżeli można to zrobić bez zagrożenia, spryskiwanie elementów pod napięciem podczas gaszenia pożaru, prace przy akumulatorach z zachowaniem szczególnych środków ostrożności, prace w polach prób i laboratoriach przy zachowaniu szczególnych środków ostrożności, kiedy wymagają tego warunki pracy, zbijanie szronu i szadzi, np. na liniach napowietrznych, przy użyciu odpowiednich sztang izo lacyjnych.
Wyłącznie osoba wykwalifikowana: • •
lokalizacja uszkodzeń w obwodach pomocniczych, np. badanie działania układów i przy rządów, sprawdzanie sygnałów, inne prace w stanach awaryjnych, gdy wydane zostało polecenie przez osobę nadzorującą.
Przy wszelkich pracach wykonywanych pod napięciem należy używać środków ochrony osobistej, narzędzi, urządzeń i przyrządów odpow iednich z uwagi na rodzaj wykonyw anych czynności, wysokość napięcia i wa runki otoczenia. Decyzję o konieczności pracy pod napięciem może podejm ow ać wyłącznie osoba sprawująca nadzór.
2.3.5 Ochrona przeciwporażeniowa
Tab. 2. Minimalne odległości ochronne Napięcie znamionowe
do 1000 V
Odległość ochronna od elementów pod napięciem, bez ochrony przed dotykiem bezpośrednim 0,5 m
ponad 1 do 30 kV
1,0 m
ponad 30 do 110 kV
1,5 m
ponad 110 do 220 kV
2,5 m
ponad 220 do 380 kV
4,0 m
Przy prawidłowej eksploatacji urządzeń elektrycznych nie pow inno dochodzić do porażeń ludzi, zwierząt lub uszkodzenia przedm iotów. Aby spełnić ten w ym óg, należy przedsięwziąć określone działania ochronne, m.in. takie, aby po zaistnieniu błędnego działania nie w ystąpiło za duże napięcie m ogące porazić w razie dotyku lub powinno nastąpić autom atyczne wyłączenie urządzenia. Ważniejsze techniczne środki ochrony przeciwporażeniowej zestawiono w tab. 1 na następnej stronie.
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
48 Tab. 1. Techniczne środki ochrony przeciwporażeniowej Środki ochrony podstawowej (przed dotykiem bezpośrednim, rys. 1a).
Środki ochrony przy uszkodzeniu (przy dotyku pośrednim, rys. 1b)
Ochrona dodatkowa (uzupełniająca)
izolacja podstawowa ' przegrody ochronne (obudowa, ogrodzenie) przeszkoda ochronna (bariera) umieszczenie poza zasięgiem'ręki samoczynne wyłączanie zasilania w układzie TN, TT, IT urządzenia II klasy ochronności środowisko nieprzewodzące (Izolowane stanowisko) nieuziemione połączenia wyrównawcze seperacja elektryczna stosowana, gdy w/w środki nie są skuteczne przy wszystkich prawdopodobnych zagrożeniach
2 3 Praca z urządzeniami'elektrycznymi___________________________________________________
L1
Aby uzyskać tzw. g a lw a n ic z n e o d d z ie le n ie od sieci, niskie napięcie musi być uzyskiwane w spo sób bezpieczny. Na przykład przez stosowanie: • • • •
,
,
,/
rozdzielenie» galwaniczne strona niskonapięciowa jest uziemiona
transformator bezpieczeństwa wg. EN60742 ^
Niskiego napięcia nie w olno uzyskiwać z w yko rzystaniem autotransform atorów, dzielników na pięć i szeregowych rezystorów.
Rys. 1. Źródło prądowe dla obwodów PELV2 Ponadto w tyczki, gniazda w o b w o d ach SELV nie SELV
zestyków uziemiających lub zerujących, • „pasować” do obw odów o innych napięciach oraz do obwodów PELV i odwrotnie. • m ie ć
B ezp o śred n i d o ty k 2 ma miejsce wtedy, gdy d ocho dzi do kontaktu ciała ludzkiego (zwierzęcego) z ze społem, który podczas norm alnej pracy znajduje się pod napięciem (ry s . 1a). Aby tem u zapobiec, ze społy są izolowane lub zakrywane.
Zestawy w tyko w o -g n ia zd o w e dla ob w o d ów PELV mają zestyki uziem iające lub zerujące oraz row ki w oprawce uniemożliwiające ich om yłkow e zastoso wanie dla wyższych napięć (rys. 2).
D o ty k p o ś re d n i za c h o d zi wtedy, g d y n a stęp u je ko n ta k t z częścią urządzenia, na któ re j podczas normalnej eksploatacji nie ma napięcia, a pojawiło się o n o np. na o b u d o w ie s iln ik a na s k u te k np. uszkodzenia izolacji (ry s . 1b). M ów im y w ów czas o „z w a rc iu przez ka d tub ".
Obwody FELV1 (bez bezpiecznego rozdzielenia) nie spełniają w ym o g ó w staw ianych o b w o d om SELV i PELV.
2.3.S.2 Ochrgna przez bardzo niskie napięcie
50Hz 230 V
transformatorów bezpieczeństwa, przetwornic dwumaszynowych, elektrochemicznych źródeł napięć np. baterii, generatorów napędzanych silnikiem spalinowym.
mogą:
2.3.5.1 Ochrona przed dotykiem bezpośrednim i pośrednim
49
, rowek IPELV i pomocniczy —
rowek główny 2P bez rowka pomocniczego U = 20...25 V kolor - fioletowy
/= i
50 Hz 60 Hz
. 3P z rowkiem pomocniczym U = 40...50 V kolor - biały
Rys. 2. Gniazda dla przyrządów niskonapięciowych
2.3.5.3 Ochrona przez ograniczenie energii rozładowania \
W niskonapięciowych o b w o d a ch o c h ro n n y c h SELV i PELV stosuje się napięcia do 50 V AC i 120 V DC. Różnice polegają na ich połączeniu z ziemią. Strony wtórnej SELV nie wolno uziemiać lub łączyć z innym obw odem napięciowym. O bwody PELV występują, gdy ze względu na funkcjonowanie sprzętu jego wtórna strona lub obudowa jest uziemiona. Jeżeli w obw odach SE LA/3 (rys. 2) lub PELV4 (rys. 1 na następnej stronie), wolnych od napięć pasożyt niczych, tj. takich, w któ rych a m p litu d a d o d a tko wych nakładających się na skuteczne przem ienne napięcie nie przekracza 10%, to w zasadzie nie są w ym agane środ ki za b e zpieczające przed b e zp o średnim dotykiem . Należy je jednak stosować, na wet w zakresach napięć do 25 V AC wzg. 60 V DC, dla takiego sprzętu jak: elektrycznie napędzane za ba w ki, s p rz ę t m e d yczn y, s p rz ę t o g ro d n ic z y itp . Przykładow o: w sp rzę cie m ed yczn ym używ anym wewnątrz ciała napięcie jest ograniczone do 6 V. 1 wg PN-IEC 60364; Rys. 2. Transformatory dla obwodów SELV1 2 wg PN-EN 61140 i PN-IEC 60364 3 SELV (ang. Safety Extra Low Voltage) = obwód ochronny niskonapięciowy; 4 PELV (ang. Protective Extra Low Voltage) = obwód ochronny z bezpiecznym rozdzieleniem;
Jeżeli energia wyładowania źródła napięcia nie przekracza 0,35 J, to można zrezygnować ze środków zabezpie czających przed bezpośrednim dotykiem, np. przy naładowanym kondensatorze, elektrycznym „pastuchu” itp.
2.3.5,4 Ochrona przeciwporażeniowa w warunkach normalnych (ochrona przed dotykiem bezpośrednim lub ochrona podstawowa) 1
Środki zapobiegaw cze należy w zasadzie stosować, gdy na pięcie zn a m io n o w e p rz e k ra cza 25 V AC lub 60 V DC. Przy o k re ś lo n y m s p rz ę c ie (n p . elektronarzędzia) sto su je się je ró w n ie ż d la n iż s z y c h n a pięć. Przedsięwzięcia o ch ro n ne ilustrują ry s u n k i 3, 4 oraz 1, 3 na n a stęp n e j stro n ie .
L1 N pe
, ;
izolacja F l[1 głównego
]
‘
H
H
/« prąd płynący , przez ciało
t J \ -=t-
Rys. 3. Ochrona przez Izolację źródła Podstawowym środkiem jest odizo lowanie głównego źródła (rys. 3).
' FELV (Functional Extra Low Voltage) = obwód bez bezpiecznego rozdzielenia
Rys. 4. Ochrona przez izolację Części przew odzące otacza się m ateriałem izo lu ją cym , którego usunięcie jest możliwe tylko przez jego zniszczenie (rys. 4).
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
50
Rys. 2. Ochrona przez utrudnienia dostępu Zakrywa się i ostania przełączniki i gniazda (rys. 1), do ich dem on tażu trzeba stosować narzędzia.
Zachowywane są tak duże odle-,^ glości (np. linii przesyłowych), by 1 człowiek nie m ógł ich normalnie I dosięgnąć (rys. 3).
Szerokości pustych przestrzeni, np. odległości między różnym i kratami itp., powinny wynosić m inimum 2,5 m (podwójny zasięg ramion), tak aby uniknąć jednoczesnego dotknięcia dwóch części m ogących być pod różnymi potencjałam i.
2 3 5 5 Ochrona przeciwporażeniowa w warunkach awaryjnych (ochrona przed dotykiem pośrednim lub ochrona w warunkach zagrożenia) ; Działanie ochrony przeciwporażeniowej w przypadku awarii polega na odłączeniu zasilania lub, gdy jest to niedo-) puszczalne (np. w salach operacyjnych), na załączeniu sygnalizacji alarmowej. ■ Reakcja ludzkiego ciała na przepływający prąd zależy m. in. od czasu trwania przepływu (patrz p. 2.3.3.1), dłate- i go istotny jest czas trwania procesu wyłączania. Przykładowo: dla napięcia znamionowego 230 V powinien być | krótszy od 0,4 s. Dla sieci z bezpiecznikami topikowymi czas wyłączania (stopienia elementu topikowego) wyzna- i cza charakterystyka prądowo - czasowa bezpiecznika. :j ' O chronne uziem ienie zapobiega wystąpieniu po awarii niebezpiecznego napięcia na częściach urządzeń nor- j malnie nie będących pod napięciem. Wartość napięcia między tymi częściami a ziemią, a więc decydująca o prą- > dzie 4 płynącym przez ciało, zależy od relacji między rezystancją uziemienia punktu zerowego (uziemieniem ro-! boczym Ra a rezystancją uziemienia ochronnego Rz. Dla R0 » Rz prąd Ik jest znikomy (rys. 4). j Środkiem ochrony, np. w sieciach czteroprzewodowych, jest również tzw. „zerowanie" polegające na łączeniu', obudowy odbiornika z przewodem zerowym. Po awarii wyłącznik bezpieczeństwa wyłącza urządzenie.
Rys, 1. Wyłącznik różnicowoprądowy RCD: a - budowa, b - wyłącznik w układzie sieciowym TN wy lub doziemnego) równowaga zostaje zachwiana, ponieważ prąd wypływający (przewód N) dzieli się na część płynącą przez wyłącznik i na część płynącą poza wyłącznikiem do ziemi. W uzwojeniu wyjściowym indukuje się siła elektromotoryczna, która uruchamia wyzwalacz łącznika i w efekcie powoduje odłączenie odbiornika od trzech faz zasilających. Zastosowanie wyłącznika pokazano na rys. 1. Wyłączników różnicowoprądowych nie wolno stosować jako jedynego środka ochrony przeciwporażeniowej. Jeżeli przew ód o c h ro n n y PE1 jest połączony z obudow ą urządzenia elektrycznego, to obwód ochronny uważa się za uzależniony od systemu. Przew ody o c h ro n n e PE i PEN2 są zawsze zielonożółte. Dodatkowo przewód PEN ma jasnoniebieskie zakończenie.
2.3.S.6 Izolacje ochronne Zastosowanie iz o la c ji o c h ro n n e j (rys. 2a) zabez piecza przed w ystą p ie n ie m na s p rz ę c ie n ie b e z piecznego n a p ię cia s p o w o d o w a n e g o u s z k o d z e niem izolacji ź ró d ła (ry s . 3). Jeżeli np. p o d czas montażu zastosowano dodatkową izolację, to urzą dzenie zostaje oznakowane dodatkow ym sym bolem (rys. 2b). W li klasie bezpieczeństwa wszystkie dostępne do tykowo części, na których po awarii może się poja wić napięcie, należy trwale zabezpieczyć dodatko wą lub wzmocnioną izolacją (rys. 4). Izolacja ochronna może być umieszczana wewnątrz urządzenia (rys. 4). Zj
Ipe]
F1
h
, wyłączenie 'prądem przeciążeniowym ± -R b
51
a)
Stosuje się przeszkody w postaci listw, krat, pom ieszczeń dostęp nych tylko dla upoważnionych itp. Pokonanie takich przeszkód o d bywa się bez użycia narzędzi, lecz ich trwale, np. omyłkowe, usunię cie jest bardzo trudne (rys. 2).
S kute czn o ść ze ro w a n ia będzie zapewniona jeżeli: • przewód zerowy będzie uziemiony w kilku miej scach, • rezystancja uziemienia roboczego nie przekroczy 5 £2, • na przewodzie zerowym nie będą instalowane bez pieczniki, • wyłączenie przewodu zerowego nastąpi jedynie z jednoczesnym wyłączeniem wszystkich faz,
2 3 Praca z urządzeniami elektrycznymi
prąd przez ciało Ik ” 0
i i
b) brak przewodu uziemienia
obudowa izolacja między silnikiem a przekładnią z iżolacynego materiału Rp
pełną Izolację ' ’ (pokrycie tworzy wem części : metalowych) Izolacja między silnikiem a przekładnią
Do w yłączenia zasilania odbiornika, kiedy na jego obudowie pojawi się niebezpieczne napięcie, stuży Rys. 4. Ochrona przez wyłączanie m.in. w yłącznik różn icow oprądow y RCD, w którym wszystkie przewody przewodzące prąd (L1, L2, L3 i N) przechodzą przez przetw ornik sum acyjny prądu (prze-i kla d n ik Ferrantiego) i oddziałują na uzwojenie wyjściowe przetwornika. W stanie bezawaryjnym suma prądów dopływ ających jest równa prądow i w ypływ ającem u. W yp a d ko w y strum ień m agnetyczny jest równy zeru i w uzwojeniu wyjściowym nie indukuje się żadna siła elektromotoryczna. Po wystąpieniu zwarcia (np. do obudo-
a) izolacja ochronna
b) ochrona przez: odizolowanie...! ozęśoi wyłącznik pokryty materialem f izolacyjnym Rys. 4. Realizacja izolacji ochronnej w wiertarce
PE (ang. Protection Earth) = przewód ochronny; PEN (ang. Protection Earth Neutratj = przewód ochronny neutralny
2.3 Praca z urządzeniami elektrycznymi I
52
2 4 Praca z urządzeniami pneumatycznymi
53
Urządzenia ruchom e (np. kosiarki ogrodow e itp.) ma|ą dwużylowy przewód zasilający i zatopiony wtyk j bez zestyku ochronnego. Żółtozielony przewód jest zam ocowany we wtyku, a jego drugi koniec (w urzą- ¡y dzeniu) należy krótko przyciąć i odizolować tak, aby nie m ogło dojść do zetknięcia z elementami urzą- J dzenia.
'
kocioł — przenośny transformator oddzielający
i
.3.5.7 Ochrona przez izolację pomieszczeń_____ Ta form a ochrony ma miejsce, gdy np. zastosowano izolacyjną w ykładzinę na po d ło dze i na ścianach, osłony lub p odkładki gum ow e izolujące osoby od ziemi.
granica zasięgu ramion
/
M inimalna rezystancja warstw izolacyjnych na podłodze i ścianach wynosi 50 kQ przy napięciu znam ionow ym do 500 V. Dla w yższych napięć rezystancja powinna wynosić 100 k£2.
W warunkach szczególnego zagrożenia (np. pra ca w zbiornikach, tj. gdy podłoże przewodzi elek tryczność) korpus urządzenia (narzędzia) można połączyć przewodem wyrównawczym z przewo dzącym podłożem (rys. 1).
Rys. 1. kach szczególnego zagrożę .
.
’
„ .
1.
Od jakiej wartości napięcia przemiennego I stałego bezpośrednio dotknięcie jest niebezpieczne? W Jakich przypadkach nawet małe napięcia mogą być niebezpieczne? 3. Kiedy następuje naładowanie elektrostatyczne?
Na stanow iskach pracy należy rów nież zachow ać odpow iednie odległości (rys. 1).
2.
Rys. 1. Wymiary stanowiska uwzględniające zasięg ra mion
4. Jak można uniknąć wyładowań elektrostatycznych? 5. Jakie są niebezpieczeństwa powodowane wyładowaniami elektrostatycznymi ? 6. Na co należy zwracać uwagę pracując z zespołami elektronicznymi?
2.3.5.B Ochrona przez galwaniczne oddzielenie obwodów
7. Jakie zespoły elektroniczne są szczególnie zagrożone wyładowaniami elektrostatycznymi? Przy tym rodzaju ochrony m iędzy zasilającą siecią a odbiornikiem umieszcza się separujący transfor mator. Dzięki temu na odbiorniku nie wystąpi napię cie uziemionej zasilającej sieci. Wyjście transforma tora nie ma potencjału względem ziemi (rys. 2).
wyjście
wejście
8. Na co należy zwrócić uwagę przy budowle stanowiska montażowego urządzeń elektronicznych? 9. Jakie są sposoby ochrony przed dotykiem bezpośrednim? -K l Uz<, 500V -i-C
Jeżeli jest w ym agany ten rodzaj ochrony, to do transformatora m ożna przyłączyć tylko jeden od b io rn ik . W tyk o b w o d u w y jś c io w e g o nie m oże m ieć ze stykó w o ch ro n n ych . N ie d o p u szczaln e jest uziemienie tego obwodu lub łączenie go z in nymi obwodam i.
dl
...•;
Gniazda odbiorników muszą m ieć zestyki ochronne, nieuziemione i połączone z przewodem w yrów nują cym potencjały (rys. 3).
;
11. Jakie są wymogi odnośnie wtyków I gniazd w obwodach ochronnych niskonapięciowych? 12. Jaka powinna być rezystancja wykładzin w pomieszczeniach izolowanych? 13. Omów zasadę ochrony przez separację.
i
do 16 A
przenośny transformator separujący
Rys. 2. Bezpieczne oddzielenie
2.3.5.9 Ochrona przez nieuziemione, lokalne połączenia wyrównawczą Jeżeli z jednego transform atora oddzielającego za silam y kilka odbiorników, to ich obudow y (korpusy) należy lokalnie, bez uziem iania, p ołączyć dla w y równania ewentualnej różnicy potencjałów. Przewód w yró w n ujący p o te n cja ły nie m oże być uziem iany lub łączony z przew odam i ochronnym i innych ob wodów.
przytwierdzony na stale transformator oddzielający Rys. 3. Oddzielenie ochronne przy kilku odbiornikach
2.4 Praca z urządzeniami pneumatycznymi Bezpośrednie działanie strugi sprężonego powietrza jest wykorzystywane w technice do prac niewymagających dużej precyzji wykonania, takich jak chłodzenie, czyszczenie, piaskowanie, transport materiałów syp kich itp. Główne zastosowanie pneum atyki to napęd i sterowanie zespołów wykonawczych, tzn. siłowników i silników wykonujących czynności technologiczne w określonych maszynach. Na ogól urządzenia pneum a tyczne są częścią składową maszyny wytwórczej, rzadziej stanowią samodzielną jednostkę, taką jak miot pneumatyczny, ubijakl (zagęszczarki) Itp. Cechą wspólną jest praca ze sprężonym powietrzem jako nośni kiem energii, natomiast wykonywane czynności, a w związku z tym i bezpieczeństwo pracy, zależą w głów nej mierze od konkretnego urządzenia i stanowiska pracy.
2.4.1 Zagrożenia spowodowane pracą z urządzeniami pneumatycznymi Wykaz zagrożeń związanych z wykorzystaniem w urządzeniach energii pneumatycznej zawiera norma PN-EN 983, przy czym większość wym ienionych w niej zaleceń dotyczy fazy projektowania układu pneumatycznego, a nie jego eksploatacji. Właściwości nośnika energii (pneumatycznej), jakim jest sprężone powietrze, wykluczają: porażenia, poparze nia, zatrucia itp., czyli zjawiska niebezpieczne dla zdrowia ludzkiego. Ponadto samo powietrze nie wytworzy
54
2.4 Praca z urządzeniami pneumatycznymi
iskry m ogącej być przyczyną pożaru, w ybuchu lub innego zagrożenia. Między innym i z tych. powodów pneumatykę, rozum ianą jako urządzenie techniczne, w którym energię oraz często też sygnały sterujące przenosi sprężone powietrze, uważa się za technikę bezpieczną. Pneum atyka m oże n a to m ia st stw a rza ć zagrożenia p o śre d n ie przez: • odłam ki awaryjnie rozrywanych ciśnieniem korpusów, osłon itp., • elementy unoszone niekontrolowanym strumieniem powietrza, wydobywającym się np. z uszkodzone go przewodu itp., • „m iotający” się koniec elastycznego przewodu, którego drugi koniec jest podłączony do zasilania pneu- ■ matycznego, • nieprawidłowe ruchy zespołów wykonawczych spowodow anych błędnym wysterowaniem, • drgania urządzeń pneum atycznych przenoszonych na obsługę (np. zespoły wibracyjne), • hałas wywołany pracą urządzeń pneum atycznych lub wypływające do atmosfery powietrze (rozłado - 1 wanie ciśnieniowe komór).
2 5 praca z urządzeniami hydraulicznymi
55
2,4.3 Bezpieczna praca z urządzeniami pneumatycznymi Urządzenia pneumatyczne mają dobrą zdolność do magazynowania znacznej energii w postaci sprężonego powietrza. Dlatego niekontrolowane rozprężanie zachodzące np. po rozerwaniu korpusu może być bardzo groźne w skutkach. Aby zapobiec nadmiernemu wzrostowi ciśnienia, należy stosować zawory bezpieczeń stwa, których otwarcie następuje przy ciśnieniu np. o 10 % wyższym od m aksym alnego ciśnienia roboczego.
Przed szkodliwym oddziaływaniem na ludzi urządzeń, których praca jest związana z wytwarzaniem drgań (np. wibratory), chronią takie przedsięwzięcia jak: • eliminacja źródeł drgań (jest to często niemożliwe ze względu na proces technologiczny), • ograniczenie emisji drgań przez minimalizację luzów, wyważanie, systemy wibroizolacyjne - np. stosowa nie materiałów o lepszych właściwościach tłum iących, • stosowanie specjalnych rękawic antywibracyjnych, • unikanie zim nego nawiewu na ręce pracownika (zalecany ciepły nawiew),
i, Większość współczesnych układów pneumatycznych jest zbudowana z zespołów elektropneumatycznych, \ ; ; żatem aktualne są w szystkie zagrożenia w ynikające ze stosow ania o d p ow iednich zespołów elektro-, ; : mechanicznych.
• stosowanie narzędzi niewymagających użycia przez pracownika dużych sil (zaciskających, naciskających, pchających itp.), • automatyzacja i zdalne sterowanie procesów.
/
Bezpieczną pracę dla obsługujących urządzenia pneumatyczne powinno się zapewnić już w fazie projekto wania układu. Powodem jest m.in. nieudzielanie przez producentów gwarancji na żywotność i niezawodność zespołów pneumatycznych. Na te wskaźniki jakości znaczny wpływ mają w pneumatyce warunki eksploatacji,' a te na ogół nie są producentowi znane. Do rzadkości należą specjalne zespoły pneumatyczne wykonywane dla potrzeb konkretnej maszyny. Głównie korzysta się z zespołów „ogólnego zastosowania". G dy zagadnie nia bezpieczeństwa i niezawodności są priorytetowe, to projekt powstaje w ciągłej konsultacji między projek tantem, producentem i przyszłym użytkownikiem. Między innymi z tych pow odów brak jest ogólnych norm i zaleceń w tej dziedzinie. Wyjątek stanowią tu norm y na przewody, złączki oraz rozstawy otworów mocują cych i roboczych w zespołach funkcjonalnych. Ścisłe przepisy dotyczące bezpieczeństwa są związane z konkretnym stanowiskiem pracy; należy ich bez względnie przestrzegać podczas pracy, naprawy lub ustawiania maszyny. Szczególnie w ostatnim przy padku (ustawianie) dochodzi do licznych wypadków, bowiem ustawiacz rra czas swojego działania wyłą- j cza na ogół urządzenia zabezpieczające.
Do wspomnianych już szkodliwych skutków, jakie może wyrządzić struga sprężonego powietrza, musimy dopisać wytwarzany hałas. Należy go minimalizować np. przez tłum iki w króćcach wypływowych zespołów, zapewnić obsłudze środki ochrony słuchu (czopki, nauszniki itp.) oraz kontrolować ich stosowanie.
1. Podaj główne zagrożenia związane z pracą z urządzeniami pneumatycznymi. 2. Jakie zagrożenia pośrednie stwarza praca z urządzeniami pneumatycznymi? 3. W zależności od jakich parametrów i na ile grup dzieli się zbiorniki ciśnieniowe?
2.5 Praca z urządzeniami hydraulicznymi
Większość układów posiada z b io rn ik i ciśn ie n io w e , przewody o znacznej pojemności itp. Niebezpieczeń stwa z tym związane uwzględniają szczegółowe przepisy ustanowione przez Urząd D ozoru Technicznego. (UDT). Zbiorniki ciśnieniowe dzieli się na trzy grupy w zależności od objętości i ciśnienia. Poniżej podana podstawowe informacje.
W urządzeniach hydraulicznych nośnikiem energii jest ciecz. Urządzeniami tego typu steruje się na ogól środkami elektrotechniki, a zatem ważne są również odpow iednie przepisy o bezpieczeństwie z dziedziny elektrotechniki. Z zasady sterowanie elektryczne jest zdublowane przez sterowanie ręczne (mechaniczne), które wykorzystuje się w trakcie sprawdzania i ustawiania obw odów hydraulicznych oraz w stanach awaryj nych, np. gdy zabraknie zasilania elektrycznego.
G rupa A. Zbiorniki, w których iloczyn objętości V [dm 3] i ciśnienia p jb a r] jest mniejszy od 200 dm 3 • bar i ciśnienie nie przekracza 0,5 bar. Zbiorniki takie nie podlegają żadnym przepisom UDT.
Powszechnie stosowane są urządzenia hydrostatyczne, tj. energię przekazuje ciecz pod ciśnieniem. Ze względu na małą ściśliwość cieczy energia potencjalna użytej cieczy (ciśnienie [N /m 2J x objętość cieczy (m3j = energia [Nm ]) jest znikoma, stąd zagrożenia wynikające z niekontrolowanego „rozładow ania” ciśnie niowego są dużo mniejsze niż w pneumatyce.
G rupa B. Jeżeli V- p zawiera się w zakresie od 200 do 1000 dm 3 ■ bar, to zbiornik po wyprodukowaniu podlega jednorazowej kontroli. G rupa C. Jeżeli V -p jest większe niż 1000 dm 3 - bar, to zbiornik musi być co 4 lata wszechstronnie zbadany; ’ i przejść próby ciśnieniowe, łącznie z przeglądem stanu wewnętrznej powierzchni. Co 8 lat przechodzi; wodną próbę ciśnieniową.
Zbiorniki powinny m ieć zawór bezpieczeństwa i zawór zwrotny zamknięty w kierunku sprężarki.
Energię kinetyczną, związaną z prędkością strugi cieczy, wykorzystuje się w urządzeniach typu turbiny itp., ale też w miniaturowych urządzeniach, np. w bezigtowych strzykawkach.. „Zjawisko strzykawki" może być groźne, gdy z kom ory o wysokim ciśnieniu przez m ały otworek w ypły nie cienka strużka cieczy i trafi w oko lub wstrzyknie pod skórę porcję cieczy hydraulicznej.
56
2.5 Praca z urządzeniami h yd ra u lic z n y ^
2
2.5.1 Zagrożenia spowodowane pracą z urządzeniami hydraulicznym M W urządzeniach elektrohydraulicznych występują znaczne siły wywołane ciśnieniem i duże naprężenia. Doj datkow o jest tam często m agazynowana energia związana z położeniem lub prędkością (przyspieszeniem)!" masy..Aby uniknąć w ynikających stąd zagrożeń dla ludzi i sprzętu podczas pracy z tym i urządzeniami, nal®.-j;' ży przestrzegać przepisów bezpieczeństwa dla urządzeń hydraulicznych. ¡i
W dziedzinie hydrauliki obowiązują następujące przepisy bezpieczeństwa:
• przepisy o zapobieganiu niebezpieczeństwu, tzn. zasady postępowania I sprawdzania (kontroli) wydane ,j przez stowarzyszenie zawodowe (branżowe), • zarządzenia i norm y dotyczące pojem ników ciśnieniowych płynowych oraz instalacji, tj. PN-87/M-73007 ■ ' oraz EN 982, i .J • przepisy w ydane przez stowarzyszenia zawodowe i branżowe oraz reguły techniczne dotyczące pojem- -i ników ciśnieniowych, w szczególności ustalające: wymiary, postać, obliczenia, materiały i dopuszczalne.;! obciążenia oraz ¿graniczenia wynikające z przeznaczenia tych urządzeń! ,Pi-
2 5 2 □¿latanie cieczy; hydraulicznych na organizm człowieka i jego środowisko , , . .... •, . ■ ■'• .-
I
/
6 Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami mechatronicznymi
57
• zainstalować awaryjny wyłącznik bezpieczeństwa w łatwo dostępnym miejscu.
: j
• Wartość aktualnego ciśnienia roboczego musi być wyraźnie widoczna. , Linie zasysające powinny być tak wykonane, aby uniemożliwić zasysanie powietrza. • Temperatura cieczy w przewodzie ssącym nie powinna przekraczać 60° C. • Chronić tloczyska przed brudem i bocznym i silami wyższymi od wartości katalogowych. • Należy znać wartości wszelkich nastaw w urządzeniu. • Zasilanie włączać po dołączeniu wszystkich obwodów. • Podczas pierwszego uruchamiania prawie całkowicie otworzyć zawory ograniczające ciśnienie, a dopiero i po rozruchu powoli nastawiać żądane ciśnienie robocze. Zawory powinny być łatwo dostępne. , •! • Przed uruchomieniem (np. po remoncie) urządzenie należy dokładnie przepłukać, następnie wym ienić < wkłady filtrujące, odpowietrzyć. • Należy przestrzegać zasad obsługi podanych przez producenta. • Nigdy nie wypuszczać zawartości pojem ników ciśnieniowych w sposób niekontrolowany.
'
Ukiady hydrauliczne tworzą zamknięte obwody, tzn. ciecz pobierana do układu wraca do zbiornika. Zatem-¡. w normalnie pracującym układzie obsługa nie powinna m ieć styczności z cieczą. Do bezpośredniego ze- j tknięcia dochodzi np. podczas napraw, wym iany oleju lub w kładów filtrujących oraz awarii. J Przy silnie rozgrzanej cieczy roboczej i słabej wentylacji pomieszczeń pojawia się w powietrzu tzw. „mgła ) o le jo w a ” . W zależności od składników cieczy mgta wdychana przez dłuższy czas może być szkodliwa. Mgła; osiada wraz z kurzem na wszystkich powierzchniach, tworząc lepką maż, z którą styka się skóra człowieka;', Z tego pow odu nie pow inny na takich stanow iskach pracow ać osoby uczulone na produkty naftowe lui|j inne ciecze stosow ane w hydraulice. Stw ierdzono, że objaw y ch o ró b derm atologicznych pojawiają sięV często dopiero po dłuższym czasie. Szczególnie niekorzystnie na skórę działają oleje stare, zużyte. Szkodlk;| we m ogą być też składniki dodaw ane do cieczy dla poprawienia jej właściwości eksploatacyjnych, , sj
1
• Szczególną ostrożność należy zachować przy pracach z hydroakum ulatorami. Podlegają one przepi- 1 som UDT (rozdz. 2.4.2). Należy starannie zapoznać się z zaleceniami producenta. i
1. Wymień główne zagrożenia związane z pracą z urządzeniami hydraulicznymi. 2. Opisz „zjawisko strzykawki" i skutki, jakie może wywołać. 3. Jakie zagrożenia powoduje „mgła olejowa"? 4. Dlaczego ciecze utworzone na bazie mineralnej szkodzą środowisku?
’
5. Wymień ważniejsze zalecenia dotyczące bezpiecznej pracy z urządzeniami hydraulicznymi.
u
S posobem ochrony je st zachow anie czystości na stanow isku pracy oraz używanie odzieży i rękawic']! ochronnych. 1; Oleje mineralne są palne, należy więc stosować osłony ochronne zabezpieczające, po ewentualnej awarii,: przed wylaniem cieczy na bardzo gorące zespoły. j Ciecze utworzone na bazie mineralnej (typowe ciecze hydrauliczne) nie rozkładają się biologicznie, a za-l tern szkodzą środowisku. Glebę i w odę zanieczyszczają przeważnie wycieki z nieszczelnych obwodów: w pojazdach lub bezmyślne wylewanie produktów naftowych i podobnych do kanalizacji. Jest to powód; do poszukiwania cieczy hydraulicznych opartych na olejach roślinnych (np. oleje rzepakowe) lub natural-1 ne estry. •' Stosuje się również ciecze syntetyczne oparte np. o poliglikole lub syntetyczne estry. Te nowe ciecze dopie: ro po bardzo znacznej dawce dodatków zbliżają się swoimi właściwościam i do olei mineralnych, a proces, ich uszlachetniania znacznie je podraża.
2.5.3 Bezpieczna praca ¿ urządzeniami hydraulicznymi Bezpieczną pracę zapewnia się przez właściwą obsługę I konserwację urządzeń. Poniżej zestawiono waż niejsze zalecenia dotyczące układów hydraulicznych.
2.6 Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami mechatronicznymi Każda maszyna lub urządzenie stwarza określone zagrożenia. Stosując właściwą ochronę, można zm inima lizować g ro źb y w yp a d kó w , c h o ró b z a w o d o w y c h i u sz c z e rb k ó w zd ro w ia. N ależy u suw ać przyczyn y zagrożeń, z których kilka wyszczególniono poniżej.
Głównymi p rzyczynam i zagrożenia są: • • • • • • .• •
przedmioty, o które można się potknąć, uszkodzone zespoły, niewłaściwe rusztowania, podesty, drabiny, za słabe lub uszkodzone podnośniki, haki, liny, nadwerężenie ciała po noszeniu, trzymaniu, podnoszeniu ciężarów, praca wymuszająca niewygodną pozycję ciała, brak urządzeń wyłączających i zamykających, psychiczne, chemiczne i biologiczne oddziaływanie (np. hałas, para wodna), brak wiedzy o postępowaniu z materiałami niebezpiecznymi, psychiczne obciążenie wywołane: terminami, niedokładnym opisem zadań, dużą odpowiedzialnością, brakiem doświadczenia, niespodziewanym i zakłóceniami, brakiem kontaktu z ewentualnym doradcą itp. ;
Najbardziej narażeni na zagrożenia są: m onterzy podczas składania urządzenia, personel urucham iający maszynę, pracownicy produkcyjni oraz konserwatorzy maszyn i urządzeń.
i
2.6 Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami mechaironicznym
58
m Każdy pracownik swoim postępowaniem może w znacznej mierze przyczynić się do podniesienia poziomi bezpieczeństwa w zakładzie. . Może to uczynić przez: • • • • • • • • •
przestrzeganie przepisów i stosowanie się do znaków ostrzegających, noszenie odzieży ochronnej, ustawianie oston itp ., dbanie o porządek i czystość, usuwanie uszkodzonych narzędzi i sprzętu pom ocniczego, ostrożne i rozsądne postępowanie, przewidywanie m ożliwych zagrożeń, dokładne przeanalizowanie zleconych zadań, dokładne rozpracowanie czynności roboczych, intensywne konsultacje i doprowadzenie do wiążących ustaleń.
O pracowane przy udziale związków zawodowych przepisy o zapobieganiu wypadkom zawierają wymagania odnośnie: • • • •
urządzeń zakładowych, organizacji BHP w zakładzie, stosowanych sposobów produkcji, współdziałania pracowników. Przepisy są obowiązujące i muszą być dostępne dla pracowników. Ich nieprzestrzeganie jest karalne. Do i osób mających styczność ze sprzętem elektrycznym stosuje się, w zakresie BHR dodatkowe przepisy: i obostrzenia. W zależności od posiadanych kwalifikacji są oni uprawnieni do wykonywania tylko określa -1 nych prac.
2.6.2 Postępowanie pbwypadkowe \ Jeżeli, mimo przestrzegania wszystkich przepisów, dochodzi do wypadku, wówczas należy: • zachować spokój, • rozpoznać zdarzenie i ustalić jakie są uszkodzenia, • oszacować, czy istnieje groźba dalszych w ypadków (np. groźba wybuchu) i jakie należy podjąć działa nia zapobiegawcze, • rozsądnie i zdecydowanie działać przy: wyłączaniu maszyn, zabezpieczeniu miejsca wypadku, ratowaniu poszkodowanych, udzieleniu pom ocy poszkodowanym , przywołaniu pom ocy za pom ocą sygnalizacji alarmowej. Jeżeli jest kilka osób ratujących, to należy im przydzielić zadania odpowiednio do ich predyspozycji fachowych. Do pierwszych zadań należą: • Powiadomienie służb ratowniczych i przełożonych z dokładnym podaniem: - miejsca w ypadku (gdzie), - rodzaju wypadku (co), - liczby poszkodow anych (ilu), - rodzaju uszkodzeń (jak). • Zajęcie się poszkodowanym i, w tym: - wyprowadzenie poza strefę zagrożeń (np. w przypadku pożaru), - kontrola oddechu, ewentualnie sztuczne oddychanie, - ułożenie poszkodowanego na boku (jeżeli samodzielnie oddycha), - założenie opaski uciskowej w przypadku silnego krwawienia, - uniesienia nóg do góry w przypadku osób w szoku.
2 6 Bezpieczna praca z urządzehiam i i systemami mechatronicznymi Tab. 1• C z y n n o ś c i
59
w y k o n y w a n e w ra m a c h p ie rw s z e j p o m o c y
.
Objaw
C zyn n o ści
Brak o d d e ch u / pulsu Nieprzytomność Slaby puls /s z o k Silne krwawienie Palenie się
Sztuczne oddychanie / masaż serca Stabilne ułożenie na boku Nogi do góry / uspokajanie Opaska uciskowa Gaszenie ognia kocem gaśniczym, w odą
2.6.3 Ochrona przeciwpożarowa I postępowanie w przypadku pożaru Pożar jest szczególnym zagrożeniem z pow odu m ożliwości szybkiego rozprzestrzeniania się na sąsied nie pomieszczenia i budynki. Groźba pożaru jest szczególnie duża przy pracach m ontażowych i urucha mianiu urządzeń. Powstawaniu pożaru sprzyja: • tlen zawarty w powietrzu, • ciepło, iskra, płomień, ■ materiał palny. Brak któregokolwiek z wym ienionych czynników elim inuje groźbę pożaru, ale stworzenie takich warunków podczas normalnej pracy jest raczej nierealne. Przyczyną (źródłem) pożaru może być: • przegrzane łożysko, • przeciążone łożysko, • nieostrożne obchodzenie się z materiałami palnymi (np. podczas spawania), • nieodpowiedzialne zachowanie się podczas pracy lub przerw (np. palenie lub gaszenie papierosa w miejscu zagrożonym wybuchem). Profilaktyczna ochrona przeciwpożarowa obejm uje m. in. minimalizację m ożliwości powstania i ewentual nych skutków pożaru poprzez: • wprowadzenie procesów technologicznych zm niejszających groźbę powstania pożaru, • wyznaczenie pilnujących przy robotach z otwartym płom ieniem (np. spawanie) lub wysoką temperaturą (np. cierne przecinanie), • wyposażenie zakładu w regularnie kontrolowany sprzęt przeciwpożarowy i zaznajomienie pracowników z jego obsługą i rozmieszczeniem, • opracowanie i zaznajomienie pracowników z instrukcją przeciwpożarową, instrukcją alarmowania i planem ewakuacji, • stosowanie i zaznajomienie pracowników ze znakami ochrony przeciwpożarowej (PN - 92/N - 01256/01) i znakami ewakuacyjnymi (PN - 92/N - 01256/02). Tab. 2. Gaśnice służące do gaszenia pożarów sprzętu mechatronicznego Postępowanie w razie pożaru • zachować spokój, • ocenić swoje m ożliwości i podjąć próbę uga szenia zarodka pożaru, • jeżeli nasze działania są mało skuteczne to opuścić pomieszczenie, zamknąć drzwi (ale nie na klucz), • zawiadomić straż pożarną (tel. alarm owy 998) podając: - co się pali, - gdzie się pali (adres, piętro, po mieszczenie), - czy są zagrożeni ludzie (orientacyjna liczba), - kto zawiadamia (nazwisko, numer telefonu zawiadamiającego). Słuchawkę należy odło żyć dopiero po potwierdzeniu przyjęcia po wiadomienia. • zawiadomić o pożarze przełożonego lub kie rownika zakładu.
Rodzaj i symbol gaśnicy
Pzeznaczona do gaszenia pożarow z grupy 1
Proszkowa GP
BC lub ABC oraz do gaszenia pożarów sprzętu pod napięciem do 1000V
Planowa GW
AB, nie wolno używać do gaszenia pożarów sprzętu znajdującego się pod napięciem
Śniegowa GS
BC oraz do gaszenia pożarow sprzętu znajdującego się pod napięciem
1Grupy pożarów: A - clala stale palne, żarzące się, B - substan cje ciekle, tworzące płomienie, C - substancje palne gazowe
2 6 Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami mechatronicznymi
2.6 Bezpieczna praca z urządzeniami i systemami mechatronicznymi
60
Do czasu przybycia straży pożarnej należy: • udzielić pom ocy zagrożonym ludziom, • prowadzić ewakuację wyznaczonym i trasami, w pierwszej kolejności osób starszych, niepełnosprawnych: i dzieci, • podczas przechodzenia przez miejsca zadym ione przyjąć pozycję m ocno pochyloną, • starać się, za pom ocą dostępnych środków, ograniczać rozprzestrzenianie się ognia, : • w trakcie gaszenia bez koniecznej potrzeby (np. ratowanie ludzi) nie otwierać okien, drzwi, • po wyprow adzeniu ludzi ratować cenne urządzenia, dokum enty itp. Do czasu przybycia straży pożarnej akcją kieruje przełożony lub osoba wykazująca najwięcej inicjały.| wy i opanowania.
2.6.4 Postępowanie z materiałami niebezpiecznymi Podczas m ontażu, uruchamiania, konserwacji maszyn i urządzeń m ożna zetknąć się z m ateriałami niebez-1 piecznymi. .{ Według przepisów za materiał niebezpieczny uważa się taki, który posiada przynajmniej jedną z poniższych cech: • • • • • • • • • •
może spow odow ać eksplozję (np. materiały wybuchowe), podtrzym uje i ułatwia pożar (np. tlen do spawania), łatwo i bardzo łatwo zapala się (np. rozpuszczalniki), jest trujący (np. lakiery, chemikalia), jest żrący, drażniący (np. kwasy, zasady), uszkadza piody i cechy dziedziczne (np. środki ochrony roślin lub zwalczające szkodniki), jest rakotwórczy (np. benzol, pyl drzewny), zatruwa środow isko (np. ołów, kadm, zużyty olej), szkodzi zdrowiu (np. rozpuszczalniki substancji klejących), pow oduje uczulenia (np. metanol, nikiel).
* uwzględnianie problem atyki bezpieczeństwa maszyn lub urządzeń już w fazie projektowania, , pchrona miejsc niebezpiecznych odpow iednim i środkami, , WySzczególnienie niebezpieczeństw w instruk cjach obsługi:
Symbol
11
bardzo trujący
Xn
X
; rozcieńczony
¿rodnia trujący
symbol niebezpieczeństwa
-i
skład materiału
objaśnienia typu R
uwagi o szczególnych niebezpieczeństwach: v szkodliwy dla zdrowia po wdychaniu lub połknięciu, Łatwopalny.
Bardzo szkodliwy dia zdrowia Trujący Bardzo trujący, mogący spowodować śmierć
Xi Xn
Szkodliwy dla zdrowia Drażniący Szkodliwy przez zawartość nitrozoamlny
C
Mato szkodliwy dla zdrowia Żrący, mogący powodować miejscowe oparzenia
grożący eksplozją
porady dla zachowania bezpieczeństwa: chronić przód dziećmi,'trzymać szczelnie ,••; zamknięty i daleko od źródeł światła i ognia. Nie palićl , Chronić przed zetknięciem oczy i dłonie. Chronić przed elektro statycznym naładowaniem.
■
O
wr,pom aga plom ion
M
tatwo zapalny
Cechy niebezpieczeństwa, dodatkowe określenie
T T+
E
zawiera: metanol, tolnal, butanol -
nazwisko, adres, leiefon, producenta^
Dodatkowe znaki
żrący
oznaczenie niebezpieczeństwa _
objaśnienia typu S
Przykłady niebezpieczeństw grożących ze strony m ateriałów roboczych z powodu ich składników i ewentu alne skutki oddziaływania na człowieka zestawiono w tab. 1.
Tab. 1. Niebezpieczne materiały
Celem tych zaleceń jest:
oznaczenie materiału / stan przygotowania^
61
Rozrywa sprzęt i powoduje uszkodzenia żywych tkanek Zagrożenie wybuchem Powoduje zapalenie palnych materiałów, podtrzymuje pożary Utleniający, utrudniający gaszenie
F F+
Gazy tworzące z powietrzem mieszaninę zapłonową; ciecze 0 temperaturze zapłonu <0° C 1temperaturze wrzenia < 35° C Łatwo zapalny Bardzo tatwo zapalny
N
Powoduje zagrożenie dla środowiska Niebezpieczny dla środowiska .
T45 T47
Materiały chorobotwórcze ; Wywołuje złośliwe nowotwory Uszkadza plód w czasie ciąży
T ?. R d ii
■
Producent
rakotw órczy
Tab. 1. Niebezpieczeństwa grożące ze strony materiałów roboczych Rodzaj
Składniki
O bjawy (skutki)
Farby Lakiery Olej hydrauliczny Materiały izolacyjne Kleje Rozpuszczalniki Chłodziwo .
Utrudnione oddychanie Ból głowy, alergia Rakotwórcze, alergia Rakotwórcze Utrudnione oddychanie, ból gtowy, alergie Szkodzi na wątrobę i nerki Alergie
t i i ; 1
Rys. 1. Oznakowanie niebezpiecznych materiałów (przykład) I. ' ¡ i VI 1j i j f f '
ł ,
■_
[U li
'r u r
V/trakcie ciąży uszkadza piótf
,
* 1
1. Wymień główne zagrożenia związane z pracą z urządzeniami l systemami mechatronicznymi. 2. Podaj przedsięwzięcia usuwające gtówne zagrożenia. 3. Na czym polega postępowanie powypadkowe? 4. Opisz czynności wykonywane w ramach pierwszej pomocy.
M ateriały niebezpieczne muszą być porządnie zapakowane, a na opakowaniu muszą być dokładnie podane’ dane odnośnie: zawartości, producenta, rodzaju zagrożenia i zalecenia ochronne (rys. 1 i tab. 1 na następnej’: stronie). Dodatkowo musi być dołączony arkusz inform acyjny o danym niebezpiecznym materiale. i
2 6 5 Wytyczne UE dla zapewnienia bezpiecznej pracy urządzeń i systemów
5. Co może być przyczyną pożaru w przypadku pracy z urządzeniami mechatronicznymi? 6. Co należy do podstawowych przedsięwzięć przeciwpożarowych? 7. Na czym polega postępowanie w czasie pożaru? 8. Jakie cechy charakteryzują materiały niebezpieczne? 9. Od kiedy obowiązują w Polsce jednolite z Unią Europejską przepisy odnośnie budowy i eksploatacji maszyn? 10. Wymień pracowników szczególnie narażonych na wypadki. 11. Jakie mogą być działania pracownika zmniejszające zagrożenia?
Od 1.01.1995 r. w UE (od 1.05.2004 r. w Polsce) obowiązują jednolite przepisy dotyczące budow y i eksplo atacji maszyn. Producent zespołów, maszyn i urządzeń, umieszczając na swoim wyrobie znak CE, zaświad-t cza, że spełnia on w ym ogi BHP zawarte w przepisach UE.
*
T r i " ”-
12. Czy nieprzestrzeganie przepisów BHP jest karalne? 13. Podaj przykłady materiałów niebezpiecznych. 14. Wymień przykładowe objawy (skutki) u człowieka po styczności z materiałem niebezpiecznym.
63
3 i W prowadzenie do elektrotechniki
a i1 .2
5 O b w é d ^ e lé k ti^ C z n e
3.1 Wprowadzenie cło elektrotechniki Elektrotechnika jest nauką opisującą fizyczne i techniczne problem y związane z przem ieszczaniem s| ładunków elektrycznych, a więc z przepływem prądu elektrycznego. Dokładna znajom ość zjawisk fizycy nych i ich skutków jest niezbędna dla wielu dziedzin, m iędzy innymi elektroniki, techniki półprzewodnikowe! radiotechniki, elektroniki kwantowej, elektrom edycyny, m iernictwa elektrycznego ftp. W celu omówienia podstaw analizy obw odów elektrycznych oraz budow y i zasad działania maszyn i urząj; dzeń elektrycznych najwygodniejsze jest ujęcie zjawisk elektrycznych w sposób m akroskopowy. Oznacz^ ono rozpatrywanie skutków przemieszczania się ładunków elektrycznych, będących w ielokrotnością tadurif ku elementarnego, jakim cechuje się pojedynczy elektron. Wartość tego ładunku wynosi 1,6 02 1 8 9 -10-19C. Przestrzeń, w której zachodzi oddziaływanie sił na umieszczone w niej ładunki elektryczne, nazywa się! polem elektrom agnetycznym . Siła oddziaływania pola elektrom agnetycznego na ładunki elektrycznej ma dwie składowe: siłę związaną z polem elektrycznym oraz siłę związaną z polem magnetycznym. a Składowa związana z polem elektrycznym działa na ładunki elektryczne niezależnie od tego, czy są onj w ruchu, czy pozostają w spoczynku. f
i
Składowa związana z polem m agnetycznym oddziałuje na ładunki będące w ruchu.
3.1.1 Podstawowe wielkości elektryczne i ich jednośtk Znajom ość podstawowych term inów z zakresu fizyki bardzo ułatwia zrozumienie pojęć i praw dotyczących elektrotechniki. Na każde ciało można działać silą w sposób bezpośredni albo z pewnej odległości, np. dzlaj lanie sil przyciągania ziem skiego na satelity krążące wokół Ziemi. Ciała przyciągają się wzajemnie, a silą: przyciągania zależy od masy ciał i od odległości m iędzy nimi. Jeżeli ma miejsce takie działanie sit na odlej głość, mówimy, że jego przyczyną jest pole, ogólnie pole siłowe. W pobliżu ładunków elektrycznych występuje pole elektryczne. W pobliżu m agnesów działa pole m agne| tyczne. Szybko zm ieniające się pola elektryczne i magnetyczne są ze sobą powiązane, nierozdzielneJ tworząc pole elektrom agnetyczne. W tab. 1. podano zestawienie ważniejszych wielkości opisujących pola elektryczne i magnetyczne. Tab.1. Zestawienie ważniejszych wielkości opisujących pole elektryczne i pole magnetyczne Wielkość Natężenie pola elektrycznego Przenikalność elektryczna Indukcja elektryczna Ładunek elektryczny Natężenie prądu Gęstość prądu Napięcie elektryczne Potencjał elektryczny Siła elektromotoryczna Energia Moc elektryczna Natężenie pola magnetycznego Przenikalność magnetyczna Indukcja magnetyczna Strumień magnetyczny
Oznaczenie V/m F/m C/m2 Q. o JJ_ A/m2 U, u E, e W W A/m H/m T. Wb/m2 Wb
/
Jednostka wolt na metr Jarać/ na metr.. kulomb na metr kwadratowy kulomb -ampetL. amper na metr kwadratowy wolt wolt wolt dżul wat amper na metr J w nrna metr. tesla lub weber na metr kwadratowy : weber .
Ł a d u n e k e le k tr y c z n y
W normalnym stanie każde ciało je st elektrycznie obojętne. Stan ten można zmienić przez pocieranie ciała. Między prętami z materiałów izolacyjnych, np. ebonitu, szkła akrylow ego, polistyrenu, potartym i wełnianą szmatką występują siły odpychania (rys. 1) lub przyciągania (rys. 2). Sity te pow odow ane są obecnością ładunków elektrycznych. Ładunki jednakowe (jednoimienne) odpychają się, a ładunki różne (różnoimienne) przyciągają się. Rys. 1. Odpychania się ładunków jednolmlennych Ładunek na pręcie ze szkła akrylowego nazywamy ładunkiem d o d atn im (plus), a ła d u n ek na p ręcie z polistyrenu a lb o e b onitu nazyw am y ła d u n kie m ujemnym (minus). Ładunki oddzialyw ują na siebie wzajemnie sitami. Stan naładow ania m ożna w ytłu maczyć budową materiałów. Jeśli jądro atomowe zawiera tyłe samo protonów, ile elektronów krąży d o o koła niego, to atom jest elektrycznie obojętny (rys. 3). Z zewnątrz nie stwier dzamy obecności ładunku. Jeżeli je d n a k doo koła jądra krąży większa lub mniejsza liczba elektronów niż liczba protonów w jądrze, atom jest w pierwszym przypadku naładowany ujemnie, a w drugim dodat nio - nazywamy go wtedy jonem 1. Ruch ładunków e le ktryczn ych je s t zjaw iskiem związanym z u p ły w e m c z a s u . In te n s y w n o ś ć zmian ładunku elektrycznego określana jest jako natężenie prądu elektrycznego. Jednostką ładunku elektrycznego, jako zależnego od natężenia prądu elektrycznego I od czasu, jest amperosekunda (As), której nazwą szczególną jest kulomb2 (C). Każdy elektron naładow any jest ujemnie, a każdy proton dodatnio. Każdy z nich posiada najmniejszy możliwy ładunek, tak zwany ładunek elementarny. Ładunek elementary elektronu w ynosi -0 ,1 6 0 2 aC (attokulomba3), zaś protonu +0,1602 aC.
3.1.3 Napięcie elektryczne Pomiędzy ładunkami różnoim iennym i występują siły przyciągania. Jeśli ładunki różnoim ienne mają być od siebie odsunięte, trzeba wykonać pracę przeciwko siłom przyciągania. Praca ta zostanie zmagazynowana w ładunkach jako energia. Napięcie elektryczne jest to więc praca w łożona w rozdzielenie ładunków, odniesiona do ich wielkości. Między ładunkami powstaje napięcie. ' gr. /on - wędrujący;
7 Charles Augustin d e Culom b (1736-1806) - francuski fizyk; 3 d uń. atto oznacza 1 0 '1a danej jedn o stki, a w ię c 1aC = 10 ,aC
3.1 Wprowadzenie do elektroteohni
64 Rozdzielenie ładunków bez nakładu pracy nie jest moż liwe. Im większe jest wytworzone napięcie, tym silniej sza jest skłonność ładunków do neutralizacji (rys. 1). Napięcie elektryczne (sym bol U) m ierzy się w o lto mierzem (rys. 2). W celu pomiaru napięcia przyłącza się woltomierz do zacisków źródła lub odbiornika. Jednostką napięcia jest w o /f1(V), [l/]= V .
napięcie niskie
:
napięcie wysokie
Takie źródło napięcia nazywamy term oelem entem 1. Termoelementy są używane jako czujniki do pom ia ru temperatury.
.1'O 1O O1
Wytworzenie napięcia pod wpływem światła
napięcie zerowe -O Q Q -
Rys. 1. Napięcie przy przesuwaniu ładunków N apięcie w zględem pew nego punktu odniesienia nazywamy potencjałem. Napięcie m ożna przedsta wić jako różnicę dw óch potencjałów. W źródle napięcia napięcie występuje m iędzy dw o ma zaciskami (biegunam i). Urządzenia, które mają dwa zaciski, nazywa się dwójnikami.
M -M As
i v C
U - napięcie
M
' W - praca
3 1 Wprowadzenie do elektrotechniki
JUL o
O - ładunek
Ź ró d ło n a p ię cia ma bie g u n d o d a tn i ( + ) i biegun ujemny (-). Na biegunie dodatnim występuje niedo b ó r elektronów , a na bie g u nie ujem nym nadm iar elektronów.
pomiędzy płytą podstaw ow ą I pierścieniem styko wym fotoelementu2 pod wpływem światła pojawia się mata wartość napięcia (rys. 1). Płyta podstawo wa jest przy tym biegunem dodatnim , a pierścień ujemnym. Fotoelementy są używane jako źródła na pięcia, np. w kalkulatorach, zegarkach, sztucznych satelitach, różnego typu bateriach słonecznych. Foto elementy są także wykorzystywane w wielu dziedzi nach techniki pomiarowej.
65
I U
pierścień stykowy
metalówa podstawa
0 Y
podkład . ’ 3 ■V i selen___^ \ jiv.-
warstwa zaporowa
Rys. 1. Wytworzenie napięcia przy pomocy światła
W ytworzenie napięcia w skutek działan ia chemicznego
Pomiędzy płytkam i w ykonanym i z różnych m etali i zanurzonymi w cieczy przewodzącej powstaje na pięcie stale. Płytki i ciecz przewodząca tworzą ogni wo elektrochemiczne. Typowym przykładem zasila jącego ogniwa elektrochem icznego jest akumulator samochodowy.
O dróżniam y napięcie stałe, zm ienne lub prze mienne w czasie. .
Wytworzenie napięcia przez deformację kryształów
3.1.3.1 Wytwarzanie napięcia elektrycznego Rys. 2. Pomiar napięcia Powstanie napięcia, czyli rozdzielenie ładunków różn o im ie n n ych, m oże być p o w o d ow an e uży ciem różnych postaci energii, np. energii m agne tycznej, cieplnej, chem icznej lub promienistej. Wytworzenie napięcia przez indukcję W ykorzystanie energii pola m agnetycznego to w y tw orzenie napięcia przez indukcję m agnetyczną. Przy przesuwaniu m agnesu, tam i z powrotem , we w n ą trz z w o jn ic y p o w s ta je n a p ię c ie p rze m ie n n e (rys. 3). W ytw orzenie n apięcia przy p o m o cy m a gnesu nazywamy indukcją2. Ten sposób wytworze nia napięcia stosuje się w generatorach wirujących. Jest to najważniejszy sposób wytworzenia napięcia.
cewka tzrz^>
W < r-
Rys. 3. Wytworzenie napięcia przez Indukcję magnetyczną
Jeżeli kryształ piezoelektryczny3 poddany zosta nie naciskom, to wewnątrz kryształu następuje prze mieszczenie ładunku elektrycznego. W skutek tego działania na je g o w ła ś c iw y c h p o w ie rz c h n ia c h (okładkach przew odzących) p o w stanie napięcie. Zależy ono od sity i kierunku nacisku. Przy naprze miennym naciskaniu i ściskaniu powstaje napięcie przemienne. Zjawisko powstania napięcia nosi na zwę efektu piezoelektrycznego prostego. Zjawisko piezoelektryczne o d w ro tn e to zm iana w ym ia ró w materiału piezoelektrycznego pod wpływem przyło żonego napięcia. Wytworzenie napięcia przez pocieranie izolatorów Przy pocieraniu materiałów izolacyjnych m ogą powstać ładunki elektryczne o różnych znakach. Napięcie przy pocieraniu występuje wbrew naszej woli, np. przez elektrostatyczne ładowanie się pojazdów, folii, tka nin z tworzyw sztucznych, plastykowych pasków napędowych. Ładunki elektrostatyczne można usunąć, np. uziemiając metalowe obudow y urządzeń.
■3.2 Rodzaje napięcia elektrycznego Wytworzenie napięcia pod wpływem ciepła Pojęcia rodzajów napięcia elektrycznego bardzo silnie związane jest z rodzajami prądów elektrycznych.
Jeżeli dwa przew ody w ykonane z dw óch różnych m etali p o łą czy się na je d n ym końcu i będzie się og rze w a ć m ie jsce połączenia, to na ich w olnych k o ń c a c h p o ja w i się n a p ię c ie rzę d u m iliw o ltó w (rys. 4). Na w olnych końcach pojaw i się napięcie stale wtedy, gdy tylko w ystąpi różnica tem peratur pom iędzy m iejscem połączenia i wolnym i końcami.
' A leksandro Volta {1 7 45 -1 82 7 ) - w io ski fizyk; 2 fac. in d u c c e re = w p ro w a dza ć
miedź Siła elektromotoryczna stanowi w obwodzie elektrycznym wymuszenie napięciowe. Przebieg prądu uzależnio ny jest od przebiegu napięcia. Napięcie jest przyczyną a prąd skutkiem. Powstały wskutek wymuszenia napię ciowego (siły elektromotorycznej) prąd przepływając przez elementy bierne tworzy na nich spadki napięcia (prawo Ohma4). W elektrotechnice przyjęto nazwy rodzajów napięcia elektrycznego zależne od stówa „PRĄD", tzn. zarówno w stosunku do napięć, jak i do prądów używa się określeń DC, AC, UC5 (rys. 2). Rys. 4. Wytworzenie napięcia przy pomocy ciepła
«• 'fit
' gr. lita m o s = cie p ło ; 2 lo to o d gr. p /ro s = św iatło, ja sno ść; 3 p ie z o o d groo, p io s o ln - naciska ć; 4 G eo rg S im on O hm (17 07 -1 05 4 ) - fizyk niemiecki; J o d a ng , D ire c t C urrent = p rą d stafy, A lterna tive C u rre n t - p rą d p rze m ie nn y, Universai C u rre n t = p rą d zm ien ny
.
66
3.1 Wprowadzenie do elektrotechniki
W elektrotechnice rozróżniamy poniżej przedstawione rodzaje napięć i prądów: napięcie i prąd staty - stały kierunek prądu zależny od kierunku wymuszenia; oznaczeniem tego rodząju prądu i napięcia są litery DC, napięcie i prąd przem ienny - kie run e k p rzepływ u p rą d u zm ienia się w czasie a w a rto ść ś re d n ia j - całookresowa równa się zero; oznaczeniem prądu i napięcia przem iennego są litery. AC, . ; napięcie i prąd zm ienny - stały kierunek prądu, zm ienna w czasie w a rto ść liczbow a lub zm ienny - kierunek prądu przy je g o stałej b ą d ź zm ie nn e j w a rto ści liczb o w e j; ozn a czen ie m prądu i napięcia|3 zm iennego są litery UC.
3.1.4 Prąd elektryczny Obecność napięcia w ywołuje przepływ prądu elek trycznego. Prąd elektryczny m oże płynąć tylko w obwodzie zamkniętym. Obwód elektryczny składa się ze źródła, odbiornika i przewodów łączących źródło z odbiornikiem (rys. 1). Obwód m ożna przerywać (otwierać) lub łączyć (za mykać) za pom ocą łącznika. Metale zawierają elektrony, które m ogą swobodnie przemieszczać się wewnątrz materiału. Nazywa się je elektronami wolnymi (swobodnymi). Poruszają się one w kie ru n ku od m ie jsca z na d m ia re m do miejsca z niedomiarem elektronów. Ukierunkowany ruch elektronów nazywa się prądem elektrycznym . W dobrych przewodnikach, np. miedzi lub srebrze, występuje prawie tyle samo wolnych elektronów, co elektronów krążących wewnątrz atomów. W źródle napięcia w ystępuje siła działająca na w ol ne elektrony, która po zamknięciu obw odu rozprze strzenia się niemal z prędkością światła. Natomiast e le ktro n y w p rze w o d n iku p oruszają się z bardzo małą prędkością (zaledwie kilku mm/s). Ruch utrud niają atom y przewodnika, które stanowią przeszko dy na drodze elektronów. ; Za techniczny kierunek przepływu prądu (rys. 2) i przyjm uje się kierunek przem ieszczania się jo nów dodatnich w cieczach (przeciwny do kierun:■ ku ruchu elektronów). Prąd elektryczny (symbol /) m ierzy się am perom ie rzem (rys. 3). Jednostką natężenia prądu elektrycz nego jest am peń (A). W c e lu p o m ia ru n a tę ż e n ia p rą d u a m p e ro m ie rz należy w łączyć szeregow o do obw o d u e le ktrycz nego.
' A nd re M aria A m p bre (1 7 75 -1 83 6 ) - fra ncu ski lizyk l m a tem atyk
iiliim iE ;
*v.’
3 1 Wprowadzenie do elektrotechniki
67
Pole elektryczne W układzie doświadczalnym złożonym z dw óch na ładowanych płyt i styropianowej kulki m ożna wyka zać, że ładunki elektryczne oddziaływują na siebie silą F (rys. 1). Ciała o zgodnej polaryzacji odpycha ją się, a ciała o polaryzacji przeciwnej przyciągają się. Zatem pomiędzy tym i ciałami działa pole siłowe. . -jo jeSt właśnie pole elektryczne. Każde napięcie elektryczne wytwarza pole elek tryczne.
Ogólnie: p
£ F 0 U 1
-
F 0
W polu jednorodnym: F
U
[£] = V/m
natężenie pola elektrycznego siła działająca na ładunek ładunek napięcie między ładunkami odległość między ładunkami
Na rys. 2 przedstaw iono w ynik eksperym entu. Dwie metalowe płytki um ieszczone obok siebie naładowano wysokim napięciem tak, żeby miały ładunki o przeciwnej polaryzacji. Rozsypane wtókienka z tworzyw sztucznych układają się zgod nie z kierunkami działających na nie sit, tak żę powstaje wrażenie linii pola elektrycznego. Linie pola stanowią w rzeczywistości użyteczny model pola elektrycznego. Pole elektryczne działa także pomiędzy tymi liniami. Kierunki linii pola są z g o d ne z kierunkami sil działających na dodatni ładu nek punktowy umieszczony w polu elektrycznym. Linie pola elektrycznego biegną od ciała nałado wanego dodatnio do ciała naładowanego ujemnid. Zaczynają i kończą się prostopadle do po wierzchni tych ciał. Pole elektryczne między dwiema równoległymi elek trodami jest polem jednorodnym (rys. 2). We wszyst kich punktach pola je d n orodnego natężenie pola jest jednakowe) Natężenie pola jest tym większe, im większe jest napięcie pomiędzy ładunkami i im mniej sza jest odległość m iędzy nimi. Sita działająca na ła d u n ek zn a jd u ją cy się w polu elektrycznym jest tym większa, im większe jest natę żenie pola oraz im większy jest ładunek. Działanie sil pola wykorzystuje się np. do odchylania strumienia elektronów w lampach oscyloskopow ych, w filtrach elektroakustycznych i urządzeniach lakierniczych. Całkowitą liczbę linii pola wychodzącego z elektrod nazywamy strumieniem elektrycznym (symbol i/;). Strumień przypadający na jednostkę powierzchni to gęstość strumienia (symbol D). Strumień elektrycz ny i ładunek elektryczny mają taką samą jednostkę. Dlatego też przy obliczaniu gęstości strum ienia ich symbole można używać zamiennie. indukcja elektrostatyczna Jeżeli w pole elektryczne wprow adzim y przewodnik, to pod wpływem pola wolne elektrony w tym prze-
D = ę/S D= D ę Q S D0 i-0 E -
Q_ S
D0- t ; 0 • E [O] = As/m2 = C/m2
gęstość strumienia elektrycznego strumień elektryczny (psi) ładunek elektryczny naładowana powierzchnia gęstość strumienia elektrycznego w próżni przenikalność elektryczna próżni, ¿0=8,85 pC/(Vm) natężenie pola elektrycznego
68
3.1 Wprowadzenie do elektrotechnik
w o d n ik u b ędą się p rze m ie szcza ły p rze ciw nie do kierunku pola. Na brzegach przewodnika powstają tadunki ujem ny i dodatni, m iędzy którym i występuje pole. O bydw a pola są je d n a kow o silne, lecz m ają przeciwne zwroty. Wewnątrz przewodnika ich działa nia znoszą się (rys. 1).
• pole magnetyczne oddziałuje na ładunek elek tryczny będący w ruchu, • pole m agnetyczne jest polem bezżródlowym (w przeciwieństwie do pola elektrycznego nie istnieją ładunki magnetyczne, na których zaczy nałyby się i kończyły linie pola magnetycznego), • podstawową przyczyną powstania i istnienia pola m agnetycznego jest ruch ładunków elek trycznych (przepływ prądu elektrycznego). Na rys. 1 pokazano położenie linii sil pola m a gnetycznego wytworzonego przez prąd prze pływający przez cewkę.
Rys. 1. Indukcja elektrostatyczna
3.1 ,|6 Pole magnetyczne
G dy nad m agnesem sztabkow ym um ieścim y płytę szklaną, na której będą ustawione małe igły m agne tyczne zam ocowane obrotow o, to siły działające na igły pow odują ustawienie ich w określonym porząd ku. Jeżeli w w yobraźni przeprow adzim y linie prze chodzące przez końce ustawionych igiełek, to będą to tzw. linie pola magnetycznego (rys. 2). Linie po la m agnetycznego są modelem , który pom aga nam wyobrazić sobie poie magnetyczne, podobnie jak li nie pola elektrycznego wyobrażają pole elektryczne. Należy jednak pam iętać, że pom iędzy liniam i pole istnieje tak samo, ja k w miejscu przebiegu linii. W o kół każdego m agnesu w ystępuje pole m agnetycz ne. Jeżeli na p ły tę 's z k la n ą um ieszczoną nad m a gnesem s zta b ko w ym ro zsyp ie m y o p iłk i żelazne, ułożą się one w zdłuż linii biegnących od je d n e go d o drugiego bieguna m agnesu (rys. 3).
3 .1 .6.1
¿y /? 03T / S ' 0 0 ł 0 /* X X X /*
'sk.
/S '
■ o
•o
0 X X
0
'ifc.
Tk.
X X 0 0 -o
31—
-O 0
/r
X
/ f
J-Z-
0
0
0
-o
-o
X X 0 0 0 0 4T
Rys. 2. Wykrywanie pola magnetycznego
i
ce w ka
¡ tlf.! ix \ . : iin ie sil p o la ; m a g n e ty c z n e g o
Rys. 1. Linie sił pola magnetycznego wytworzonego przez prąd przepływający w cewce
Wielkości charakteryzujące pole magnetyczne
Przyczyną powstania i istnienia pola m agnetyczne go jest przepływ prądu elektrycznego. W konstrukcji cewki pokazanej na rys. 2 uzwojenie składające się z N zwojów drutu nawinięto równolegle na karkasie w kszlalcie walca. W ielkością wzbudzającą pow sta nie pola magnetycznego jest tzw. siła magnetomotoryczna 9 (theta), będąca iloczynem liczby zwojów N I prądu I płynącego przez to uzwojenie 0 = IN , [ 0 ] = A. Siła magnetomotoryczna, zgodnie z prawem Ampera dla obwodu magnetycznego pokazanego na rys. 3, powiązana jest z natężeniem pola m agnetycznego zależnością [H ]= £ , gdzie lm jest średnią drogą m agnetyczną (rys. 4). W każdym punkcie przestrzeni pole m agnetyczne można określić, p o d a ją c w a rto ść natężenia pola magnetycznego H i wartość indukcji m agnetycznej
W polu m agnetycznym opiłki stają się nam agneso wane i ustawiają się zgodnie z kierunkiem sit, które na nie działają. Ustawiają się one w zdłuż linii pola m agnetycznego. Linie pola m ag n e tyczn e g o prze biegają na zewnątrz m agnesu od bieguna północ nego do p o łu d niow e g o , a w ew nątrz m agnesu od po łu d n io w e g o do p ó łn o cne g o . Są one liniam i za mkniętymi. Gęstość linii poła jest miarą działających w nim sił m agnetycznych. Jeżeli linie pola leżą blisko siebie, to w polu tym działają duże sity m agnetyczne. Po między biegunam i niejednoim iennym i, leżącymi do statecznie blisko siebie, linie pola przebiegają rów nolegle i w jednakow ych odstępach od siebie. Takie pole nazywa się jednorodnym (rys. 4).
69
W łaściwości pola magnetycznego:
Przemieszczanie się ładunku w przewodniku pod wpływ em pola elektrycznego nazywam y induk cją elektrostatyczną.
Przestrzeń, w której daje się zauważyć oddziały wanie siłowe m agnesu trw ałego lub elektrom a gnesu na różne materiały, nazywam y polem m a gnetycznym .
3 1 wprowadzenie do elektrotechniki
B = fiH,
[8 ] = Vs / m2 = T (fes/a1),
przy czym w spółczynnik /t określa właściwości ma gnetyczne ośrodka, w którym występuje opisywane pole magnetyczne i nosi nazwę przenikalności ma gnetycznej.
Rys. 4. Pole magnetyczne magnesu o kształcie podkowy
W łaściwości m agnetyczne o śro d kó w m aterial nych okreśia się zwykle w odniesieniu do w łaści wości m agnetycznych próżni. Podaje się wartość przenikalności względnej ur tego ośrodka (licz ba nie mianowana) odniesionej do przenikalno ści magnetycznej próżni ¡«0. Stąd przenikalność magnetyczna ośrodka jest równa f l - I I ,11 oNikola Tesla (1856-1943) - pochodzący z Chorwacji inżynier amerykański
Ul
I 3.1 Wprowadzenie do
70
.
-
.
.z m
|i
3 1 wprowadzenie do elektrotechniki______________________________________________________________
Ii
71
Przenikalność m agnetyczna próżni jest stata i ma wartość /i0 = 4 re 10'7 H/m (h e n r1 na metr), gdzie
i■
H = £2 s (henr = ohm razy sekunda).
'!' >,
w natli histerezy poszczególne odcinki noszą nazwy: OA - krzywa pierwotnego magnesowania, BC - krzyodmagnesowania, po przekroczeniu punktów A i D - nasycenie. Dodatkowo, na pętli histerezy wyróżnia^ dwa charakterystyczne punkty: punkt oznaczony jako B nosi nazwę remanencji lub pozostałości mag n e t y c z n e j , punkt oznaczony jako C nosi nazwę natężenia powściągającego lub siły koercji.
i: ' ■
Wartość siły koercji jest podstawą podziału materiałów na m agnetycznie miękkie - mata wartość siły koercji . Magnetycznie twarde - duża wartość siły koercji (rys. 3 na poprzedniej stronie).
Fizycznie indukcja magnetyczna B obrazuje gęstość linii sil pola magnetycznego na jednostkę powierzchni. W ielkością określającą liczbę Unii sil pola m agne tycznego w całym przekroju poprzecznym rozpatry wanego ośrodka magnetycznego jest strumień ma gnetyczny
8® ®
if f B - 1'
N
Rys. 1. M a g n e s y m o leku larn e nieu p o rząd ko w an e I u p o rzą d ko w an e
I: !i
Materiały magnetycznie twarde (stopy alnico, alnisi i inne rodzaje ferrytów) nie ulegają łatwo przemagnesowaniu i używane są do wyrobu m agnesów trwałych.
II
M a g n e s a m i trwałymi nazywamy takie magnesy, które trwale zachowują swoje pole. Znajdują one zastosowanie do wylwarzania sil mechanicznych, do przemiany energii mechanicznej w energię elektryczną oraz energii elektrycznej w mechaniczną. Magnesy trwale znajdują zastosowanie w małych generatorach, silnikach, miernikach wychylowych, głośnikach, mikrofonach i czujnikach przemieszczenia liniowego i kątowego. Produkuje się magnesy trwale o kształtach zależnych od przeznaczenia tych magnesów.
3.1.6.2 Materiały magnetyczne
A
W szystkie m ateriały poddaw ane działaniu pola m agnetycznego m ożna ze względu na w artość przenikalności m agnetycznej względnej podzielić : na trzy grupy: diamagnetyki, paramagnetykl, ferromagnetykl,
< 1, > 1, pr s> 1.
Materiały diam agnetyczne to takie, w których w i doczne jest zjawisko diam agnetyzm u. Zjaw isko to, uzależnione od budow y atom owej m ateriału, pow o duje skuteczne przeciwdziałanie m agnesowaniu, Do materiałów diam agnetycznych należą m iędzy innymi woda, miedź, cynk, srebro, złoto, ołów. M ateriały paramagnetyczne to takie, w których nie jest możliwe pełne uporządkowanie m agnesów m o lekularnych (rys. 1). U porządkowanie to, nie osią gające nasycenia, wystarczające jest do przesłonię cia występującego we wszystkich m ateriałach zjawi ska diam agnetyzm u. Do p a ra m a g ne tykó w należą m iędzy innymi: alum inium , platyna, wolfram , cyna, mangan.
^' i' '
nasycenie
indukcja magnetyczna B
H c
0 /F sifa / n r*“ / koercji - £ ------- ' / E
natężenie pola m agnetycznego
n/|ateriaiy magnetycznie miękkie (stal krzemowa, permaloj, niektóre ferryty) mają wąską pętlę histerezy, użyWane są do budow y rdzeni maszyn elektrycznych i transformatorów.
I’ Ij
= B S, [>] = Vs = Wb (w e b e r2), gdzie S - pole powierzchni przekroju obejm ującego wszystkie linie sil w zbudzonego w magnetowodzie pola m agnetycznego.
.
;• ! i
^nasycenie
3 .1 .6.3
Obwody magnetyczne
Obwodem magnetycznym (magnetowodem) nazywa się przestrzeń lub ośrodek, w których występuje pole magnetyczne. Podobnie jak w przypadku obw odów elektrycznych obliczenie obw odów m agnetycznych po lega na rozwiązaniu jednego z dwóch problemów: 1. Dane jest wymuszenie: natężenie prądu /, liczba zwojów N uzwojenia wzbudzającego i parametry magnetowodu (rodzaj materiału, wym iary geometryczne) a szukana jest odpowiedź obwodu na to wym u szenie: strumień 0 lub indukcja magnetyczna B. 2. Znana jest odpowiedź obwodu a poszukuje się parametrów wymuszenia lub parametrów magnetowodu magnetycznego.
R ys. 2 . Pętla h lsterezy
,S :
B
Rolę wymuszenia w obwodach m agnetycznych pełni przepływ 0 . W przypadku pojedynczego uzwojenia z prądem jest on równy iloczynowi natężenia prądu I oraz liczby zwojów N uzwojenia wzbudzającego
i ■I / J J Hc
h
-■!] J
hł
Hc
R ys. 3 . Pętle hlsterezy m ateriałó w m agnetycznych tw ard y ch (p o lew ej) I m ateriału m agnetycznego m ię kkie g o (p o praw ej)
0 =1N.
Jednostką przepływu jest amper [Aj. Przepływ jest odpow iednikiem sity elektrom otorycznej w obwodach elektrycznych i dzięki tej analogii nosi nazwę siły magnetomotorycznej. W każdym obwodzie magnetycznym lub w jego fragm encie (oczku) przepływ albo suma przepływów jest równa sumie spadków napięć m agnetycznych U,„ na poszczególnych odcinkach m agnetowodów. Prawo to, będące odpow iednikiem napięciow ego prawa Kirchhoffa dla obw odów elektrycznych nosi nazwę prawa przepływu albo prawa Am pera i jest zapisane w postaci 0 =
H2/2+ H3la+ ... = Un,i+ U m2+Um3+...,
M ateriały ferromagnetyczne to takie, w których dom inującym zjawiskiem jest ferromagnetyzm, czyli możli w ość pełnego uporządkowania m agnesów m olekularnych, nawet w słabych zewnętrznych polach magne tycznych (rys. 1).
gdzie lh l2, /3... są długościam i odcinków magnetowodów, w których w ystępują natężenia pól m agnetycz nych H u H2, H3 ... Jednostką spadku napięcia m agnetycznego jest amper [A], a jednostką natężenia pola magnetycznego amper na metr [A/m].
W łaściwości ferrom agnetyków opisuje się, podając ich charakterystykę magnesowania, tzw. pętlę histerezy (rys. 2), czyli zależność indukcji magnetycznej B od natężenia pola magnetycznego H, przy zmianie wartości H od 0 do HmBX i od + H mm przez - H max ponow nie do + H mm.
Odpowiedzią obwodu m agnetycznego na działające wymuszenie jest strumień magnetyczny - odpow ied nik prądu w obwodzie elektrycznym. Wartość strumienia m agnetycznego 0 można obliczyć z zależności bę dącej odpowiednikiem prawa Ohma
5J o s o p h H enry {1797-1078) - amerykański fizyk; 2 W ilhelm E dm un d W eber {1804-1891) - niemiecki fizyk
Q = 0 R „„
72
3.1 Wprowadzenie do elektrotechniki
gdzie Rm oznacza reluktancję magnetowodu. Cał kowitą reluktancję m agnetowodu oblicza się sum u jąc w artości reluktancji poszczególnych odcinków magnetowodu, na których występuje ten sam mate riał magnetyczny charakteryzowany przenikalnością m agnetyczną p i jednakow y przekrój poprzeczny S. Reluktancję m agnetyczną określa zależność
Sr
R” = i s ' gdzie: S - przekrój poprzeczny odcinka m agneto w odu, p - przenikalność tego odcinka m agnetowo du, / - długość drogi magnetycznej (rys. 1).
Ma przewód z prądem umieszczony w polu m agne tycznym działa siła F. Jej kierunek działania jest pro stopadły do kierunku przepływ u prądu i kierunku pola magnetycznego. Sita wypycha przewód z pola magnetycznego (rys. 1). Siła ta nazywa się silą Lo rentza1 i jest tym większa, im większe są gęstość li nii pola magnetycznego (indukcja m agnetyczna), ła dunek i prędkość poruszania się ładunku.
F = 0 - v -B
Dla magnetowodu rozgałęzionego (rys. 2), w któ rym istnieją d w ie lu b wiele dróg przepływu strum ie nia m a g n e tyczn e g o sp e łn io n e je s t m ag n e tyczn e prawo G aussa1. Stanowi ono odp ow ie dn ik prądo■wego prawa Kirchhoffa dla obw odów elektrycznych.
Q = l- t
m
^
____
0
l
+
/ Ą
B
a
w
S
d
r
i l i ,
>j>
Rys. 1. O d ch ylen ie p rzew o d u p rąd e m w polu m agnetycznym
dia jednego przewodu F = B11 dla wielu przewodów F = B i l N F
O bw ody m agnetyczne m ożna podzielić na jedno rodne (zawierające tylko jeden ośrodek) i niejedno rodne (zawierające dwa łub więcej ośrodków). Przy kładem m agnetow odu niejednorodnego może być rdzeń ferrom agnetyczny wykonany z różnych mate riałów albo rdzeń ze szczelina powietrzną. W ystępo wanie strumienia rozproszenia w obszarze tej szcze liny m ożna uw zg lę d n ić p rzyjm u ją c nieco w iększą w artość przekroju poprzecznego Sp m agnetowodu w o b sza rze s z c z e lin y niż w a rto ś ć p rz e k ro ju p o przecznego Sr sąsiadującego z nią rdzenia
73
3 1 Wprowadzenie do elektrotechniki
0 V R ys. 1. O b w ó d m ag n e tyc zn y n łero zg ałęzlo n y z e szcze- i liną po w ietrzn ą I je g o sc h e m a t zas tę p c z y
Sp = k S r . W spółczynnik proporcjonalności k przyjm uje warto ści z przedziału 1,05-1,2. Jeżeli uwzględnić, że strumień magnetyczny w rdze niu i w szczelinie ma taką samą wartość, to
siła Lorentza ładunek elektryczny prędkość indukcja magnetyczna natężenie prądu czas droga długość oddziaływania pola magnetycznego liczba zwojów
Tu -
«■
f/j/ z"— ( ( I i ( X )> _ Wk V K i Hf -
Rys. 2. W y p a d k o w e w ekto ry p ola I siły d zia ła ją c e na przew ó d
Koncentryczne okręgi linii pola magnetycznego wokół prostoliniowego przewodnika z prądem oddzialywują z li niami pola magnetycznego wytworzonego pomiędzy biegunami magnesu. Pole m agnetyczne przewodnika z prądem po lewej stronie przewodnika osłabia, a po prawej wzmacnia linie pola magnetycznego wytworzonego przez magnesy (rys. 2). W rezultacie gęstość linii sił pola magnetycznego po jednej stronie przewodnika jest większa niż po drugiej. W tej sytuacji przewód z prądem jest wypychany w kierunku od większej do mniejszej gę stości linii pola m agnetycznego. Zm iana kierunku prądu w przewodzie spow oduje przeciwne zmiany rozkładu linii pola m agnetycznego i odwrócenie kie runku działania sity. Jeżeli zostanie zachowany kie runek prądu w przewodniku, a zmieni się kierunek linii pola m agnetycznego wytwarzanego przez ma gnes, to siła także zm ieni kierunek na przeciwny. Przy jednoczesnej zmianie kierunku prądu i kierun ku linii sil pola m agnetycznego wytwarzanego przez magnes kierunek działania siły nie ulegnie zmianie. Kierunek działania sity można określić za pomocą reguły lewej dłoni lub reguły silnika (rys. 3). Jeżeli w polu m agnetycznym znajdzie się większa liczba przew odów przew odzących w tym sam ym kierunku prąd o takiej samej wartości, to sita Lorentza Rys. 3 . W yzn a c za n ie kierunku siły
1C a rl Fried rich G auss (1 7 7 7 -1 85S) - n iem ie cki m a tem atyk, za jm o w a ł się rów nież fizyką i u c zo n ych świata
' Hendrik Antoon L orentz (1 8 5 3 -1 92B) - fizyk h o le n de rski
74
r
3.1 Wprowadzenie do elektrotechny I
jest tym większa, im większa jest liczba tych prze w odów. Z jaw isko w yp ie ran ia ła d u n kó w e le ktrycz nych w polu m agnetycznym w ykorzystane jest do budow y np. silników elektrycznych, ruchom ych ce w ek u s tro jó w p o m ia ro w ych w p rzyrzą d a ch e le k trycznych, lam p kineskopowych. Ramka przewodząca prąd umieszczona w polu ma g n e tyczn ym w zb u d za w ła sn e p o le m ag n e tyczn e (rys. 1). Pole to współdziała z polem magnetycznym w ytw orzonym przez bie g u ny m agnesu i pow staje pole w ypadkow e. Na b o ki ram ki sity w ypierające działają tak, że ramka obróci się. Ruch będzie trwał do momentu, kiedy linie pola m agnetycznego będą miaty taki sam kierunek, co linie pola wytworzonego przez magnes. Kierunek obrotu ramki zależy od kie runku prądu i kierunku linii pola m agnetycznego. -
75
nie z regułą śruby prawoskrętnej, wyznacza się kieru nek prądu. Ruch postępowy śruby jest zgodny z kie runkiem strumienia magnetycznego, a ruch obrotowy śruby odpowiada kierunkowi indukowanego napię cia i kierunkowi wywołanego przez nie prądu. Kierunek prądu, który płynie pod wpływem zaindukowanego napięcia, można wyznaczyć również z re guty prawej dłoni (rys. 3 na poprzedniej' stronie). Kiedy umieści się prawą dtoń tak, że wnika w nią od wewnętrznej strony póle magnetyczne, to od gięty kciuk wskazuje kierunek ruchu, a kierunek indukowanego prądu wskazują pozostałe wycią gnięte palce dłoni.
Rys. 1. Powstanie momentu sity działające] na cewkę w polu magnetycznym
1, 2, 3, 4
Prądy, które płyną pod wpływem napięcia samoindtikcji, wytwarzają wokót przewodu pole m agne tyczne, które wpływa na pole magnetyczne wytwo rzone przez magnes (rys. 1). W ten sposób na przewód będzie działała siła, która działa w kierun ku przeciwnym do kierunku ruchu.
Chcąc uzyskać ciągły ruch obrotowy, należy zasto sować urządzenie zm ieniające kierunek przepływu prądu przez ramkę w każdym półobrocie. Urządze nie to nazywa się kom utatorem 1 (rys. 2). Kom utator dla jednej ramki składa się z dw óch izo lo w a n y c h od s ie b ie p ó lp ie rś c ie n i w y k o n a n y c h z m osiądzu. Pólpierścienie są o d p o w ie d n io p o łą czo n e z p o c z ą tk ie m i k o ń ce m u zw o je n ia ram ki, p rz y czym ra m k a i p ó lp ie rś c ie n ie o b ra c a ją się wspólnie. Ramka jest zasilana przez dwie nierucho me szczotki węglowe. Kiedy ramKa obróci się o kąt niewiele większy od 90°, kom utator zm ieni kierunek prądu i ramka nie zatrzym a się, lecz nadal będzie się obracać.
g 1 Oprowadzenie do elektrotechnik:
określenie kierunku prądu
Rys. 1. Indukowanie się napięcia przez ruch
siła lorenlza
Zjawisko indukcji elektromagnetycznej występuje niezależnie od tego, w jakich okolicznościach i z ja kich przyczyn nastąpiła zmiana strumienia pola ma gnetycznego wywołującego powstanie napięcia.
eieklron
w polu magnetycznym
Indukowane napięcie może być w ytw orzone w następujący sposób:
komutator szczotki Rys. 2. Model silnika z komutatorem ;
W silnikach prądu stałego rolę ramki przewodzącej pełni wirnik. Uzwojenie wirnika to wiele ramek, któ-.J re są najczęściej nawinięte na cylindrycznym rdzeniu z blach m agnetycznych., 'j
a) w nieruchomych przewodach przez zm ienne pole magnetyczne, b) w ruchomych przewodach przez State pole magnetyczne, c) w ruchomych przewodach przez zmienne pole magnetyczne. Wymienione przypadki w punktach b i c to induko wanie się napięcia przez ruch. W przewodzie prze mieszczającym się prosto p a d le do kierunku pola magnetycznego indukuje się napięcie elektryczne. Zjawisko to tłumaczy zasadę działania generatorów (rys. 2).
3.1.7 indukcja elektromagnetyczna Zjawisko indukcji elektrom agnetycznej polega na indukowaniu się napięcia w obw odzie elektrycz nym podczas zmian strum ienia m agnetycznego przecinającego ten obwód.
W zwojach przewodnika bez przem ieszczania go, przypadek a, też może indukować się napięcie, o ile strumień obejm ujący te zwoje będzie zm ieniał się w czasie (zasada działania transformatora). Napię cie będzie tym większe, im więcej będzie zw ojów i im szybciej zmienia się strumień.
K ie ru n e k in d u k o w a n ia się n a p ię c ia je s t ta ki, że w przypadku gdy obwód jest zamknięty, to wywołany przez niego prąd i związane z nim sity mechaniczne przeciwdziałają zawsze polu magnetycznemu, które go wytworzyło. Reguta ta nosi nazwę reguty Lenza2. Na jej podstawie określa się zwrot indukowanego na pięcia. Znając kierunek pola m agnetycznego, zgod-
Rys. 2. Pojawienie się napięcia wskutek Indukowania się przez ruch przewodu
UL= - N
UL N A At
-
ii« . «
A‘P At
napięcie indukowane . liczba zwojów ■ przyrost strum ienia i czas, w którym nastąpił przyrost -k«,
i
. t U. i
1. Określ zachowanie się ładunków elektrycznych jednołmłennych oraz ładunków różnoimlennych. ł la c. ca m m u tare - zm ieniać; 2 H e in rich F rie d rich Lenz (1 8 04 -1 85 6 ) - ro syjski fizyk p o ch o d ze n ia n iem ie ckieg o
2. Z jaką wielkością związany jest ruch ładunków elektrycznych i jak określana jest intensywność tych zmian? 3. Co to jest napięcie elektryczne I jak się je mierzy?
Rys. 3. Regula prawej dłoni
i
76
3.2 Obwody prądu stałe j 3.2
77
nhwody pr^du statsgo
4. Co to jest potencjał? 5. W jaki sposób może być wytwarzane napięcie elektryczne? 6. Jakie rodzaje prądów i napięć rozróżniamy w elektrotechnice I jak je oznaczamy? 7. Co to Jest prąd elektryczny I jak się go mierzy?
Najmniejsza, n ie p o d z ie ln a pod w zględem funk cjonalnym część obw odu elektrycznego nazywa się elementem.
8. Opisz pola elektryczne.
o d b io rn ik 1
—C Z U -----
9. Jakie zjawisko nazywamy Indukcją magnetyczną? E l e m e n t y obwodu prądu stałego dzielim y na e le menty czynne (aktywne) i bierne.
10. Opisz pole magnetyczne I podać jego podstawowe własności. 11. Jakie wielkości (I Ich Jednostki) charakteryzują pole magnetyczne?
ź ró d ło
13. Opisz, jak zachowuje się przewód elektryczny umieszczony w polu magnetycznym. 14. Opisz zasadę działania silnika prądu stałego z komutatorem. 15. Na czym polega zjawisko Indukcji elektromagnetycznej?
3.2 Obwody prądu stałego Pod pojęciem obwodu prądu elektrycznego rozumie się przestrzeń lub ośrodek, w którym może wystąpić) zjawisko przepływu prądu elektrycznego. U ■Ą Aby zj'awisko przepływu prądu elektrycznego wystąpiło, konieczne jest spełnienie trzech warunków:| • istnienia źródta energii elektrycznej wym uszającej przepływ prądu, 1 • istnienia sw obodnych ładunków elektrycznych, Ł • istnienia zamkniętej drogi (obwodu) dla przepływu prądu. ; I| ■
Źródła energii elektrycznej nazywam y wymuszeniami. Źródła m ożna podzielić na źródta napięciowe? i prądowe. . Uwzględniając charakter zm ienności napięcia i prądu w czasie, źródła napięciowe, jak i prądowe moż, na podzielić na: źródła prądu stałego, źródła prądu zmiennego i przemiennego.
W zależności od charakteru zm ienności czasowej sygnału wyjściowego źródeł wym uszających obwody|S elektryczne m ożem y podzielić na: • obwody prądu stałego, • obwody prądu zmiennego i przemiennego. |i Drugim warunkiem koniecznym do wystąpienia zjawiska przepływu prądu jest istnienie swobodnych ładunjl ków elektrycznych. Cechę tę wykazują głównie metale, półprzewodniki ielektrolity.Zdolność ośrodka "doj; przewodzenia prądu określa się, podając wartość jego rezystywności. ^
i Pod względem zdolności do przewodzenia prądu elektrycznego ośrodki można podzielić na przewodniki:' półprzewodniki, nieprzewodniki, zwane także izolatorami lub dielektrykami. i Trzecim warunkiem przepływu prądu elektrycznego jest istnienie zamkniętej drogi dla przepływu prądu. 0 b | w ód elektryczny może zawierać jedną łub więcej dróg. O bw ód zawierający tylko jedną drogę przepływu prą| du nazywa się obwodem prostym (nierozgałęzionym). O bwód m ający dwie lub więcej takich dróg nazywa! się obwodem rozgałęzionym. | Zatem obwód prądu stałego to obwód elektryczny zawierający co najmniej jedno źródło prądu stałego I col najmniej jeden Odbiornik energii. O bwody prądu stałego m ogą być obwodami prostymi lub rozgałęzionymi.?^
E le m e n t a m i b ie rn y m i są o d b io rn ik i energii e le k trycznej. Są to głów nie rezystory, lecz m ogą nimi być także kondensatory, cewki indukcyjne, a także urządzenia zazwyczaj pracujące w obw odach prądu stałego ja ko e le m e n ty c z y n n e , n p . a k u m u la to r w trakcie jego ładowania.
Węzłem nazywa się punkt połączenia przynajmniej trzech elem entów o b w o d u . W w ęźle o b o w ią zu je prawo K irchhoffa1, zwane prawem węzłowym, m ó wiące, że suma prądów dop ływ a ją cych do węzła równa jest sumie prądów wypływających z węzła.
W obwodach elektrycznych wyróżnia się następują ce pojęcia podstawowe: węzeł, gałąź, oczko.
o d b io rn ik 4
i------j
■
o d b io rn ik 3
E
.... J— ---------n o d b io rn ik 5
Rys. 2 . Rozgałęziony obwód elektryczny
Przez pojęcie g a łą ź rozum ie się jeden lub więcej elementów obwodu włączonych między dw om a wę złami. Każda gałąź musi zawierać co najmniej jeden element, będący źródłem lub odbiornikiem energii. Obwód prosty, mający tylko jedną drogę przepływu prądu, ma zatem tylko jedno oczko (rys. 1). Oczko takie m ożna n a zw a ć o c z k ie m e le m e n ta r n y m (ABCD). O bw ód ro z g a łę z io n y m oże s k ła d a ć się z dwóch lub większej liczby oczek elementarnych. Obwód mający dwa oczka elementarne (rys. 2) za wiera w rzeczywistości trzy oczka: dwa elementarne (ABEF i BCDE) i trzecie utworzone z gałęzi zewnętrz nych obu oczek (oczko ABCDEF).
Dla każdego oczka obw odu elektrycznego spełnione jest napięciowe prawo Kirchhoffa. Prawo to stano- ; wl, że algebraiczna suma napięć źródeł znajdujących się w gałęziach danego oczka jest równa algebra- : icznej sumie spadków napięcia na wszystkich odbiornikach tego oczka. Znaki spadków napięcia zależą od kierunków prądów płynących w gałęziach rozpatrywanego oczka. Na ogól przyjmuje się kierunek prądu zgodny z kierunkiem wym uszenia (rozdz. 3.1.4.) działającego w danej gałęzi. Zakłada się również, że zwroty spadków napięć są przeciwne do przyjętych zwrotów prądów gałęziowych. Strzałki odniesienia rysuje się w postaci prostych lub łuków pom iędzy punktami, których różnice poten cjałów mają reprezentować (rys. 3). Grot strzałki oznacza wyższy potencjał (biegun dodatni), począ tek linii strzałki - niższy potencjał (biegun ujemny). 1Gustaw R obort K lrc h h o ll (1824 -1 88 7 ) - niem ie cki fizyk
J
I i
„o c z k o e le m e n ta rn e ”
E l e m e n t a m i czynnym i są źródła energii elektrycz nej Zalicza się do nich baterie, akumulatory, prądni ce generatory, a także niektóre układy i urządzenia elektroniczne.
12. Na jakie grupy dzielimy materiały poddane działaniu pola magnetycznego?
3 2 Obwody prądu stałego T a b T P r z y k ła d y kodu lic z b o w e g o rezystorów stałych _ _ _ _ _
. Elementy rezystancyjne należą do grupy odbiorników energii elektrycznej. Idealne elementy rezystancyjne przekształcają energię prądu elektrycznego w ciepto. Podstawową zależnością, opisującą funkcjonow anie elementu rezystancyjnego, jest prawo Ohma. Wiąże'! ono spadek napięcia U z natężeniem przepływającego przezeń prądu / zależnością 5 U=Ft I.
Wartość
Nadruk
Wartość
0,10 Q 1,0 Q 1,33 Q
100 R 10 K 1M
100 O 10 kQ 1 MQ
P rzykład:
Współczynnik proporcjonalności R, zwany rezystancją, jest najważniejszym parametrem elementu rezystancyjnego. Jednostką rezystancji jest om (£2). Wartość rezystancji zależy od wym iarów geom etrycznych elementu (jego długości /, przekroju S), a także ocj zdolności zastosowanego m ateriału do przewodzenia prądu *
Tab. 2. Obciążalność i wymiary rezystorów warstwowych węglowych Obciążalność w tempera turze 70°C
ioon
Długość / (mm)
Średnica d (mm)
0,25 W 0,33 W 0,5 W t W 2W
100 R +10% I-----
N
- ....'aj
2,5 3 5 8 9
7 ■ 8 13 20 32
Hezystory stałe Wartości rezystancji w raz z dopuszczalnymi odchyłkami (tolerancją) można przedstawić w postaci: •
nadruku, np. 100 Q ± 1 % ,
• kodu kolorowego, • kodu liczbowego, np. 100 R.
R=Pć gdzie p - jest rezystywnością, [p ]= Q m . Rezystywność m ateriału jest w ielkością, której wartość zależy od warunków zewnętrznych, takich jak]!temperatura, wilgotność, oświetlenie Itp. Zjawisko wpływu tem peratury na wartość rezystywnoścl została wykorzystana w budowie dokładnych czuj-! ników temperatury. Jako m ateriału do Ich budow y używa się na ogól platyny, a najczęściej stosowany czuj-nik Pt100 ma rezystancję 100 Q w tem peraturze 273 K. 7
3.2.2.1 Budowa rezystorów, Ićh wtaściwbści i pznaczenla
Kod liczbowy stosowany jest najczęściej przy elementach o dużych rozmiarach, a szczególnie do rezystorów o dużej mocy i specjalnej budowie (tab. 1). Paskowy kod kolorów podano w norm ie PN-EN 60062. Powszechnie stosuje się kody cztero- i pięciopaskowe. Przewiduje się także stosowanie w oznaczeniu rezystora szóstego paska, określającego współczyn nik temperaturowy rezystancji (tab. 3). Aby odczytać wartość rezystancji, należy ustalić kierunek odczytywania kodu kolorów. Przyjmuje się, że: • pierwszy pasek znajduje się w pobliżu jednego z wyprowadzeń, • ostatni pasek często jest szerszy od pozostałych.
Spośród wszystkich elem entów rezystancyjnych (zwanych rezystorami, dawniej opornikam i) wyróżniamy re zystory liniowe I nieliniowe. Elementy rezystancyjne liniowe są wykonywane jako stale lub zmienne. Rezystory stale mają bardzo szerokie zastosowanie (tab. 1). Tab. 1. Rodzaje rezystorów stałych Rezystor Drutowy
“ i . . ...
H IS 1 0 » C
'
Materiał rezystancyjny
Struktura, wytwarzanie
Stop metalowy, np. konstantan, manganin, chromonikielina
Korpus ceramiczny w postaci walca z nawiniętymi zwojami Małe wartości rezystancji, np. rezystory pomiarowe drutu oporowego
k ¡j i
^
Uzwojenie pokryte jest warstwą cementu
Węglowy warstwowy
Warstwa węglowa
Metalizowany lub Warstwa metalu, powlekany warstwowy np. chrom - nikiel
•“M O ® ® **“ Z tlenków metali
Właściwości i zastosowanie
Tlenek metalu, np. tlenek cynku
Uzwojenie jest chronione warstwą ceramiki Na korpusie ceramicznym nałożona jest warstwa wę glowa zabezpieczona na zewnątrz powloką lakieru Warstwa metalu jest napylona na korpus ceramiczny i chroniona lakierem od czynników zewnętrznych Korpus ceramiczny pokryty jest tlenkiem metalu
Rezystory o dużych stratach mocy, stosowane np, i w odbiornikach telewizyjnych, Muszą być montowa-, ne z odpowiednim zabezpieczeniem miejsca lutowa nia, aby zmniejszyć wpiyw wydzielanego w nich ;s ciepła na pozostałą część obwodu elektrycznego . Rezystor może nagrzewać się do temperatury około 350°G. Zastosowanie: rezystory obciążenia, Najczęściej stosowane w elektrotechnice >{ jako rezystory szeregowe
Rezystory pomiarowe o tolerancji ± 0,01%, ■; stabilne temperaturowo Stosowane jako rezystory mocy, gdy temperatury na powierzchni osiągają wysokiE wartości (do 250°C)
Możliwości obciążania i wymiary rezystorów stałych Rezystory' zamieniają energię elektryczną w ciepło. Możliwość obciążania rezystora zależy od jego w y miarów linowych i temperatury otoczenia oraz rodza ju zastosowanych materiałów. W ym iary zewnętrzne rezystorów węglowych przedstawiono w tab. 2. Im większa jest pow ierzchnia rezystora, tym w iększą energię może on oddać w postaci ciepła w ciągu 1 s. Im wyższa temperatura otoczenia, tym zdolności do oddawania ciepła są mniejsze (rys. 1 na następnej stronie). Tym samym moc, którą można go obcią żyć, jest mniejsza. Przykład: Rezystor z tlenku metalu może być w temperaturze otoczenia 100°C obciążony m aksym alnie tylko do 70 % mocy znamionowej (rys. 1 na następnej stronie).
Tab. 3.
Paskow y kod ko lo ró w do o zn aczenia rezystorów w ęglo w ych
Wartości rezystancji (Q)
K o lo r
Skróty nazw koloru wg. PN-EN 60062
_ srebrny zloty czarny brązowy czerwony pomarańczowy żółty zielony niebieski fioletowy szary biały
Rezystory zmienne Rezystory zmienne dają m ożliw ość ciągłej (bezstopniowej) zmiany wartości rezystancji. Mają trzy wyprowadzenia.
1 c y fra
brązowy
, t
czerwony
pomarańczowy
2 103 12kQ ± 5%
zloty
5% ,
Tolerancja
± ± ± ± ±
20% 10% 5% 1% 2%
-
_ ± 0 ,5 % ± 0 ,2 5 % ± 0 ,1 %
_ -
T i
3.2 Obwody prądu statęgoj
80 W potencjometrach i tzw. trymerach suwak porusza się po odpow iednio uform owanej ścieżce rezystancyjnej (rys. 2). W potencjometrach o konstrukcji liniowej suwak poru sza się liniowo po warstwie węglowej lub przewodzą cej taśmie z tworzywa. W potencjom etrach obrotow ych ścieżka ma kształt wycinka okręgu (rys. 2). Przy dużych obciążeniach potencjom etry obrotow e buduje się w postaci rezy storów drutowych. Małe potencjometry obrotowe (trymery) strojone są za pom ocą wkrętaka. Są one m.in. stosowane do ustawiania punktu pracy tranzystorów. Rezystory zmienne wykonuje się dla m ocy od 0,2 W do 500 W.
20
40
t mneratura pracy może zmieniać się w zakresie od + 3 0 °C do + 2 20 °C. Rezystancje znamionowe termiUrrów PTC odnoszą się do temperatury 25°C. Termistory PTC (rys. 5 na poprzedniej stronie) mają najczę ściej wyprow adzenia p rzystosow ane do lutow ania. Są stosow ane ja k o og ra n iczn iki prądu (rys. 6 na prz e d n ie j stronie). Jeżeli prąd I L wzrasta powyżej wartości granicznej, to term istor PTC silnie się nagrze wa Rezystancja szybko rośnie i ogranicza wartość prądu. O dbiornik R1 jest w ten sposób chroniony przed przeciążeniem.
60 80 100 120 140 °C 180 temperatura otoczenia ” —
Warystory (rezystory VD R1)
Rys. 1. Moc obciążenia w funkcji temperatury
Rezystancja warystorów zmniejsza się, gdy napięcie rośnie. Warystory (rys. 7 na poprzedniej stronie) ograniczają wartość napięcia, np. w odbiornikach telewizyjnych ¡układach przekaźnikowych (rys. 8 na poprzedniej stronie).
symbol
y
s7
/
. i—
". 2 .2.2 Łączenie szeregowe rezystorów
Rezystory nielinibwe
Przy połączeniu szeregowym dwójniki czynne lub bierne połączone są jeden za drugim (rys. 1).
Rys. 2. Rezystor obrotowy Rezystory nieliniowe są elementami, których rezy stancja nie jest wielkością stalą i zmienia się w za leżności od różnych wielkości fizycznych, np. tem peratury, napięcia, światła albo ciśnienia.
W p o je d yn czym o b w o d z ie z a m k n ię ty m p rz e z wszystkie rezystory po łą czo ne szeregow o płynie taki sam prąd, poniew aż nie ma w nim żadnych rozgałęzień. Z godnie z praw em Ohma, n a p ię cio wym prawem K irchhoffa i m atem atyczną zasadą rozdzielności m nożenia w zględem dodaw ania m o żemy stw ie rdzić, że re z y s ta n c ja c a łe g o u k ła d u równa jest sumie rezystancji poszczególnych rezy storów.
Rezystorami nieliniowymi są np. termistory NTC, PTC i warystory. Stosuje się je w przyrządach pom iaro wych; układach sterowania i regulacji. Termistory NTC1 Wraz'ze wzrostem tem peratury rezystancja termistora NTC zmniejsza się.
tolerancja
-
±10%
mnożnik
-
102
2. cyfra kolor
-
0
Suma wszystkich napięć w oczku obw odu pokaza nego na rys. 1 jest równa zero (drugie praw o Kir chhoffa) j Dla oczka tego mamy
1. cyfra kolor 1 Term istory NTC pracują w zakresie tem peratur od 10.102n ± 1 0 % =1 kQ ± 10% ok. -5 0 °C do + 3 00 °C i mają m oce znam ionowe od 0,2 do 5 W. Termistory NTC (rys. 3a) mają b udo Rys. 4. Oznaczenie na termistorach typu NTC wę dyskową. Do oznaczania wykorzystuje się pas kowy kod kolorów (rys. 4). Kolory odpow iadają takim samym cyfrom, ja k w p rz y p a d k u re z y s to ró w sta łych. Na te rm isto ra ch z m oco w a R1 niem śrubow ym umieszcza się na druk z w a rto ś c ią re zysta n cji (rys. 3b ). Z n a m io n o w e w a rto ś c i re zy Rys. 6. Termlstor PTC w układzie Rys. 5. Widok obudowy I symbol stancji te rm is to ró w NTC o d noszą termlstora typu PTC ogranicznika prądu s ię d o w z o rc o w e j te m p e ra tu ry 2 5 °C. Są one stosow ane m .in. do k o n tro li te m p e ra tu ry w p ra lk a c h i zamrażarkach.
Przy połączeniu szeregowym na każdym z rezystorów występuje tylko część napięcia. Cale napięcie rozkła da się na poszczególne rezystory. Przy połączeniu szeregowym suma napięć cząstkowych jest równa cał kowitemu napięciu przyłożonemu. Napięcia cząstkowe są proporcjonalne do odpowiednich wartości rezy stancji. Jeżeli zmierzymy om om ierzem rezystancje p o szczególnych rezystorów i rezystancję ca ie g o układu, stwierdzimy, że rezystancja układu równa jest sumie rezystancji poszczególnych rezysto rów. Rezystancję całego ukiadu nazywamy rezysta n cją zastępczą. Płynie przez nią prąd o takim sam ym natężeniu, jak przez rezystory połączone szerego wo. Jeżeli w szystkie n rezystory m ają taką sam ą wartość rezystancji f i, , to rezystancja zastępcza łych rezystorów wynosi
Rys. 8. Warystor VDR w układzie ogranicznika napięcia
1 NTC (ang, N e ga tka Temperaturę Coetficent) = ujem ny w spółczynnik tem p e ra tu ro w y; 2 P TC (ang. P o s ilk e Tem p eratu ro C o e fiicie n t) = d o d a tn i w s p ó łc z y n n ik te m p e ra tu ro w y
VOR (ang. Voltagu D e p e n d o n t R e sistor) ~ re zystor zatoźny o d n apięcia
• S ir ;
R = f i, + R2 + ...
tzn. suma napięć wszystkich źródeł równa jest sumie wszystkich spadków napięć na odbiornikach.
O
Termistory PTC2
U = u , + u2 + ...
U - U 2 - U , =0,
.ił
R e z y s ta n c ja te rm is to ra PTC zwiększa się wraz z temperaturą.
81
3 2 Obwody prądu stałego
Jl
J O
U
'
oczko
j) R2^
Rys. 1. Łączenie szeregowe rezystorów
3.2 Obwody prądu stategą-
82
prąd I jest PrE!d e m dopływającym do węzła, a prądy ' i | /z są prądami odpływającymi.
R = n R). Elem enty łączy się szeregowo, gdy dopuszczalne n a p ię c ie ro b o c z e p o je d y n c z e g o e le m e n tu je s t m niejsze niż c a łko w ite napięcie przyłożo n e . O d b io rn ik m ożna przyłączyć do napięcia w iększego niż je g o napięcie znam ionow e, jeżeli d o łączy się dodatkow o rezystor szeregowy. Rezystor ten musi być tak dobrany, żeby odłożył się na nim nadm iar n a p ię cia oraz żeby w ytrzym a ł prąd zna m io n o w y o d b io rn ika . R ezystory szeregow e stosuje się np. p rzy n e o n ó w ka ch , a także p rzy d io d a ch Z enera i diodach LED. W każdym obwodzie są połączone szeregowo: prze w ó d dopływ ow y, o d b io rn ik i przew ód odpływ ow y. Ponieważ przew ody mają rezystancję, to m am y do czynienia z szeregowym połączeniem rezystorów.
o o Obwody prądu stałego_______________________
83
/ — i ] 4- / 2 +
A, A
...
Rz
jeżeli w układzie występuje n jednakow ych rezystoróWi to całkowite natężenie prądu wynosi l= n /,. Przez rezystor o m niejszej rezystancji płynie prąd o większym natężeniu, a przez rezystor o większej rezystancji płynie prąd o mniejszym natężeniu. Jeżeli połączymy szeregowo żaróweczkę 6 V/0,3 i rezystor nastawialny ze źródłem napięcia 24 V i przy pom ocy tego rezystora ustawimy prąd zna* m ionowy żaróweczki, to na rezystorze odłoży się napięcie 18 V, a wartość tego rezystora wynoslś będzie 60 Q. |
1
Na każdym przewodzie, przez który płynie prąd, powstaje spadek napięcia, który jest tym większy, im włęk| sze jest natężenie prądu lub wartość rezystancji przewodów. Spadek napięcia na przewodach jest powodenjj straty energii, która zamienia się w ciepło. J ;li
3.2.2.3 Łączenie równolegle rezystorów Przy połączeniu rów noległym jednakow e zaciski źródeł i odbiorników są ze sobą połączone (rys. 1). Woffl bec tego w szystkie dw ójniki połączone rów nolegle są przyłączone do tego sam ego napięcia. Każda dwójnik może zostać przyłączony albo odłączony niezależnie od pozostałych. I
Przy połączeniu rów noległym p rą d y składow e są odwrotnie proporcjonalne do odpow iednich w arto ści rezystancji, a tym samym w prost proporcjonalne do odpowiednich wartości ko n d ukta n cji. Z godnie z prawem Ohma, prądow ym (pierwszym ) prawem Kirchhoffa i m ate m a tyczną zasadą ro zd zie ln o ści mnożenia w zględem dod aw an ia m ożem y stw ie r dzić, że przy połączeniu rów noległym k o n d u k ta n cja zastępcza jest rów na sum ie konduktancji ele mentów składowych.
L = A + A R A fl,
■
G = R
Przy n Jednakowych rezystorach:
G ~ G-j + Gg + ... Przy dwóch różnych rezystorach: R = r ł' A A + A
Przy połączeniu równoległym rezystancja zastępczego rezystora jest mniejsza od najmniejszej rezystancji rezystorów. Wobec tego konduktancja zastępcza G jest większa. Przy równoległym połączeniu n jednakow ych rezystorów rezystancję zastępczą m ożna bardzo łatwo poli' czyć: wystarczy w tym celu podzielić rezystancję jednego rezystora przez liczbę rezystorów w układzie.
3.2.2A Szeregowe i równolegle łączenie rezystorów Układ, w którym o d biorniki są połączone zarów no szeregowo, jak i rów nolegle, nazywam y u kła d e m o połączeniu m ieszanym .
W ła ś c iw o ś c i p o łą cze nia ró w n o le g łe g o Jeżeli przyłączym y do akum ulatora dwa rezystory różnej wielkości, okaże się, że panują na nich jedna kowe napięcia.
Połączenie m ieszane może się składać w najpro stszym przypadku z trzech rezystorów. Można je po łączyć na dwa sposoby (rys. 1, rys. 2). Rezystor zastępczy układu o połączeniu mieszanym określamy zastępując kolejno rezystoram i zastęp czymi rezystory połączone szeregowo lub rów nole gle. Takie u p ro szcze n ie p rze p ro w a d za się aż do chwili, gdy oaly układ o połączeniu mieszanym d o prowadzi się do postaci pojedynczego połączenia szeregowego lub równoległego.
Przy połączeniu rów noległym na wszystkich re zystorach panuje takie samo napięcie.
Jeżeli zm ierzym y natężenia prądów na obydwu re zystorach i natężenie prądu całkowitego, stwierdzi my, że natężenie prądu całkowitego jest większe niż natężenie w każdym z rezystorów z osobna.
Przy połączeniu równoległym natężenie prądu całkowitego jest równe sumie prądów cząstkowych.
- j|
W węźle obw odu suma prądów dopływających jest równa sumie prądów odpływających (pierwsze prawo Kirchhołfa). Dla węzła na rys. 1 m am y zatem
Przykład: Rezystory o rezystancjach A = 50 Q, f l 2= 6 0 Q oraz f l 3= 4 0 q tw o rz ą p o łą c z e n ie m ie s z a n e pokazane na rys. 1 . O blicz w artość rezystancji rezystora zastępczego R. Rozwiązanie:
A = A + f l2= 5 0 £2+60 £2=110 Q A
A ’A A + A
_ 1 1 0 Q -4 0 £2 =29,3 a 110Q +40Q :
ąJJ
= > .
[]
R ą~R i -i- Fi2
fl3[ j
= > „
R,rf? 3
Rys. 1, Połączenie mieszane 1 z trzema rezystorami
g
3,2 Obwody prądu sta|60l
84
3 2 3 Kondensator w obwodzie prądu stałego i
/ prąd ładowania
K o n d e n s a to r jest elementem biernym obw odów elektrycznych, wykazującym zdolność grom adze nia ładunku elektrycznego pod wpływem wystę pującego napięcia, co m ożna ująć zależnością
+
K ond ensa tory State
kierunek mchu unek ru elektronów ektronć
K ondensatory zw ijane - okładziny metalowe takie00 kondensatora są wraz z dielektrykiem zwinięte w ciasny zwój (rys. 1). Zwój zostaje zwykle umiesz czony w m etalowej osło n ie , któ re j o ba końce są uszczelnione masą zalewową w celu ochrony przed
Najczęściej kondensator zb udow any je st z dwóch płyt przewodzących, pom iędzy którym i znajduje się dielektryk, m ateriał izolacyjny. Pojem ność takiego kon d en sa to ra p ła s k ie g o zależy od pola powierzch ni płytek S, odległości d m iędzy nimi (grubość die lektryka) i wartości przenikalności elektrycznej e i jest wyrażona zależnością
C = eS
YY podziało kondensatorów ze względu na budow ę wyróżniam y k o n d e n s a to ry o sta tych w a rto ścia ch pojemności (stale) i k o n d e n s a to ry o z m ie n n ych w a rto ś c ia c h p o je m n o ś c i (nastaw ialne).
- 0
O = C ■U. Podstawowym parametrem kondensatora jest współ czynnik proporcjonalności C, zwany p o je m n o ś c ią e le k try c z n ą (w skró cie p o je m n o ścią ). Je d n ostką pojem ności jest farad1 [F] - iloraz ku h m b a i wolta [C/V] albo sekundy i oma [s/Q ], W praktyce stosuje się jednostki mniejsze: mikrofarady, nanofarady i pikofarady.
Jeżeli kondensator płaski, zawierający m iędzy płytkam i powietrze, przyłączym y do źródła napięcia stałegi to na obu płytach zgrom adzą się ładunki o przeciwnych znakach (rys. 1). Jeżeli pom iędzy okładki konder satora w prow adzim y dielektryk, to zaobserwujem y znaczny wzrost pojem ności w porównaniu z poprzedni stanem. Powodują to ładunki wewnętrzne zawarte w izolatorze. Pod wpływem pola elektrycznego ulegaj one elastycznemu przem ieszczeniu i tworzą d ip o le e le ktryczn e , które wzmacniają pole elektryczne (rys. 2j Dipol elektryczny to taka cząsteczka materiału dielektrycznego, dla której występuje przemieszczenie ląduj ków elektrycznych, tak że pod względem elektrycznym tworzy się układ dwóch związanych ze sobą ładuj ków elektrycznych o przeciwnych znakach. Zjawisko to nosi nazwę p o la ryza cji e le ktryczn e j. ® Najważniejszym param etrem dielektryka jest przenikalność elektryczna. Zwykle jej wartość odnosi się d wartości przenikalności elektrycznej próżni e0 i podaje się tylko wartość przenikalności elektrycznej wzglęt nej t> dielektryku e = i'0 t'f. P rze n ika ln o ść w zg lę d n a ą je s t wartością nlem ianowaną i wskazuje, ile razy przenikalność dielektryka je| większa od przenikalności próżni e0 = 8,85 pC/(Vm). Drugim parametrem dielektryków jest wytrzym ałość elektryczna na prze b icie . Przebiciem nazywamy zjav| sko wyładowania elektrycznego, jakie m oże wystąpić w przestrzeni m iędzy płytkami kondensatora. Wskutf tego zostaje w ypalona ścieżka w dielektryku, który traci właściwości izolacyjne. W ytrzymałość na przebici określa się podając najmniejszą wartość napięcia, dla której w określonych warunkach (temperatura, w i'""! ność, ciśnienie) wystąpi przebicie dielektryka. 1 M ic h a e l Faraday (1 7 91 -1 86 7 ) - a ng lo lskl fizyk i ch e m ik
85
j o nhwody prądu stałego'
Kondensatory p a p ie ro w e mają dielektryk złożony z dwóch lub więcej warstw papieru celulozowego. Okładziny są wykonane z folii aluminiowej. Końcówki ¡wyprowadzenia z drutu) są przyspawane do cienkich blaszek, które zostają zwinięte wraz z całym pakietem. K o n d e n s a to ry z d ie le k tr y k ie m z f o l ii mają dielektryk w postaci folii z tworzywa sztucznego, np. polipropy lenu, poliestru lub poliwęglanu. Okładziny są wykona ne z folii aluminiowej. W przypadku kondensatorów z folii metalizowanej (kondensatory MK) okładziny są napylane na folię w próżni. W ten sposób można przy ■tej samej pojemności uzyskać mniejsze wymiary kon densatora. Kondensatory z dielektrykiem z folii charakteryzują się bardzo dobrą stałością pojemności oraz dużą rezy stancją izolacji. ■ Kondensatory MK naprawiają się same. Jeśli nastą pi przebicie dielektryka, w m iejscu p rze b icia p o wstaje wyładowanie lukowe i cienka warstwa m eta liczna wyparpwuje. Powstaje strefa pozbaw iona me talu, dzięki czemu nie dochodzi do zwarcia okładzin 1trwałego uszkodzenia kondensatora. Kondensatory tego typu nadają się szczególnie do montażu na płytkach z obwodam i drukowanym i. Kondensatory fo lio w e ta n talo w e mają anodę w y konaną z szorstkiej folii tantalowej, która wraz z folią katody i porowatą przekładką jest zwinięta w ciasny zwój (rys. 2a). Zwój zostaje nasycony elektrolitem. Wskutek utleniania towarzyszącego form owaniu na anodzie tw orzy się w a rstw a p ię c io tle n k u ta n talu Ta20 5, służąca jako dielektryk.
Kondensatory elektrolityczne mają dielektryk w pos taci cienkiej warstwy tlenku. Dzięki temu można pro dukować niewielkie kondensatory o dużych pojemnoś ciach. Kondensatory elektrolityczne aluminiowe zawiera ją zwój z dwóch taśm aluminiowych z przekładką pa pierową (rys. 3). Papier jest przesycony elektrolitem. Producenci japońscy stosują nasiąkliwy papier zro biony z włókien bambusowych. Wskutek tego uzysku je się lepsze własności elektryczne. Takie kondensato rynazywane są ko n d en sa to ram i bam busow ym i.
szkło
MnOz
spiek tantalowy nasycony elektrolitem
Rys. 2. Budowa kondensatorów tantalowych
przekładka papierowa nasycona elektrolitem
/
\
I},;, f fi.T. + + * |
m-i taśma aluminiowa aioksydowana
taśma .
' aluminiowa
Rys. 3. Budowa kondensatora elektrolitycznego
3.2 Obwody prądu state0„
86 W kondensatorach elektrolitycznych alum iniowych o stałym elektrolicie biegun ujem ny jest wykonany z warstwy tkaniny szklanej wypełnionej dwutlenkiem manganu, pełniącym rolę półprzewodnikowego elek trolitu stałego. Do obydwu elektrod doprowadza się napięcie stale w celu formowania. Na anodzie tworzy się wtedy cienka warstewka tlenku aluminium, służą ca jako dielektryk. W przypadku kondensatorów nie spolaryzowanych form uje się obydwie taśmy alumi niowe. Potrzeba na to nieco więcej miejsca. Konden sator spolaryzowany można przyłączać do napięcia stałego tylko zgodnie z podaną biegunowością.
K o n d e n s a t o r y elektrolityczne aluminiowe do montażu powierzchniowego (rys. 2 ze strony poprzedniej) są kon densatorami zwijanymi o elektrolicie płynnym. Ich elektrody są wykonane z silnie bruzdkovyej folii aluminiowej. Tantalowe kondensatory do montażu pow ierzchniow ego mają anodę w kształcie prostopadłościanu w yko naną ze spiekanego tantalu, przy czym ziarenka tantalowe pokryte są cienką warstewką pięciotlenku tantalu Ta2Os (rys. 3 ze strony poprzedniej). W skutek tego anoda jest otoczona elektrycznie uform owaną war stewką dielektryka.
Wielowarstwowe ceram iczne kon densatory do montażu pow ierzchniow ego są elem entam i o bar dzo zwartej budowie. Mają one dielektryk z folii ce ramicznej, na której naniesione są elektrody metodą sitodruku (rys. 4 ze strony p op rzedn iej). Dzięki spiekaniu ceram ika nabiera bardzo d o b rych w ła sności.
Kondensatory obrotow e składają się zwykle z dwóch pakietów płytek metalowych: pakietu nieruchom ego j pakietu obrotowego. Pojemność kondensatora jest największa, gdy płytki pakietu obrotow ego są całko wicie wsunięte (przez obracanie) pom iędzy płytki pakietu nieruchom ego. D ielektrykiem je st zwykle powietrze, więc współczynnik stratności je st maty. Kondensatory obrotowe są używane np. w urządze niach radiowych i telewizyjnych do strojenia obw o dów rezonansowych.
Kondensatory do m ontażu p o w ierzch n io w eg o (SMD) są elementami o bardzo m ałych rozmiarach, które m ontuje się bezpośrednio na powierzchni pły-
iii! »
:
kondensatory z warstwą podwójną
........
kondensatory elektrolityczne
ogniwa . galwaniczne
|
Kondensatory nastawiaine
Kondensatory tantalowe spiekowe mają anodę wy konaną ze spiekanego proszku tantalowego (rys. 2b ze strony poprzedniej). W skutek utleniania podczas form ow ania na jej powierzchni pow staje pięciotle nek m anganu. Katodę kondensatora tantalow ego spiekowego o płynnym elektrolicie tworzy kwas siar kowy albo roztwór chlorku litu. W kondensatorach 0 stałym elektrolicie anoda je st nasycona roztw o rem azotanu m anganu, który rozkłada się przy na g rz e w a n iu , tw o rz ą c d w u tle n e k m a n g a n u M n 0 2 1osiada jako elektrolit stały wewnątrz porów i na po wierzchni anody.
Kondensatory mikowe posiadają warstwę dielek tryczną w ykonaną z miki. Płytki z m iki są pokryte dobrze p rzylegającą w arstw ą przew odzącą. Kon densatory m ikowe stosuje się w układach nadajni ków i układach pom iarowych, ponieważ m ają bar dzo maty współczynnik strat.
■
Wśród kondensatorów nastawialnych rozróżniam y kondensatory obrotowe i kondensatory dostrojcze (trymery).
Spolaryzowane kondensatory elektrolityczne ule gają zniszczeniu, jeśli zostaną przyłączone nie zgodnie z oznaczoną biegunowością.
Kondensatory ceramiczne mają jako dielektryk ma sę ceramiczną. Wytwarza się je jako kondensatory rurkowe lub pastylkowe.
87
nhwody prądu stałego
tek z obwodami drukowanym i. Połączenia te w ykonuje się w automatach m ontażowych. Takie kondensatory adają się szczególnie przy wysokich częstotliwościach, ponieważ mają bardzo małe wym iary oraz bardzo krótkie końcówki montażowe (rys. 2 ze strony poprzedniej).
W napięciu stałym może występować składowa napię cia przemiennego. Nie może ona jednak przekraczać pewnej wartości, zależnej od napięcia znamionowego kondensatora. Jeżeli kondensator spolaryzowany zo stanie przyłączony do napięcia stałego odwrotnie do oznaczonej biegunowości, warstwa tlenku na anodzie się rozkłada, co wreszcie prowadzi do zwarcia okła dzin. Wydzieli się przy tym tak dużo ciepła, że konden sator zostanie zniszczony. To samo stanie się, gdy na łożona składowa przemienna będzie zbyt duża.
Tantalowe kondensatory elektrolityczne stosuje się jako kondensatory sprzęgające oraz jako kon densatory w układach filtrów.
r, o
-
rodzaj budowy
Rys. 1. Z ak re sy p o jem nośc i różnych elem en tó w m agazy n u ją cych en e rg ię
węgiel aktywny
war stwa pod vójna elektrolit organiczny ^
3
Kondensatory obrotowe różnicowe mają dw a pakie ty płytek nieruchomych, pom iędzy którym i znajduje się pakiet obrotowy. Działają one ja k nastaw iaine pojemnościowe dzielniki napięcia.
wyprowadzenlo| katoda -
R ys. 3. B u dow a ko n d en sato ra tan ta lo w e g o do m o ntażu po w ierzc h n io w e g o ......................- .......................wyprowadzenia — — •—
...
...
elektrody
/
J i ii
R ys. 4 . B u d o w a k o n d e n s a t o r a w ie lo w a r s t w o w e g o , cera m ic z n e g o d o m ontażu pow ierzchniow ego
Kondensatory dostrojcze (trymery) służą do je d norazowego nastawienia pojem ności i są stosowa ne w aparaturze radiowej, telewizyjnej i pomiarowej do dokładnego dostrajania obwodów, Trymery stużą do jednorazowego nastawiania pojemności. Trymery płytkowe składają się z dwóch płytek ce ramicznych jako dielektryka, na które napylone są okładziny ze srebra. Nastawianie pojem ności pole ga na obracaniu płytek za pośrednictwem o d p o wiedniej śrubki. Powierzchnia, na której okładziny się pokrywają, zmniejsza się wtedy albo zwiększa.
Trymery rurkowe mają często postać rurki cera micznej z n a ło żo n ą tu le jk ą z m osiąd zu . D rugą okładziną jest śrubka wkręcana do wnętrza rurki. W trymerach dociskowych zmienia się odstęp po między dwiema okrągłym i płytkami metalowymi.
^
•'
cząsteczka węgla aktywnego (jako oddzielny maiy kondensator}
R ys. 2 . TW orzenie w arstw y pod w ójnej
zagęszczenie ładunków
węgiel aktywny
rozładowanie
węgiel aktywny
Rys. 3. Ł a d o w a n ie I rozład o w an ie kon densatora
3.2 Obwody prądu staM
88 K o n d e n sa to ry z w a rstw ą p o d w ó jn ą (do m agazynow ania e n e rg ii) elektroda węgiel aktywny
.górna część : obudowy
Wnbec tego napięcia na kondensatorach muszą być dwrotnie proporcjonalne do pojem ności, tak aby kondensatory m ogły przyjąć jednakow e ładunki.
kubek z aluminium!
koszulka
przy połączeniu szeregowym odw rotność pojem ności zastępczej jest równa sum ie odw rotności pojemności kondensatorów składowych.
termokurczliwa zwój blachy ' aluminiowej
Łączenie rów noległe
Podczas ładowania kondensatora z warstwą podw ójną następuje, wskutek zjawisk zachodzących w elektrl licie, zagęszczanie ładunków w warstwie (rys. 3 ze s tro n y p o p rze d n ie j). Każda cząsteczka węgla zachowj je się przy tym jak oddzielny m ały kondensator. I Zjawiska elektrochem iczne pow odują także występowanie wewnętrznej rezystancji. W ynosi ona od 100 (I w małych kondensatorach do kilku m fi w dużych. W ytrzymałość napięciowa kondensatora z warstwą pif dwójną wynosi około 3 V. Przy długotrwałym przekroczeniu tego napięcia warstwa podwójna zostaje znls| czona, a elektrolit ulega rozkładowi. Dlatego też napięcie znam ionowe takiego kondensatora wynosi tyll| 2,5 V. Kondensatory z warstwą podw ójną o napięciu znam ionowym równym 5,5 V są złożone z dwóch kol densatorów połączonych szeregowo. Kondensatory z warstwą podwójną mają, podobnie jak kondensatoif elektrolityczne, oznaczoną biegunow ość. Dostępne są dwa rodzaje kondensatorów z warstwą podwójni ko n d en sa to ry m asow e dla m niejszych poje m n o ści i ko n d en sa to ry zwijane dla większych pojem nośij W tym drugim przypadku drobiny węgla aktywnego są zmieszane ze środkiem wiążącym i nanoszone lif blachę aluminiową, która następnie zostaje zwinięta (rys. 1).
Na kondensatorach połączonych równolegle wystę puje takie samo napięcie (rys. 1). Ładunek całkowity jest równy sumie ładunków obydwu kondensatorów, czyli O ~ Or H- 0 2 • A ponieważ pojem ności są p ro p o rcjo n aln e do ła dunków, więc
Przy szeregowym połączeniu dwóch kondensatorów
=>
U = U-i + u 2 -1 = ± + l C Cl c2
O c
O c, + ".
i
O c2 ■ Ppoo
wyprowadzenie^
II
dolna część obudowy
Przy połączeniu równoległym ładunek, a więc także p o je m n o ś ć zastępcza, są większe niż jednego z kon densatorów uktadu.
00
uszczelnienie gumcw z warstwa weola ¡I aktywnego
Elektrody kondensatora z warstwą podwójną są zbu Rys. 1. Budowa kondensatorów z warstwą podwójną J dowane z węgla aktywnego uzyskiwanego w procesie wytlewania1 w łókien fenolowych. Elektrody z węgla aktywnego m ająbardzo dużą powierzchnię czynną, około 2000 cm 2 na gram masy węglowej. Jeżeli nasyci się w elektrolitem organicznym, na granicy między elektrodą i elektrolitem wystąpią dodatnie i ujemne ładunki elef tryczne. Powstaje bardzo cienka warstwa podwójna pełniąca rolę dielektryka (rys. 2 ze s tro n y poprzednlejjj Ma ona grubość zbliżoną do średnicy cząsteczki. A ponieważ dla kondensatora z warstwą podwójną taki| słuszna jest zależność C ~ S/d, je g o pojem ność jest znacznie większa niż dow olnego innego kondensatora!
O = Cr J- C2 . Przy równoległym połączeniu dwóch kondensatorów i Przy połączeniu równoległym pojem ność zastępi cza jest równa sumie pojem ności składowych.
j O “ O 1 -ł- O 2
I
C
=
C i
+
Co
| = * C - l / = C j -U + C2 -U \ Pojemności zastępcze m ieszanych po łą cze ń kon densatorów otrzymuje się, obliczając pojem ności za stępcze poszczególnych gałęzi, w których elementy są połączone szeregowo albo równolegle.
C C i,C 2
- pojem nośćzastępcza - pojem ności składowe
3.2.4 Cewka w obwodzie prądu stałego Indukcyjność cew ki 0= LI
3.2.3.2 Łączenie szeregowe I równoległe kondensatorów Łączenie sze re g o w e Przy szeregowym połączeniu kondensatorów na każdym z nich występuje napięcie cząstkowe i jest oą| mniejsze niż w przypadku połączenia pojedynczego kondensatora do pełnego napięcia. Przy połączeniu szeregowym pojem ność zastęp cza je s t zaw sze m niejsza niż p o je m n o ść n a j mniejszego kondensatora.
Cewka indukcyjna jest typowym elementem indukcyjnościowym. Idealne elementy indukcyjnościow e gromadzą energię prądu elektrycznego w postaci pola magnetycznego. Ich oddziaływ anie przejawia się w obwodach prądu zm iennego oraz w stanach nieustalonych w ystę p u ją cych w o b w o d a c h e le k trycznych (prądu zm iennego i stałego). Podstawową zależnością opisującą funkcjonowa! nie elementu z cewką indukcyjną je st równanie . charakterystyczne, któ re w iąże m ag n e ty c z n y , strumień skojarzony W z natężeniem przeptywa: hcego przez element prądu.
Ładunki w kondensatorach połączonych szeregowo są jednakowe. Suma napięć na kondensatorach jest równa napięciu całkowitem u (rys. 2) U = UA + U 2 .
89
0
Kondensatory z w arstw ą pod w ó jn ą, przez niektó rych producentów nazywane „ultrakondensatoram i" lub „sup e rko n de n sa to ra m i", są sp o kre w n io n e za rów no z kondensatoram i elektrolitycznym i, ja k też z ogniwami galwanicznymi. Ich pojemności, od 0,1 F do 1500 F, mieszczą się pom iędzy pojem nościam i tych dwóch rodzajów elem entów (rys. 1 ze s tro n y po p rze d n ie j). Dlatego nazywane są także konden satoram i do m ag a zyn o w a n ia en e rg ii i m og ą być używane np. do zasilania układów elektronicznych podczas krótkotrwałych przerw w dopływ ie prądu.
g 2 obwody prądu stałego
Rys. 2. Rozktad napięć na kondensatorach połączonych szeregowo 48
1 w ytie w a nie , p ó lk o k s o w a n le - p ro c e s n is k o te m p e ra tu ro w e g o (5 0 0 -6 0 0 °C ) ro zkła d u w ę g la , d re w n o i tw o rzyw , o g rze w a n ych b e z dostępu j p ow ietrza • ?
W - strum ień magnetyczny skojarzony z cewką >1' = N 0
L I N
- indukcyjność własna cewki - prąd płynący przez cewkę - liczba zwojów w cewce - strum ień m agnetyczny wytworzony przez cewkę
odstawowym parametrem elementu indukcyjnościow ego jest w spółczynnik proporcjonalności L, zwany ndukcyjnością w łasną (w skrócie indukcyjnością). Jednostką indukcyjności jest henr (H), będący iloczynem ma 1sei
-
3.2 Obwody prądu stą|s^i
90
Rys. 1. C h arakterystyka o b c iążen ia ź ró d ła n ap ięcio w eg o
Jeśli źródło napięcia obciążym y rezystorem,, popły nie prąd, a napięcie na zaciskach zmaleje (rys. 1). To znaczy, że część siły elektrom otorycznej została zużyta wewnątrz źródła. Każde źródło napięcia ma rezystancję wewnętrzną f l w, na której przy obciąże niu w ystępuje w ew nętrzny spadek napięcia. Przy badaniu w łaściwości źródła napięcia pod obciąże niem m ożna sobie w yobrazić rezystor wewnętrzny jako rezystor połączony szeregowo z bezrezystancyjnym źródłem siły e lektrom otorycznej. Ten sp o sób przedstawienia (rys. 2) nazywamy schematem zastępczym rzeczywistego źródła napięcia.
g 2 Obwody prądu stałego___________
U = Ef - Rw -1 wynika
91
Rys. 1. D o p aso w an ie n ap ięcio w e
R ys. 2. D o p aso w an ie p rądo w e
Przy dopasow aniu napięciowym:
Przy dopasow aniu prądowym :
Robc
Robc ^ Rw
Przy dopasowaniu mocy: - napięcie na zaciskach - siła elektrom otoryczna Rw ■I - spadek napięcia na rezystancji Rw ■ l k- prąd zwarciowy Rw - rezystancja wewnętrzna
Robc ~~ Rw
U
Przy obciążeniu źródła napięcia rezystancja całkowita obwodu składa się z szeregowego połączenia rez| stora odbiornika i rezystancji wewnętrznej źródła. Napięcie na zaciskach źródła jest mniejsze od siły eleklsŁ m otorycznej o wartość spadku napięcia na rezystancji wewnętrznej. |
Stan jałowy i stan zwarcia źródła napięcia
-
D o p a s o w a n ie napięciowe odbiornika do źródta na pięcia pozwala na uzyskanie możliwie dużego napię cia. Punkt pracy musi wtedy znajdować się w strefie stanu jałowego źródta. O d b iorniki pow inny w tedy otrzymywać, n ie z a le ż n ie od p rą d u o b c ią ż e n ia , w przybliżeniu jednakow e napięcie (rys. 1). Przy do pasowaniu napięcia spadek napięcia na rezystancji . wewnętrznej musi być możliwie mały, a przez to na pięcie na obciążeniu jest w przybliżeniu równe na pięciu stanu jałowego. Z zależności
Rzeczywiste ź ró d ło n a p ię cia je s t szeregow ym połączeniem źródła sity elektrom otorycznej i re zystancji wewnętrznej.
Napięcie na zaciskach źród ła napięcia zm niej sza się wraz ze wzrostem natężenia prądu ob, ciążenia.
ż
Źródło napięcia pow o d uje prze p ływ prądu w o d biorniku, wywołuje spadek napięcia na odbiorniku, ; zalern oddaje mu pewną moc. Rezystancje od b io r n ik a można tak d o b ra ć w stosunku do rezy s tan cji wewnętrznej, żeby napięcie było możliwie buże i niezależne od prądu obciążenia. M ówi się wtedy o dopasowaniu napięciowym źródła i od b io rn ik a . Rezystancję odbiornika w stosunku do re zystancji wewnętrznej m ożna dobrać i w taki spo sób, żeby natężenie prądu było niezależne od rezy stancji odbiornika. W tedy będzie to dopasow anie p rą d o w e . Wreszcie rezystancję odbiornika m ożna dobrać tak, żeby m oc oddaw ana była jak najwięk, sza. Wtedy mówimy o dopasowaniu mocy.
e,
Sita elektromotoryczna i napięcie na zaciskach
Spadek napięcia na rezystancji wewnętrznej jest : niepożądany, ale nie da się go uniknąć.
... J u
D op asow an ie
3.2.5 Obliczanie parametrów obwodów prądu stałego z jednym i kilkoma źródłami _ napięcia ■ I
Przy braku obciążenia źródła napięcia nie ma prze pływu prądu. Na zaciskach źródła występuje cale napięcie wytwarzane przez źródło. To napięcie U0, powstające wewnątrz źródła, nazywamy silą elektro m otoryczną. Można ją zm ierzyć na zaciskach przy braku obciążenia (przy biegu jałowym ).
-
i¡1
W stanie jałow ym do zacisków źródła napięcia nie jest przyłączony odbiornik. Prąd nie płynie, więc na rez| storze wewnętrznym nie ma spadku napięcia. W obec tego napięcie stanu jałowego jest równe sile elekra motorycznej. Napięcie w stanie jałowym m ożna zm ierzyć np. elektronicznym miernikiem napięcia o duź| rezystancji wewnętrznej. .I
Przy zwarciu źródła napięcia jego zaciski są bezpośrednio połączone. Rezystancja obciążenia jest yvi|j równa zeru. Cała sita elektrom otoryczna-odkłada się na rezystancji wewnętrznej źródła. Wiele źródeł r j| pięcia ma bardzo matą rezystancję wewnętrzną. Dlatego też prąd zwarcia może być bardzo duży. J
R
p
ma*
■=
4 • Rw
tzn. im mniejszy jest stosunek ■— ■, tym większe na pięcie U. abc R , Przy dopasowaniu napięciowym rezystancja od: blornika jest duża w porównaniu z rezystancją we wnętrzną źródła. Dopasowanie napięciowe występuje np. przy przy łączeniu urządzeń AGD do sieci 230 V. Dopasowanie prądowe odb io rn ika do źródła na pięcia pozwala na uzyskanie m ożliwie dużego natę żenia prądu (rys. 2). Praca musi się wtedy odbywać w warunkach zbliżonych do zw arcia źródła napię cia. Natężenie prądu jest w tedy prawie niezależne od rezystancji odbiornika. Spadek napięcia na rezystancji wew nętrznej musi yć w takim przypadku możliwie duży, żeby zmiany
w
Robc Rw p ' max E1 u, Us h Iz AU A/
l2 - h / <
-
R - AU
rezystancja obciążenia rezystancja wewnętrzna m oc maksymalna napięcie stanu jałowego napięcie przy 1. obciążeniu napięcie przy 2. obciążeniu natężenie prądu przy 1. obciążeniu natężenie prądu przy 2. obciążeniu różnica napięć różnica prądów
3.2 Obwody prądu stajajj
92 re zy s ta n c ji o d b io rn ik a p o w o d o w a ły je d y n ie n ie znaczne zm iany natężenia prądu. Przekształcając zależność
z warcie
.
' .
.
■
jeśli połączy się w szereg źródła napięcia o róż nych prądach zn a m ionow ych, źród ła o m n ie j szym prądzie znamionowym m ogą być w czasie pracy przeciążone, a nawet zniszczone.
P tniix
t "
otrzymamy
n obc Rw +
a
§■'
^
h A
. D
1
tzn. im m niejszy jest stosunek wartość prądu zbliża się do
w
, tym bardziej
Łączenie równoległe
V
2
3
4
Robc _
w
Rw
R^ ' n w
Rys. 1. Dopasowanie mocy {Rohc - rezystancja odblornll
czyli prąd jest mniej zależny od Robc. Przy dopasowaniu prądowym rezystancja odbior nika jest znacznie m niejsza od rezystancji w e wnętrznej źródła.
Dopasowanie mocy odbiornika do źródła napięcia umożliwia odbieranie największej m ocy (rys. 1).
nm
e
—
1 = >
można łączyć tylko kowych napięciach.
RwE= E, + E.
Rys. 2. Szeregowe połączenie źródeł napięciowych ¡i
Przy d o pasow aniu m ocy sp ra w n o ść w ynosi tylko 50%. Dlatego dopasowanie m ocy stosuje się jedynie przy nieznacznych wartościach mocy, np. przy dopa sowaniu głośnika do wzmacniacza, wejścia odbiorni ka telew izyjnego do anteny czy wzm acniaczy aku stycznych do mikrofonów.
£ = £ , + £2 +
E £ , , £ 2,... R1 Rw\,Rw 2 i —
...
ź r ó d ła
o
Rw = Rwt + R W2 + J
- siła elektrom otoryczna - siły elektrom otoryczne poszczególnych źródeł - zastępcza rezystancja wewnętó| -re z y s ta n c je wewnętrzne poszczególnych źródeł
Przy dopasowaniu m ocy napięcie na zaciskach wynosi tylko połowę napięcia stanu jałowego. Wyznaczenie rezystancji wewnętrznej
wyznaczanie napięcia stanu jałowego R1
Rz
je d n a
Równoległe łączenie źródeł stosuje się wtedy, gdy natężenie prądu i m oc pojedynczego źródła nie są wystarczające.
Rw2
* M oc oddaw ana przez źród ło n apięcia je st naj większa, gdy rezystancja od b io rn ika rów na jest rezystancji wewnętrznej źródła.
Przy łączeniu rów noległym źródeł napięcia sum a ryczny prąd jest równy sumie prądów poszczegól nych źródeł (rys. 1). Równoległe połączenie źródeł ' pozwala na odbiór większego prądu. Całkowita rezy stancja wewnętrzna układu je st m niejsza od naj mniejszej z rezystancji w ew nętrznej połą czo nych źródeł. Jeśli połączy się równolegle źródła o różnych napięciach, wewnątrz układu połączeń popłyną prą dy wyrównawcze od źródła o wyższym napięciu do źródła o niższym napięciu. R ó w n o le g le
Ponieważ przy dopasow aniu prądow ym natężenie prądu jest w przybliżeniu ciągle takie same, nazywa się je także w ymuszeniem prądu. W ymuszenie prą du stosuje się, gdy prąd pow inien być niezależny od rezystancji odbiornika, np. w gazowanych lam pach wyładowczych.
93
nhwody prądu stałego
Źródła łączy się szeregowo, aby uzyskać większe napięcie znamionowe.
i .
dopasowanie mocy
U = E, - R w • I ,
3.2
wyznaczanie rezystancji zastępczej
Rys. 2. Wyznaczanie parametrów rzeczywistego źródła napięciowego
Przy obliczaniu skomplikowanych obwodów, zawierających źródła, rezystory stale i zmienne, stosuje się - jako obwody zastępcze - zastępcze źródło napięcia albo zastępcze źródło prądu. Napięcie stanu jałowego, a tym samym siłę elektromotoryczną źródła rzeczywistego £,, otrzymuje się przez po miar albo obliczenie napięcia na zaciskach źródła (rys. 2). Rezystancję wewnętrzną R „ otrzyma się zakłada jąc, że źródło siły elektrom otorycznej zostaje zwarte i oblicza się rezystancję zastępczą układu widzianą od strony zacisków odbiornika.
3.2.6 Stany nieustalone w obwodach prądu stałego Stanem nieustalonym nazywana jest odpow iedź układu elektrycznego (wyrażona przebiegiem prądów lub spadków napięć w funkcji czasu) na dokonaną w nim komutację. Pod pojęciem komutacji rozumiemy włą czenie lub wyłączenie źródła napięcia zasilającego, zmianę struktury obw odu lub wartości jego elementów. Stany nieustalone występują w obw odach prądu stałego i prądu przemiennego, zawierających przynajmniej Jeden element grom adzący energię, tzn. cewkę indukcyjną lub kondensator. Energia pola m agnetycznego zgrom adzona w cewce indukcyjnej wyraża się zależnością
■Z charakterystyki U = f ( /) rzeczywistego źródła napięcia wynika, że stosunek dowolnej różnicy napięć odpow iadającej jej różnicy prądów jest taki sam, ja k stosunek napięcia stanu jałow ego do prądu zwarcia, Można więc wyznaczyć rezystancję wewnętrzną przez pom iary napięć i prądów dla dwóch dowolnych oj ciążeń. Łączenie szeregowe Przy łączeniu źródeł napięcia w szereg pozostają w m ocy prawa połączenia szeregowego (rys. 2).
9dzie L oznacza indukcyjność, natomiast iL{t) - czasowe zmiany natężenia prądu płynącego przez cewkę in dukcyjną.
3.2 Obwody prądu
94
■j o n
hw ody
prądu stałego
Energia pola elektrycznego zgrom adzona w kondensatorze wyraża się zależnością C[uc (f)2] Wa(t) = .....‘ gc u J, gdzie C oznacza pojem ność, natom iast uc (t) - czasowe zm iany spadku napięcia na elemencie pojemni ściowym. ' i Warunek ciągłości zm iany tych energii oznacza, że zmiany przebiegów iL(t) oraz uc (f) m uszą zachodzi : w sposób ciągły w czasie. & Analiza stanów nieustalonych w rozbudowanych obwodach RC, RL a szczególnie RLC wym aga stosowani równań różniczkowych lub rachunku operatorowego. f W przypadku prostych obwodów, zawierających tylko jeden element indukcyjnośclow y lub pojemnościowi w których w ystępują źródła napięć lub prądów stałych, przebiegi przejściowe natężeń prądów lub spadkśf napięć na poszczególnych elementach obw odu są funkcjam i wykładniczym i o postaci ogólnej 1 /(/) = A + B e ' ,
• .i
gdzie wartości stałych A i B zn a jd u je się z wartości początkowych funkcji f (0+) oraz z jej wartości końcowi (asymptotycznej) f ( i^ « i) . W tym celu należy rozwiązać prosty układ równań A
=
f
(co)
oraz B =
f { 0 +) - A .
1 I
Najprostszym i przypadkam i wystąpienia stanów nieustalonych to włączenie szeregowo połączonych el| m entów RC i RL do źródła napięcia stałego lub ich odłączenie od źródła . I
I
W łączenie i wyłączenie kondensatora
Włączanie i w yłączanie cew ki in d u k c y jn e j
G dy podłączym y kondensator do źródła napięcia stałego, popłynie krótkotrwały prąd ładowania. Po naładowaniu kondensatora prąd przestaje płynąć. Naładowany kondensator przerywa przepływ prądj stałego. Jeśli kondensator ładujem y przez szeregowy rezystor, napięcie na kondensatorze wzrasta najpie$ szybko, a potem coraz wolniej, aż do osiągnięcia wartości końcowej (rys. 1 na następnej stronie). Podczajj rozładowania napięcie na kondensatorze maleje najpierw szybko, a potem coraz wolniej, aż do osiągnięcia wartości zerowej. Prąd ładowania i rozładowania rośnie skokowo do wartości-ograniczonej szeregowo pol| czonym rezystorem i potem maleje początkowo szybko, a potem coraz wolniej, aż do wartości zerowej, i
Przebiegi czasowe przy ładowaniu i rozładowaniu kondensatorów nazywamy przebiegami wy kładniczymi. Opisują je równania:
ładowanie kondensatora:
gdzie: Uo
uc = U0 ( 1 - e - " 7), /c = / o - e - " 7, rozładowanie kondensatora: U a ■e
¡C — la ' S
t/T
Stała czasowa jest to czas, po którym napięcie przy ładowaniu osiągnie 63,2 % wartości końco wej, a przy rozładowaniu 36,8 % wartości począt: kowej. Po upływie czasu rów nego 5 T proces ła dowania i rozładowania jest prawie zakończony.
la
UC 'c t T C R
-
napięcie źródła lub naładowanego kondensator| początkowa wartość prądu | napięcie na kondensatorze zm ienne w czasie .] prąd ładowania lub rozładowania kondensatory czas stała czasowa, T = R C pojem ność rezystancja
Przy załączaniu o b w o d u z ce w ką in d u k c y jn ą prąd w cewce, w wyniku działania samoindukcji, narasta powoli do wartości ustalonej. Wartość ustalońa natężenia prądu jest ograniczona przez rezystancję obwodu i napięcie źródła zasila nia (rys. 2). W stanie nieustalonym chwilowa war tość prądu narasta według funkcji wykładniczej. Po dobnie zmienia się prąd przy wyłączaniu obw odu, gdy zastosuje się diodę zwrotną D1 (rys. 1). Stała czasowa r określa czas dojścia do w artości ustalonej prądu przy założeniu, że w artość chw ilo wa prądu narasta liniowo. Po czasie t = t, przy załą czaniu, chwilowa w artość prądu płynącego przez cewkę jest równa 63,8 % wartości ustalonej, a przy wyłączaniu 36,2 % wartości prądu początkow ego (przed wyłączeniem). Przyjmuje się, że prąd w ukła dzie na rys. 1 ustala się po czasie f = 5 t. Stała czasowa w yd łu ża się, g d y in d u k c y jn o ś ć cewki rośnie i rezystancja obw odu zmniejsza się. Napięcie na cewce Indukcyjnej, w m om encie załą czenia obwodu, jest równe napięciu źródła zasilania (fys. 2), a później zmienia się tak, jak zmienia się prąd w obwodzie. Zgodnie z regułą Lenza, w momencie wyłączenia w cewce indukuje się impuls napięcia.
95
3.2 Obwody prądu stą y j
96
1 A/ u‘- = - L a7
uL ■
*.
¡o
A/
H = H = Vs/A = tTJ Q V/a s - A/2 • A l
At
'
L r = R
przy załączeniu
,-//t
z 1
B N l>0
hr s
Id Ai At L Al
- napięcie indukowane - liczba przewodzących prętów - szerokość strefy działania pola m agnetycznego - indukcja magnetyczna - liczba zwojów - przenjkalność m agnetyczna próżni - przenikalność względna rdzenia - powierzchnia przekroju rdzenia - droga strum ienia m agnetycznego - przyrost prądu - przyrost czasu - indukcyjność cewki - stała cewki
inny sposób zapisu funkcji
r L R i U0 t
-
’ exp
(~ th Ę
stała czasowa indukcyjność rezystancja obwodu chwilowa wartość prądu napięcie źródła czas
Innym źródłem napięć przem iennych są elektro n ic z n e generatory sygnałów. Przy pom ocy genera torów elektronicznych m ożemy wytworzyć przebieg nrzemienny o dowolnym charakterze, np. przebieg sinusoidalny, tró jką tn y i prostokątny. G eneratory elektroniczne przebiegów sinusoidalnych to zazwy czaj układy wzm acniaczy elektronicznych pracują cych z dodatnim sprzężeniem zwrotnym. Generatory Innych przebiegów wykorzystują przeważnie proces ładowania i rozładowania kondensatorów prądem o stałej wartości. Wartości, m ocy sygnałów przem ien nych generow anych w u kładach e le ktro n iczn ych mieszczą się w zakresie od kilku miliwatów do setek kilowatów (nadajniki radiowe i telewizyjne).
3.3.2 Podstawowe zjawiska, wielkości i parametry obwodów prądu przemiennego i . .. Okres T i częstotliwość f
j?>4Vti»irpft1>=' n ¡it
97
wstalego napięcia poprzez pierścienie ślizgowe, nie wprowadzające jak komutator w prądnicy prądu sta łego prostowania napięcia.
-I
L = N2 A uL
ą ę nhwody prądu przemiennego
..
3. Pewien rezystor węglowy został oznaczony paskami koloru - kolejno: czerwonego, czarnego, pomarańczowo, go I srebrnego. Jaką wartością rezystancji charakteryzuje się ten rezystor?
W przypadku napięcia przemiennego wartość napię cia i jego kierunek zmieniają się okresowo (powta rzalnie). Jedna pełna oscylacja (powtórzenie) nazy wana jest okresem. Czas, jaki na to jest potrzebny, również nosi nazwę okresu T (rys. 2). Liczbę okre sów w ciągu jednej sekundy nazywamy częstotliwo ścią1f. Jednostką częstotliwości jest herc (Hz).
4. Jakimi właściwościami charakteryzują się termistory i warystory? 5. Podaj zależności pozwalające określić rezystancje zastępcze kilku, szeregowo oraz równolegle połączonycij rezystorów. h, 6. Określ podstawową właściwość kondensatora. 7. Wymień i scharakteryzuj główne rodzaje kondensatorów. J 8. Podaj zależności pozwalające określić pojemności zastępcze kilku, szeregowo oraz równolegle połączonychj kondensatorów. ffl 9. W jakiej postaci gromadzona jest energia w kondensatorach oraz w cewkach indukcyjnych? ij 10. Jakiego niebezpiecznego efektu można się spodziewać przy szeregowym łączeniu źródeł napięcia o różnycli prądach znamionowych? |l 11. Określ właściwości szeregowego oraz równoległego połączenia źródeł napięcia.
3.3 Obwody prądu przemiennego 3.3.1 Wytwarzanie napięcia przemiennego Podstawowym źródłem napięcia przemiennego jest prądnica prądu przemiennego.
ij
Prądnica prądu przemiennego w swym działaniu (rys. 1 na następnej stronie) wykorzystuje zjawisko Indukcji elektromagnetycznej. W stałym polu magnetycznym magnesów trwałych porusza się ramka. W swoim ruchll obrotowym poszczególne pręty (zwoje) ramki zmieniają położenie względem linii sil pola magnetycznego, p
Każda wielkość przem ienna osiąga swoją w artość maksymalną (największą) nazywaną amplitudą, np. Umoraz wartość minimalną (najmniejszą) - U m (rys. 2). Odległość pomiędzy wartością maksymalną i m ini malną nazywa się wartością międzyszczytową albo zakresem drgań. W zapisie amerykańskim jest ozna czana jako uPp2.
I T
Długość fali Po zamknięciu obwodu źródło napięcia wywiera silę na nośniki ładunku, np. elektrony. To oddziaływanie roz przestrzenia się w przewodach z bardzo dużą prędko ścią. Przy napięciu przemiennym sita działa dwukrotnie w ciągu każdego okresu, za każdym razem w przeciw nym kierunku. Wskutek tego w dostatecznie długim Przewodzie tworzą się miejsca z nadmiarem i niedobo rem elektronów. Odległość pomiędzy dwoma zagęsz czeniami nazywamy długością fali. W czasie je d n e go okresu T fala przem ieszcza się 0 długość fali A, a jej szybkość rozchodzenia się w y nosi | tac. traquan!ia = czę sto ść cng. Poak-ta-Peak ~ o d szczytu d o szczytu
A - długość fali c - prędkość fali i - częstotliwość
98
3.3 Obwody prądu przemiennego
c = X T ^ X = c -T ■
c
: f
99
Chwilowa wartość mocy cieplnej prądu przemiennego '
wynosi
D ługość fali je st większa przy większej p rędkości rozchodzenia się oraz m niejsza przy większej czę stotliwości. Można przyjąć, że szybkość rozchodze nia się w przewodzie dwużylowym wynosi około 80% szybkości światła c0 (300 000 km/s), tj. około 240 000 km /s. S tosunek m iędzy p rę d ko ścią rozchodzenia się fali i prędkością światła nazywamy w s p ó łc z y n n i kiem skróce n ia .
3.3.2.1 Przebiegi sinusoidalne
p - u ■i = R ■i 2.
wirowanie
'd=r i > przebieg sinusoidalny
ro-i—J
Rys. 1. Tworzenie linii sinusoidalnej z wirującego wskazu
P rzebieg s in u s o id a ln y i w skaż W skazem nazywamy wektor wirujący dookoła swego punktu początkowego w kierunku przeciwnym d o kie runku ruchu wskazówek zegara. Podczas wirowania wskazu ze stalą prędkością nieustannie zmienia się odległość końca strzałki od osi poziomej (osi czasu). Jeśli przedstawim y na wykresie tę odległość w za leżności od kąta o b ro tu , o trzym a m y linię sin u so idalną (rys. 1).
Liczba obrotów w je dnostce czasu (c z ę s to tliw o ś ć o b rotow a) wskazu jest taka sama, jak częstotliwość odpow iadającej mu w ielkości sinusoidalnej. W m ia rę obracania się wskazu ciągle wzrasta zakreślony przez niego kąt. W skazowi można zatem przypisać prędkość kątow ą zależną od częstotliw ości o b ro tów. Jednostką prędkości kątowej jest radian (rad). Prędkość kątowa wskazu podaw ana jest jako czę stotliwość kątowa co.
Gdy wykreślimy zależność kwadratu natężenia prątju i 2 od czasu, to linia ta ma częstotliwość dwa razy większą od częstotliwości prądu i przebiega caiko' wicie w prze d zia le w a rto ś c i d o d a tn ic h (ry s . 3). ¿rodnia wartość krzywej / 2 wynosi i 2!2. Zastępując tę wartość średnią kwadratu prądu przem iennego / przez kw a d ra t p rą d u sta łe g o / o ta kim sam ym działaniu cieplnym , m am y
Rys. 1 . Przebieg sinusoidalny z przesunięciem fazowym
I 2 = i z/2.
W
2 - it- f
M
- częstotliwość - okres
C z ę s to tliw o ś ć kątow a co, p u lsa cja
P rzesunięcie fazow e
3.3 Obwody prądu przemiennego
: i = HZ
pierwiastek kwadratowy z tej w artości jest w łaśnie wartością skuteczną prądu przemiennego.
co ■t « co
- kąt obrotu - ozęstotliwość.kątoWl
u
^
I
hu
—
Wartość skuteczną wielkości o dow olnym kształcie można obliczyć w następujący sposób: dia wszystkich przedziałów czasu w granicach jednego okresu należy . obliczyć kwadraty wartości, dodać je z uwzględnie niem czasu trwania i wyciągnąć pierwiastek.
f
U
^
1
Rys. 2 . Przebieg sinusoidalny z początkowym przesunięciem fazowym cp0
W przypadku w ielkości przem iennych sym etrycz nych łatwiejsze je st obliczanie przy użyciu w sp ó ł czynnika am plitudy (w spółczynnika kształtu) (tab. 1 na następnej stron ie ).
=0
Rys. 2. Przebieg sinusoidalny bez przesunięcia fazowego
Wartość skuteczną prądu przem iennego podaje się jako wartość natężenia prądu stałego, który , ma takie samo działanie cieplne ja k prąd prze mienny. To samo odnosi się do napięcia.
^
M
3
Jeżeli dwie w ielkości sinusoidalne o jednakow ych częstotliwościach przechodzą przez zero w tym samym kierunku w jednakow ym punkcie osi kątów, mówi się, że mają jednakow ą fazę albo są w fazie1 albo też, że nie są przesunięte w fazie (rys. 2). Unie sinusoidalne można zastąpić wskazami, a wtedy na wykresie wskazowym kąt m iędzy wskazam równy rp = 0. Kąt cp między wskazami odpow iada przesunięciu fazowemu. Nazywa się on kątem przesunię cia fazow ego. t Jeżeli dwie wielkości sinusoidalne o jednakowych częstotliwościach nie przechodzą przez zero w tym samym punkcie osi kątów, mówi się, że są przesunięte w fazie albo mają przesunięcie fazowe (rys. 1 na następne| stronie). Kąt przesunięcia fazowego jest to kąt pomiędzy punktami przejścia przez zero dwóch wielkości sinu soidalnych o jednakowej częstotliwości.
Wartość maksymalna wielkości sinusoidalnej jest (w spółczynnik a m p litu d y ) razy w ię k s z a niż wartość skuteczna. Parametry syg n a łó w prze m ie n n ych Do oznaczania w artości skutecznych używane są we wzorach duże litery, np. U dla skutecznej warto ści napięcia. Duże litery bez indeksów oznaczają wartości skuteczne wielkości przem iennych. W razie potrzeby można oznaczać wartość skuteczną rów-
W artość sku te czna
[H i
I Rys-3. Wartość skuteczna prądu sinusoidalnego
Wartości skuteczne przy napięciu sinusoidalnym : JUL
hk :
Często wykres wielkości sinusoidalnej nie zaczyna się w początkowym punkcie układu współrzędnych. Kąl pom iędzy punktem przejścia przez zero wielkości sinusoidalnej i punktem początkowym układu wspólrzęć nych nazywa się p o czą tko w ym p rze su n ię cie m fa zo w ym cp0 (rys. 2 na następnej stronie).
u -a
'V 2
LU = U
Urn
"V2 Wartości skuteczne przy kształcie niesinusoidalnym: U=
U%r h + Um2 ' t2 + ...
Wartość skuteczną natężenia prądu przem iennego wyraża się podając taką wartość natężenia prądu stałago, który pow oduje takie samo działanie cieplne (takie samo nagrzewanie).
Um
1 g r. p h a s is -- stan
U
/, I ak, U, Usk
- skuteczna w artość natężenia prądu lub napięcia I m, Um, Um1, Um2... - maksym alne wartości natężenia prądu lub napięcia t i , t2 - przedziały czasu T - okres Fc - w spółczynnik am plitudy
{ 3.3 Obwody prądu przemienneoj
100 nież indeksem sk, np. Usk. Spotyka się także ozna czenie U-, np. U- = 230 V. W tej książce będziemy takie oznaczenia stosować tylko wyjątkowo. Wartość sygnału przemiennego w pewnym m om en cie nazywamy wartością chwilową. Jeśli we wzorze chce się podkreślić zależność wielkości od czasu, dla wartości chwilowych używa się małych liter, np. u dla napięcia. Można też dodać (f), np. u(t) (u jako funkcja t lub u w funkcji i).
Jeżeli znana jest wartość m aksym alna wielkości si nusoidalnej, to m ożna obliczyć wartość chwilową dla dow olnego momentu. Za punkt odniesienia przyjmu je się zwykle m om ent przejścia przez zero (tpo = 0).
Kształt sygnału
Współczynnik
]
Wartość skuteczny
sinusoidalny {2 = 1 ,41
U=
{2
trójkątny, piloksztattny {3 = 1,73
„
Um
u = w
■ i 1
prostokątny
In n T
Jfj- - -
1
...
10
zależnie od współczynnika wypełnienia
u =tJu,2
W przypadku Im p u ls u je d n o k ie ru n k o w e g o (unipolarnego) podczas trwania Impulsu nie w y stępuje zmiana kierunku. Nazywa się go krótko Im p u ls e m .
R ys. 1. D o d aw an ie dw óch n ap ięć sinusoidalnych
W przypadku impulsu dw ukierunkow ego (b ip o larnego), podczas trwania Impulsu występuje przy najmniej jedna zmiana kierunku. W spó łczynnik w y p e łn ie n ia p rz e b ie g u im p u ls o
wego jest to stosunek czasu trw ania im pulsu do okresu powtarzania impulsów.
Ważnym parametrem Impulsu jest stromość zbo cza. Podaje on, jak szybko odbywa się narastanie. Ujemna stromość oznacza zbocze opadające.
Rys. 1. O s c y lo g ra m y p rze b ie g ó w czas o w yc h napięć p rzem ien n ych
Dodając lub odejm ując dwie wielkości sinusoidalne o jednakow ej częstotliwości, np. dwa napięcia sinusdt idalne, otrzymuje się nową wielkość sinusoidalną o takiej samej częstotliwości (rys. 1 na następnej stronie), Przy pom nożeniu dw óch w ielkości sinusoidalnych o jednakow ej częstotliwości otrzymuje się w ielkość sinik' soldalną o podw ójnej częstotliwości. W wyniku dodawania dwóch napięć sinusoidalnych o różnych częstotliwościach powstaje przebieg nieslnusd; idalny. Odwrotnie, każdy niesinusoidalny przebieg okresowy (przemienny) można rozłożyć na składowe sinik soidalne (rys. 2 na następnej stronie). Np. napięcie prostokątne składa się z wielu sinusoidalnych sktadoj wych, a mianowicie składowej podstawowej {pierwsza harmoniczna, harmoniczna podstawowa) o częstotli wości równej częstotliwości napięcia prostokątnego oraz wyższych harm onicznych. Wyższe harmoniczni mają częstotliwości równe całkowitym wielokrotnościom częstotliwości składowej podstawowej i coraz mniej) sze amplitudy. Trzecia harm oniczna ma np. częstotliwość trzy razy większą niż harmoniczna podstawowa. 2 Metoda matematyczna rozkładania okresowych przebiegów niesinusoidalnych na składowe sinusoidalni! nazywa się analizą Fouriera1. Niesinusoidalne, okresowe wielkości przemienne składają się z szeregu wię® kości sinusoidalnych o różnych częstotliwościach. jjj
1Je an B e p liste F o urier (1 7 68 -1 83 0 ) - la n c u s k i m a tem atyk i fizyk
impulsy jeżeli jakaś w ielkość, szcze g ó ln ie n a p ię cie a lb o nrąd, pojawia się tylko na krótki czas, a potem na stępuje przerwa, to nazywam y ją im pulsem *. G dy impulsy występują okresowo, czyli w jednakow ych odstępach- przebieg nazywam y przebiegiem im pulsow ym (tab. 1 na następnej stronie),
W odniesieniu do Impulsów stosuje się różne poję cia (rys. 3). Czas narastania tr 2 nazywany jest też według normy IEC 469 czasem pierw szego przej. ścia. Czas opadania f , 3 nazywany jest też czasem ostatniego przejścia.
Generatory w elektrowni wytwarzają, wskutek ru chu obrotow ego wirników, napięcie sinusoidalne. O dpow iadający mu prąd jest prądem sinusoidal nym. Napięcie przem ienne w sieci zasilającej jest napięciem sinusoidalnym .
Przebieg w czasie, a więc kształt napięcia przemien n e g o , m o ż n a z b a d a ć za p o m o c ą o s c y lo s k o p u . Kształty regularne mają np. napięcie prostokątne, na pięcie piloksztaltne i napięcie sinusoidalne (rys. 1). Często występują też form y nieregularne w granicach jednego okresu.
101
i f/ Ł H 1-
W artość m aksym alną w ielkości sinusoidalnych na zywa się również amplitudą. Jeśli chcem y specjal nie podkreślić przem ienny charakter wielkości, m oż na d o d ać o d p o w ie d n i znak, np. u ~ d la napięcia przęm iennego. Takie oznaczenie też będziem y sto sować wyjątkowo.
Tab. 1. W s p ó łczyn n ik am p litu d y i w artoś ci sku teczno syg n ałó w o kres ow yc h
o -1 Obwody prądu przemiennego
Impulsy dwukierunkowe składają się z wielu drgań sinusoidalnych. W przypadku im pulsu jednokierun kowego składow a podstaw ow a ma czę sto tliw o ść 0 Hz. Inaczej m ów iąc, im p u lsy je d n o k ie ru n k o w e składają się z wartości stałej z nałożonym i drgania mi sinusoidalnymi. Im większa jest stromość zboczy, tym szybciej musi impuls narastać (ub opadać. Jednak im szybsze ma być narastanie impulsu, tym więcej drgań składowych musi on zawierać. Przy przesyłaniu im pulsu, np. przez przewody, występuje wobec tego znaczna licz ba częstotliwości, tak zwane pasmo częstotliwości. Im większa ma być strom ość zboczy przesyłane go impulsu, tym szersze jest niezbędne pasm o . częstotliwości. Impulsy używane są np. przy przesyłaniu sygnatów w technice komputerowej albo do włączania tyrystorów. Są ważną częścią sygnału telewizyjnego, która zapewnia synchronizację między kamerami i obrazem Impulsy są wytwarzane przede wszystkim w układach tac. im puisos - u de rze nie; 2 ang. to rise = w z ra s ta ć ;:1a ng . fo te ll -- sp a d a ć
przerzutniki oraz elementy progowe.
3.3 Obwody prądu przemienne j
102
~ -
chwilowa w artość napięcia maksym alna wartość napięcia początkow y kąt przesunięcia fazy (w rad) początkowy kąt przesunięcia fazy (w stopniach) częstotliwość pulsacja czas w spółczynnik w ypełnienia czas trwania im pulsu okres przebiegu im pulsow ego czas trwania przerwy częstotliwość powtarzania im pulsów
Moc bierna, m oc po zorna
;
M oc ch w ilo w a ' \ W obwodach prądu przem iennego energia dostarczana do odbiornika jest w kolejnych przedziałach czasi różna. Ponieważ napięcie i prąd zmieniają w czasie swą wartość bezwzględną i znak, moc chwilowa definiowari| jako iloczyn napięcia i prądu (p = u -/) również zmienia się w czasie zarówno co do wartości bezwzględnej, i do znaku. %
Moc chwilowa, gdy odbiornik pobiera energię ze źródła zasilania, jest dodatnia, a kiedy oddaje energię do żrói dla, jest ujemna (rys. 1 na n a stępnej stron ie ). f Jeżeli odbiornik składa się w yłącznie z elem entów rezystancyjnych, energia nie może się w nich gromadz| i m oc jest zawsze dodatnia (rys. 2 na n a stęp n e j stro n ie ). i Moc chwilowa zm ienia się z częstotliwością dwa razy większą, niż częstotliwość napięcia źródła zasilania M aksym alna wartość jest równa .
Moc bierna jest potrzebna do wytworzenia w cewce pola m agnetycznego. Podczas w ytw arzania pola magnetycznego, w czasie jednego okresu, przebiegu napięcia zasilania, taka sama ilość energii jest przez d ław ik p o b ie ra n a i o d d a w a n a d o ź ró d ła . W tym przypadku przez część okresu cewka induk cyjna jest źródłem energii w obwodzie. M oc bierna óscyluje zatem p om iędzy odb io rn ikie m i źródłem zasilania.
Rys. 1. Przebiegi mocy chwilowej z przesunięciem fazowym prądu i napięcia
W reaktancji obw odu w ystępuje wyłącznie m oc bierna. Idealna cewka indukcyjna pobiera ze żródta napięcia zasilania wyłącznie m oc bierną (rys. 3). W tym przy padku w każdym pólokresie przebiegu napięcia zasi lania moc jest pobierana i oddawana do źródła. Pola powierzchni pomiędzy dodatnią i ujemną falą m ocy chwilowej a osią czasu są takie same. Rzeczywista cewka indukcyjna pobiera oprócz m ocy biernej także moc czynną. Rys. 2. Przebiegi mocy chwilowe] bez przesunięcia fazowego prądu i napięcia Moc pozorna jest iloczynem skutecznych wartości napięcia i prądu odbiornika. M oc pozorna przy różnym od zera kącie fazowym obw odu jest za wsze większa od m ocy czynnej i biernej.
M oc czynna Moc czynna w obwodach prądu przemiennego defi niowana jest ja ko średnia wartość m ocy chwilowej w określonym okresie czasu. Przy przebiegach sinuso idalnych, m oc średnia za okres zwana m ocą czynną, jest równa iloczynowi wartości skutecznych napięcia i prądu oraz cosinusa kąta przesunięcia fazowego m iędzy napięciem i prądem zwanym w sp ó łczyn n i kiem m ocy (cos q>)
Na w ykre sach p rz e b ie g u m o cy ch w ilo w e j.(ry s . 1 i rys. 2 na następnej stronie) energia dostarczona do
103
• schemat zastępczy c e w k i in d u k c y jn e j składa się z rezystora i reaktancji indukcyjnej. E lem ent rezystancyjny pobiera m oc czynną, e le m e n t reaktancyjny m oc b ie rn ą indukcyjną. M oc czynna (m oc strat) powoduje nagrzewanie się cewki.
3.3.2.3 Moce obwodów prądu przemiennego
P = U ■I ■co sip.
n nhwody prądu przemiennego
obwodu w czasie t o d p o w ia d a p o lu p o w ie rzch n i ograniczonemu przebiegiem krzywej p i osią odcię tych w czasie t. Jeżeli te powierzchnie zastąpić po lem prostokąta, to wysokość tego prostokąta będzie równa wartość mocy czynnej. Odbiorniki o charakte rze rezystancyjnym pobierają wyłącznie m oc czynną.
II. -
II U Um ■'
Tp = tt + tp
g
U -f2 -h {2 [S] = V - A = VA [P] = V • A = W Dla odbiornika rezystancyjnego: P = U -I U I UmIm P -
wartość skuteczna napięcia wartość skuteczna prądu am plituda napięcia am plituda prądu m oc czynna
S U I
S = U -l
moc pozorna - skuteczna wartość napięcia - skuteczna wartość prądu -
Schemat zastępczy ko n d en sa to ra rzeczyw isteg o składa się z równolegle połączonego rezystora i reakancji pojem nościow ej (idealnego kondensatora), rey niskich częstotliwościach rezystancja rezystora iest bardzo duża.
Rys. 3. Zmiany napięcia prądu I mocy chwilowej w Idealnej cewce
3,3 Obwody prądu przemlenneg|
104 Kondensator, pod ob n ie ja k cew ka indukcyjna, p o biera m oc bierną. M oc bierna pojem nościow a jest tutaj potrzebna do wytworzenia pola .elektrycznego. Podobnie jak w cewce indukcyjnej, podczas wytwa rzania pola elektrycznego w kondensatorze przez część pótokresu napięcia zasilania energia jest po bierana i o d d aw an a do źród ła . K o n d e n sa to r jest przez część okresu źródłem energii w obwodzie. Ze względu na bardzo mate straty m ocy przyjmuje się, że przy niskich częstotliw ościach kondensator p o biera wyłącznie m oc bierną pojemnościową.
Reaktancja p o jem n o ścio w a ko n d en s ato ra
Tab. 1. Moce prądu przemiennego
Oznaczenie Jednostka' P W 1 S V-A j var i Oc var ; Ol
W s p ó łc z y n n ik m ocy W spółczynnik m ocy to stosunek m ocy czynnej do m ocy pozornej. Dla przebiegów sinusoidalnych określa się go jako cos q>. W spółczynnik m ocy określa, jaka część m ocy pozornej wykorzystana jest w postaci m ocy czynnej. Moc po zorna, a przy takim samym napięciu także natężenie prądu, przy takiej samej m ocy czynnej odbiornika są tym mniejsze, im jest większy współczynnik m ocy obwodu.
P - U ■I ■cos tp
O = S • sin cp
Q = U ■I ■sin cp
cos cp =
sin ip - |
cos rp=*\j 1 - sin* cp
sin
Q
s ■V As
V A
- reaktancja pojem nościowa - pulsacja obwodu - pojem ność kondensatora
V,^J
Moc pozorna odbiornika rezystancyjnego jest równa m ocy czynnej, a idealnego odbiornika o charakterze! indukcyjnym lub pojem nościowym - m ocy biernej tego odbiornika. I
P = S • cos r/i
Xc co C
[Xc]
Jeżeli kondensator jest dołączony do źródta na pięcia przemiennego, to jego okładki są na prze mian ładowane dodatnim i ujemnym ładunkiem.
Trójkąt m ocy (rys. 1) można wyznaczyć przyjmując szeregowy schem at zastępczy obw odu, składający się z rezystora i reaktancji. O dpow iednie m oce są proporcjonalne do kwadratu napięcia na danym ele m encie. Trójkąt m ocy jest zatem od p ow ie dn ikie m w ykresu w e kto ro w e g o napięć. M oc bierna O w yprzedza w cew ce in d u kcyjn e j m oc czynną o kąt 90°,' a w kondensatorze opóźnia się o kąt 90°. Suma geom etryczna P i O to m oc pozorna S. Jednostką mocy po zornej jest voltamper (V - A), a jednostką m ocy biernej var (var) (tab. 1),
S - U ■I
co • C
Rys. 1. Trójkąt mocy
Wielkość Moc czynna Moc pozorna Moc bierna pojemnościowa Moc bierna indukcyjna
S = ^ P Z + Q2
3.3 Kondensator w obwodzie prąciu przemiennego
jeżeli kondensator dołączy się do źródła napięcia stałego przez układ przekształtnika, to przez o d p o w i e d n i e wysterowanie przekształtnika uzyskuje się z m i a n ę polaryzacji napięcia dołączonego do zaci sków ko n d e n sa to ra . K o n d e n s a to r je s t z a s ila n y w tym przypadku napięciem przemiennym (niesinu s o i d a l n y m ) . Okładki kondensatora będą ładowane n a przemian dodatnim i ujemnym ładunkiem. W ob w o d z i e będzie plynąt prąd ładow ania i rozładow a n ia , a zatem uogólniając - prąd przemienny.
Jeżeli do szeregowego obwodu składającego się z cewki indukcyjnej i rezystora, np. żarówki, dołą czy się odpow iednio watomierz, woltomierz i am peromierz, to wskazanie watomierza będzie mniej sze niż iloczyn wskazań woltomierza i amperomie rza. Watomierz mierzy wyłącznie m oc czynną. T ró jką t m ocy
t
kondensator
cewka;
105
n o nhwody prądu przemiennego
S P O U /
-
m oc pozorna m oc czynna m oc bierna skuteczna wartość napięcia skuteczna wartość prądu kąt przesunięcia fazowego pomiędzy prądem i napięciem cos cp - w spółczynnik m ocy
Jeżeli przekształtnik jest przełączany z odpow iednio dużą częstotliwością, amperomierz połączony sze regowo z kondensatorem wskaże natężenie prądu płynącego w obwodzie. Jeżeli połączoną szeregowo z kondensatorem ża rówkę dołączy się do źródła napięcia przemiennego •(sinusoidalnego) i odpow iednio zwiększy napięcie zasilające, to jasność świecenia żarówki będzie taka sama, jak w wypadku dołączenia jej bezpośrednio do źródia zasilania.
Rys. 1. Zależność reaktancji kondensatora od często tliwości I pojemności
Zmniejszając pojem ność kondensatora, zm niejsza się także jasność świecenia żarówki. Kondensator w obwodzie prądu przem iennego zachowuje się jak rezystor. Jego wartość zmniejsza się wraz ze zwięk szaniem się czę sto tliw o ści n apięcia za sila ją ce g o ¡pojemności kondensatora (rys. 1). Do wytworzenia pola elektrycznego w kondensato rze potrzebna jest energia. Energię tę dostarcza źró dło napięcia z a sila ją ce g o . P odczas z a n iku p o la w kondensatorze (podczas przeładowania) taka sa ma energia jak podczas ładow ania jest oddaw ana do źródła za sila n ia . W a rtość śre d n ia tej e n e rg ii w jednym okresie fali napięcia zasilającego jest rów na zero. Energia krążąca pomiędzy kondensatorem i źródłem napięcia zasilającego, przypadająca na je den okres fali napięcia zasilającego, nazywa się m o cą bierną p o jem nościow ą. Idealny kondensator po biera wyłącznie moc bierną. Dlatego w obwodzie prą du przemiennego kondensator stanowi reaktancję Pojemnościową Xc. Reaktancja pojem nościow a jest tym większa, im mniejsza jest częstotliwość fali napięcia źródta zasilania i mniejsza pojem ność kondensatora.
'
3.3 Obwody prądu przem iennej!
106 • !i : |j
Kąt p rze su n ię cia fa zo w e go Kondensator zasilany ze źródła napięcia przem iennego jest w ciągu jednego okresu fali napięcia zasilające.1' go cyklicznie przeładowywany. W artość chwilowa prądu jest w tym w ypadku proporcjonalna do szybkoścj zmian napięcia ■ .,!
Ma karkasie cewki nawija się uzwojenie. Karkas izoluje gaiwanicz. yzwojenie od rdzenia magnetycznego. Często jest wykonany tworzywa sztucznego. Karkasy cewek są selekcjonowane, w celu zmniejszen,a pojemności własnej uzwojenia. Uzwojenie wykonane jest z przewodów miedzianych, np. w posta ci drutu nawojowego w emalii (DNE), drutu nawojowego w je d wabiu (DNEJ) lub we włóknie szklanym.
Jeżeli napięcie zasilające ma przebieg sinusoidalny, to szybkość zmian tego napięcia jest największa, gdy je g o wartość chwilowa jest bliska zero (rys. 2 na p o p rze d n ie j stron ie ), a najmniejsza, równa zero, gdy jeg0 chwilowa wartość jest największa i równa się am plitudzie przebiegu. W tym przypadku p rze b ie g prądu p|y..‘ • nącego przez kondensator wyprzedza p rze b ie g na p ię cia na jego zaciskach o kąt 90°. W idealnym kondensatorze przebieg prądu wyprzedza przebieg napięcia o kąt 90°.
|
3.3.4 Cewka w obwodzie prądu przemiennego 3.3.4.1 Budowa cewek I Ich właściwości Cewka in d u k c y jn a składa się z ka rka su (korpusu cewki), uzw o je n ia i rdzenia.
j
Rdzeń c e w ki w urządzeniach energetycznych i energoelektronicznych jest wykonany z magnetycznych blach żelaznych, a w radiotechnice najczęściej z m iękkich m agnetycznie ferrytów. Z punktu widzenia zastosowania wyróżnia się różne rodzaje cewek (tab. 1).
i
Cewki odchylające w lam pach obrazowych m onitorów nawija się na rdzeniach pierścieniowych (toroidainych). ;
Rys. 2. Dławiki wysokiej częstotliwości mikroukład (chip)
Warlakaml nazywa się cewki indukcyjne lub zespoły cewek o zmiennej indukcyjności. Zmiany indukcyjności można dokonać np. przez mechaniczne wsuwanie i wysuwanie rdzenia w karkas cewki. W tym przypadku uzwojenie jest najczęściej jednowarstwowe. Dławiki w ysokiej czę sto tliw o ści mają przy niewielkich wymiarach indukcyjności od 0,1 H do 56 mH (rys. 1). W,tym wykonaniu rdzeń ferrytowy I uzwojenia są zalane w żywicy epoksydowej. Dławiki wysokiej częstotliwości (rys. 2), wykonane w postaci kostki, to elementy stosowane do budow y pły tek obwodów drukowanych wykonanych w technice SM D 1.
Tab. 1 . Kształt rdzeni i karkasów cewek Kształt rdzeni i karkasów cewek
Uzwojenia w arstw ow e wykonuje się np. w dławikach dla zakresu niskich częstotliwości, cewkach obw odów wejściowych i oscyla torów urządzeń nadawczo-odbiorczych dla fal krótkich i ultrakrót kich, cewkach o bw odów pośredniej częstotliw ości i filtrów pa smowych dla zakresu UKF, transformatorach sprzęgających I in nych małych transform atorach. . Uzwojenie w arstw ow e je st tak nawijane, że zwoje ułożone są obok siebie. Przy takim nawinię ciu uzyskuje się relatyw nie dużą w artość po je m n o ści w łasnej cewki. Jeżeli wartość szczytowa napięcia na warstwie jest więk sza od 25 V, należy pom iędzy poszczególnym i warstwami uzwo jenia umieścić izolację. Jeżeli do wykonania uzwojenia stosuje się drut nawojowy w jedwabiu (DNEJ) lub drut w izolacji z włókna szklanego, to ze względu na izolację dopuszczalna szczytowa wartość napięcia p om iędzy w arstw am i m oże być w iększa niż 200 V.
Zastosowanie
Kształt rdzeni i karkasów cewek
Zastosowanie
)
3,3.4.2 Reaktancja indukcyjna cewk karkas cewki
rdzeń typu E
Rdzenie typu E (rdzenie płaszczowe) np. dławiki, transformatory
Reaktancja in d u kcyjn a
rdzeń wkręcany
dostrojczy
V ] : rdzeń kubkowy
karkas cewki
Dławiki o dużej dobroci stosowane w obwodach rezonansowych do ok. 40 MHz, cewki głośników o bardzo matych zniekształceniach do częstotliwości 60 Hz, transformatory
f—
l i j j p
ii
cn a
‘
M' ' '.'C 1
; fe-'
rdzeń rurkowy
I
rdzeń prętowy
korpus cewki z rdzeniem
■1 Dostrajanie induk- j cyjności dławików, ] rdzenia do waria- j ków i cewek i‘ wielkiej s częstotliwości 0 dthj żej dobroci, maiyctij wymiarach i szero-^ kim zakresie prze*.^ strajania 1
Jeżeli cewkę indukcyjną z rdzeniem stalowym, połączoną szeregowo z amperomierzem prądu przemienne go, dołączy się do źródła napięcia stałego przez przekształtnik, to sterując przekształtnik z coraz większą częstotliwością, uzyskamy coraz mniejsze natężenie prądu w obwodzie. Przekształtnik zmienia polaryzację napięcia na zaciskach cewki indukcyjnej. W tym przypadku cewka jest zasilana napięciem przemiennym. W wyniku zjawiska sam oindukcji natężenie prądu w cewce narasta i opa da powoli. Jeżeli dostatecznie szybko będzie zmieniana polaryzacja napięcia, prąd w cewce nigdy nie osią gnie ustalonej wartości końcowej. Prąd w cewce będzie się zm niejszał i będzie tym mniejszy, im wyższa bę dzie częstotliwość przełączania przekształtnika. Jeżeli cewka indukcyjna jest zasilana napięciem przemiennym, to siła elektromotoryczną samoindukcji prze ciwdziała zmianom prądu. ■'
l
'u.
Jeżeli połączoną szeregowo z cewką indukcyjną żarówkę dołączy się do źródła napięcia przem iennego (sinusoidalnego) i odpow iednio zwiększy napięcie zasilające, to jasność świecenia żarówki będzie taka sa ma jak w przypadku dołączenia jej bezpośrednio do źródła zasilania. f SMD (ang. S urface M o u n te d D e vice s ) - urzą dza nia d o m o n ta żu p o w ie rzch n io w e g o
3.3 Obwody prądu przemiennego
108 Jeżeli wym ieni się cewkę indukcyjną na inną o więk szej indukcyjności, żarówka będzie świeciła słabiej (mniejsza jasność). Cewka indukcyjna ma w obw o dzie prądu przem iennego znacznie większy w pływ na w artość prądu niż w o b w o d zie prądu stałego. Jest on tym większy, im większa jest częstotliwość przebiegu napięcia zasilania i im większa jest indukcyjność cewki (rys. 1). W pływ cew ki in d u kcyjn e j na w a rto ść prądu prze m iennego określa się przy pom ocy reaktancji induk c yjn e j XL. R eaktancja in d u k c y jn a o kre śla relacje między skutecznym i wartościam i napięcia występu jącego na cewce indukcyjnej i pow stałego prądu przepływającego przez cewkę. Reaktancja indukcyjna jest tym większa, im więk sza jest częstotliwość przebiegu napięcia zasila nia i indukcyjność cewki. Do wytworzenia pola magnetycznego że źródła napię cia zasilania do cewki musi być dostarczona energia. Podczas rozm agnesow ania (zanik poła) taka sama energia jest oddawana z cewki do źródła zasilania. Wartość średnia tej energii w jednym okresie napięcia zasilającego jest równa zero. Energia krążąca pomię dzy cewką indukcyjną i źródłem napięcia zasilającego, przypadająca na jeden okres przebiegu napięcia zasi lającego, nazywa się m ocą bierną indukcyjną. P rze su n ię cie fazow e D ołączając cew kę in d u kcyjn ą do źródła napięcia przemiennego, wytwarza się zmienne pole m agne tyczne. W tym przypadku napięcie na cew ce jest proporcjonalne do prędkości zmian prądu w cewce. Przy sinusoidalnym napięciu zasilającym szybkość zmian prądu cewki jest największa wtedy, gdy chw i lowa w artość prądu jest rów na zero i równa zero, gdy w artość prądu jest największa (rys. 2).
? nhwody pr^du przemiennego
109
1 4 '-^ J ¿4- I . W U I W XL = w L
XL a> L
PU - -
1
Vs
V - A = Q
Układy cewek n łe sp rzę żo n ych m ag n e tyczn ie Obwody zawierające cewki indukcyjne, których pola magnetyczne są względem siebie rozdzielone, tzn. nie są magnetycznie sprzężone, oblicza się podobnie jak obwody z rezystorami.
- reaktancja indukcyjna - pułsacja obwodu - indukcyjność cewki
500
przy połączeniu s z e re g o w y m cew ek niesprzężonych m agnetycznie reaktancje indukcyjne dodają się. ponieważ indukcyjność cewki jest proporcjonal na cło jej reaktancji, zastępcza indukcyjność cewek połączonych szeregowo jest równa sumie indukcyjności poszczególnych cewek.
■: .. l /
400
-»
U
/ 1j
Rys. 1. Zależność reaktancji cewki Indukcyjnej od czę- | stotliwoścl I wartości Indukcyjności i w odbiorniku
)£ w źródle napięcia linia odbicia zwierciadlanego
L1 j
U
L2<
Rys. 1. Połączenie równolegle dwóch cewek nlesprzężonych magnetycznie
Przy połączeniu ró w n o le g ły m cewek niesprzężonych magnetycznie wypadkowa im pedancja, a tak że reaktancja indukcyjna, jest mniejsza od im pedancji i reaktancji cewek, z których zbudow any jest ob wód, Całkowity prąd w obwodzie jest równy sumie prądów płynących przez cewki (rys. 1). Reaktancje indukcyjne są odwrotnie proporcjonalne do natęże nia przepływającego przez nie prądu. W ynika z te go, że odwrotność zastępczej indukcyjności obw o du jest równa sumie odw rotności indukcyjności po szczególnych cewek.
300
Jeżeli cewka indukcyjna jest źródłem napięcia, wtedy siła elektrom otoryczna
/t
Połączenie szeregowe cewek indukcyjnych niesprzężonych magnetycznie : i - i + i- z
Połączenie równolegle cewek indukcyjnych niesprzężonych magnetycznie: ogólnie
dla dwóch cewek
i-
1 + i-o
Przy połączeniu szeregow ym dw óch cew ek o indukcyjnościach i , i L2 sprzężonych m agnetycznie L - zastępcza indukcyjność obwodu wypadkowa indukcyjność L zależy od tego, jak stru L U L2 - indukcyjność poszczególnych cewek mienie magnetyczne skojarzone z tym i cewkami oddzialywują na siebie. W zależności od kierunku na winięcia uzwojenia obu cewek strumienie tych cewek m ogą dodaw ać się lub odejmować. Indukcyjność ta może być wyrażona zależnością L = L i + L2 ± 2M, przy czym M to wyrażona w henrach indukcyjność wzajemna obu elementów określona jako
, A/ e t- _ " L S T M
ma największą ujemną wartość chwilową, gdy prąd narasta w czasie najszybciej (rys. 2). W tym przypad ku wektor prądu I wyprzedza wektor siły elektromoto rycznej El . Kąt przesunięcia fazowego jest równy 90°.
,
Dla idealnej cewki in dukcyjnej zasilanej napię ciem przem iennym wektor tego napięcia wyprze dza wektor prądu o kąt 90°.
-{l 7 Q ,
wykres wskazowy.
Ai
W tym przypadku wektor prądu / opóźnia się o kąt 90° względem napięcia uL.
k
gdzie k (0 < k< 1 ) to w spółczynnik sprzężenia m agnetycznego m iędzy cewkami. W artość k= Q - gdy nie ma sprzężenia m agnetycznego, fc= 1 - gdy występuje całkowite sprzężenie.
Najczęściej cewka indukcyjna w obwodzie jest od biornikiem, a zatem napięcie ma zwrot przeciwny do prądu. Oznacza to, źe UL= _ e L =
=
L |ako źródło
L jako odbiornik j J<
'c
Rys. 2. Przebieg prądu i napięcia cewki indukcyjnej
y
3.3.5 Obliczanie parametrów obwodów prądu przemiennego z rezystorami, kondensatorami i cewkami (obwody RLC) Właściwości elementów biernych obw odów elektrycznych (rezystancyjnych, indukcyjnościow ych i pojemnociowych) można opisać, podając czasowe zależności między natężeniem prądu płynącego przez każdy element a panującym na nim spadkiem napięcia.
3.3 Obwody prądu przemiennegj
110 W n io ski z te g o o p is u : • i: '•
oddziaływanie elem entów rezystancyjnych przejawia się w taki sam sposób we wszystkich obwodach elektrycznych {prądu stałego i zm iennego), oddziaływ anie e lem entów in d u kcyjn o ścio w ych przejaw ia się w o b w o d ach prądu zm iehnego oraz* w stanach nieustalonych istniejących w obw odach elektrycznych. W obw odach prądu stałego przjl stałych wartościach prądu idealny elem ent indukcyjnościow y stanowi zwarcie, ' i< ¡ • oddziaływanie elem entów pojem nościow ych przejawia się w obw odach prądu zm iennego oraz w sta? nach nieustalonych w obw odach elektrycznych. W obw odach prądu stałego, w których napięcie nąj kondensatorze ma stałą wartość, idealny elem ent pojem nościow y oznacza rozwarcie. .3 «I Elementy, które pobierają wyłącznie m oc bierną, są elem entam i reaktancyjnym i. Przykładami takich ełemsiy* tów są kondensatory i cewki indukcyjne. Dwójniki RL i RC składają się z rezystora i reaktancji (pojemnoścloi wej lub indukcyjnej). Parametry takich dw ójników zależą od częstotliwości. jj
3.3.5.1 Obwody szeregowe RC i RL D w ó jn ik RC
3 3 Obwody prądu przemiennego
111
yy obwodzie RC w e kto r prądu w yprzedza w e kto r n a p ię c ia o kąt cp. Kąt przesunięcia fazowego cp jest tym większy, im mniejsze wartości mają rezystancja, pojemność i częstotliwość napięcia zasilającego. yy szeregowym obw odzie RC napięcie na zaci s k a c h tego obwodu opóźnia się względem prądu o kąt mniejszy niż 90°.
W szeregowym obw odzie RL napięcie na za ci skach tego obwodu wyprzedza prąd o kąt cp. Kąt przesunięcia fazowego jest tym większy, im wyższa jest częstotliwość, większa indukcyjność i mniejsza rezystancja.
Na wykresie wektorowym dwójnika składowe czyn ne i bierne są w zajem nie prostopadłe.
W szeregowym obwodzie RL napięcie na zacis kach tego obwodu wyprzedza prąd o kąt mniejszy niż 90°.
R = Z U UR
Uq Z R Xq
/ cp
•
tan cp — ~pf
cos
2 n - 10 kHz -4 ,7 nF
Z = / f l 2 + X2o = ^(5,6 k£2)2 +(3,39 kQ)2 = 6,55 k Q
Xc = Z ■sin ip
napięcie zasilania napięcie na rezystancji napięcie na kondensatorze im pedancja : rezystancja reaktancja pojem nościowa natężenie prądu kąt fazowy obwodu
U -\j
u 2r +
u\
II
1 P itagoras (ok. 5 7 2 -4 9 7 p.n .e.) - g ro c k i m a te m a tyk i Jilozof; 2 o d tac. Im p o d lre = p rze szkad zać, za w ad za ć, h a m o w a ć
a» • C
U = \j U2r + U2o
Dla szeregowego dw ójnika RL ; 3,39 kQ
O)
Do obliczenia prądu płynącego w obwodzie koniecz na jest znajomość napięcia zasilającego i impedancji obwodu. Kąt cp na wykresie wektorow ym jest miarą przesunięcia fazow ego p om iędzy prądem i napię ciem . M ożna go w yzn a czyć z tró jką ta na p ię ć lub z trójkąta impedancji (rys. 1).
1
R = Z • cos cp /=
—
z
=
10 V
Z
R1 + XZL
II
Dla szeregowego dwójnika RC:
tan (p = -
I = ■
Rozwiązanie:
(O
I=!
(U ).
• Dodając geom etrycznie składow ą czynną i bierną r im pedancji (R, Xc), otrzym uje się im pedancję2 o b wodu (Z).
U c = V U2 - U 2r = 7 (25 V)2 -(1 2 V)2 = 21,93 V
Przykład 2: Rezystor 5,6 kQ i ko n d e n s a to r o p o je m n o ś c i 4,7 nF połączone szeregowo są zasilane z sinu soidalnego źródła napięcia o wartości 10 V i czę stotliwości 10 kHz. Obliczyć Z, /, UR, Uc .
Dodając geom etrycznie składow ą czynną i bierną napięcia (UR, Uc), otrzym uje się napięcie zasilania
Podstawiając odpowiednio spadki napięć na rezystan cji, reaktancji i impedancji obwodu {R • I, Xc • / , Z ■I), można narysować trójkąt im pedancji, który jest p o dobny do trójkąta napięć.
Rozwiązanie:
Szeregowy d w ó jn ik RL W szeregowym obw odzie składającym się z rezy stancji i idealnej indukcyjności napięcie na cewce wyprzedza prąd i n a p ię c ie na re z y s ta n c ji o 90° (rys. 1)- Trójkąt im pedancji jest w tym wypadku rów noważny trójkątowi napięć. Zarówno składowe na pięcia, jak i składowe im pedancji są dodaw ane geo metrycznie. Kąt przesunięcia fazow ego m oże być , wyznaczony z jednego z tych trójkątów.
W dwójniku składającym się z szeregowo połączone go rezystora i idealnego kondensatora, zasilanym na pięciem przemiennym, wektor napięcia na kondensa torze opóźnia się względem wektora prądu o kąt 90° (rys. 1). Napięcie na rezystancji jest w fazie z prądem.
Poszczególne w ektory m ożna przesuwać rów nole gle, np. tak, aby koniec w ektora Uc znalazł się przy s trz a łc e w e k to ra U R. W ykre s w e k to ro w y n a p ię ć przekształca się w ten sposób w trójkąt prostokątny, którego boki stanowią napięcia U, UR, Uc ■ Do tego trójkąta stosuje się tw ie rd z e n ie P ita g o ra s a 1.
P rzykła d 1: ’ Szeregow y dw ójnik RC jest zasilany napięciem sinu so id a lnym o w a rto ści 25 V. Na rezystancji jest napięcie 12 V. Jaką wartość ma napięcie na kondensatorze?
XL = Z • sin cp
_ 1 ko
6,55 k£2 - 1’5 3 m A
/
. - prąd zasilania - napięcie zasilania Z -im p e d a n c ja cp - kąt fazowy obwodu U R - napięcie na rezystancji < R -re z y s ta n c ja UL - napięcie na cewce indukcyjnej. XL - reaktancja indukcyjna U
U„ = f l . / = l l5 3 m A -5 ,6 k Q = 8 ,5 7 V
u c = Xc - i = 1,53 m A - 3 ,3 9 kQ== 5,19 V
ir 3.3 Obwody prądu
1 12
3.3.5.2 Obwody równoległe RC i RL Równoległy dwójnik RC W równoległym obwodzie składającym się z rezysto ra i idealnego kondensatora prąd płynący przez kon d e n sa to r w yp rze d za n a p ię cie na je g o zaciska ch o 90° (rys. 1). Prąd płynący przez rezystor jest w fa zie z napięciem. C ałkowity prąd jest sumą geom e tryczną prądów składowych.
Przykład 1: W szeregowym obw odzie RL reaktąncja induk-> cyjna XL = 6,24 kQ. Prąd opóźnia się .względemnapięcia o kąt 82°. Jaką wartość ma rezystancja? Rozwiązanie: tg
6,24 kQ • = 877 Q tg 82°
=a _!
=>
tg
Zastępując w obw odzie rów noległym boki trójkąta prądów o d p o w ie d n im i susceptancjam i, otrzym uje się trójkąt adm itancji (rys. 1). i
W obwodzie rów noległym RC wypadkow y prąd wy przedza napięcie na zaciskach tego obw odu o kąt mniejszy niż 90°.
U
Rys.
1 . W ykresy w skazo w e ró w n o leg łe g o po łączen ia rezystancji I pojem ności
Dla rów noległego dwójnika RC: P = Pr + Pc
U = Z- I - -
I = \jp R
+ PC
R -X c
2,95 mA tg r/> -■
10 V 5,6 kQ ,
tg cp ■
R_ x L-
Straty w kondensatorze Okładki kondensatora po przyłożeniu napięcia prze miennego są okresowo przeładowywane. Oznacza to, że dipole elektryczne utw orzone przez ładunki elektryczne w strukturze d ielektryka obracają się. Okresowa zm iana o rien ta cji d ip o li p o w o d u je na grzewanie się dielektryka. Również prąd przem ien ny p rze ła d o w u ją cy k o n d e n s a to r, p rz e p ły w a ją c y m iędzy je g o o k ła d k a m i, p o w o d u je d o d a tk o w e podgrzewanie dielektryka. O ba te zjawiska są przy czyną tego, że część energii pobieranej ze źródła zasilania je st tracona. Za te straty w d ie le ktryku odpow iada b a rd zo m ata s k ła d o w a c a łk o w ite g o prądu kondensatora. S kładow a ta je st szczególnie istotna w przypadku kondensatorów e le ktro litycz nych. '
3,39 kQ Y = \Jg z + B2c
10 V 3,39 k£2
tró jk ą t a d m ita n c ji
tró jk ą t p rą d ó w
Rozwiązanie:
lc ~ X c
albo
3.3.S.3 Straty w kondensatorze
Kąt przesunięcia fazowego ip w rów noległym obw o dzie RC m ożna w yznaczyć z tró jką ta p rądów lub trójkąta admitancji.
1 2it ■ 10 k H z - 4,7 nF
Trójkątowi prądów odpow iada trójkąt admitancji. Kąt fazowy obwodu cp jest tym większy, im mniejsze są częstotliwość i indukcyjność cewki oraz im większa jest rezystancja obwodu.
tg
W obw odzie równoległym , dodając geom etrycz nie odpow iednie susceptancje, otrzym uje się admitancję obw odu.
1
Kąt przesunięcia fazow ego w rów noległym o b wodzie RC jest tym większy, im większa jest rezy stancja, pojem ność i częstotliwość.
Kąt przesunięcia fazowego tp m ożna obliczyć z za leżności trygonom etrycznej
Admitancja Y, to odwrotność im pedancji Z. Skła dowa czynna admitancji nazywa się konduktancją (G), składowa bierna (B) nosi nazwę susceptancji.
Przykład 2: Rezystor 5,6 kQ i kondensator o pojemności 4,7 nF połączono rów nolegle i zasilono napięciem sinu soidalnym o wartości 10 V i częstotliwości 10 kHz. Obliczyć lR, lc, I.
113
o n nbwody prądu przemiennego
tg
W każdym kondensatorze pracującym w obw o dzie prądu przemiennego występują straty energii. Schemat za stę pczy rzeczyw isteg o ko n d en sa to ra składa się z równolegle połączonego idealnego kon densatora C i rezystancji strat Rr (rys. 1).
Dla rów noległego dwójnika RL: U = Z-I: 2 = Y = x/g 2 + S \
Rys. 1. S c h em at zastępc zy I w ykresy w skazo w e kon den satora z uw zględnieniem strat
1,79 mA G = Y ■cos ip
Bc = Y • sin tp Dobrej jakości kondensatory mają małe straty. Oznacza to, że wartość rezystancji strat fl„ je s t duża. , f
I - '¡ P r + Pc = V 0 -79 mA)3 + (2,95 mAji* = 3,-,45 mA
Przykład 3: W równoległym obwodzie RC prąd kondensatora jest równy 2,5 mA, prąd rezystora 1,5 mA. O bli czyć kąt fazowy tego obwodu. R ozw iązanie: lc t 9 'p - T R =
2,5 mA J ^ a
= ^ =59°
I U Z Y Ir
lc G Bc R Xc ę -
prąd zasilania napięcie zasilania im pedancja obwodu adm itancja obwodu prąd rezystancji prąd kondensatora konduktancja susceptancja pojem nościowa rezystancja reaktancja pojem nościowa kąt fazowy obwodu
j
j }
Jeżeli obwód przedstawiony na rys. 1 jest zasilany sinusoidalnym napięciem przemiennym, to prąd płynący | > przez rezystor Rp ma wartość lR, a przez kondensator - w artość /0. Prąd lR stanowi składową czynną, a prąd { i lc składową bierną całkowitego prądu / zasilającego układ. Prąd I można wyznaczyć z wykresu wektorowe*j go prądów. . ■: ; Wektor prądu lR jest w fazie z wektorem napięcia U. W ektor prądu /c wyprzedza wektor napięcia U i jednocześnie wektor prądu Ir o kąt 90°. Prąd / jest sumą geom etryczną wektorów lR i /c. Można go wyznaczyć geometrycznie lub obliczyć na podstawie twierdzenia Pitagorasa.
i f j | t i
Konduktancja i susceptancja obw odu są proporcjonalne do odpowiednich prądów. Zatem odpow iednio do wykresu wektorowego prądów można narysować podobny trójkąt admitancji (rys. 1).
I ■ j ;
114
3.3 Obwody prądu przemiennego
Konsekwencją tego, że w kondensatorze występują straty mocy, jest to, że przesunięcie fazowe pomiędzy prądem / i napięciem U jest m niejsze niż 90°. Przesunięcie to jest tym bliższe wartości 90°, im mniejsze & , straty m ocy w kondensatorze. I ’ 'f W spółczynnik strat kondensatora d, nazywany stratnością kondensatora, jest rów ny tangesowi kąta i Kąt ó stanowi dopełnienie do kąta 90° kąta cp przesunięcia fazowego obw odu (rys. V na poprzedniej stronie) -
115
j 0 nhwndy prądu przemiennego
d = tg 6
s
Jeżeli uwzględni się reaktancję pojem nościow ą i rezystancję schematu zastępczego, to stratność kondensa-', tora rzeczywistego m ożna obliczyć z zależności
d = tg Ö ■
Xa
« fl'
/ co CR ft
Współczynnik dobroci (dobroć kondensatora) O jest odw rotnością w spółczynnika strat (stratności). Do broć jest tym większa, im mniejsze są straty m ocy w kondensatorze.
Przykład 1: Jaką wartość ma rezystancja strat i kąt stratnośoii kondensatora o pojem ności 10 pF, jeżeli współ-f czynnik stratności przy częstotliwości 50 Hz jest! równy 1,5 • 10-"?
d = tg ó
X"
Współczynnik strat, zwany stratnością cewki, jest równy tangesowi kąta <5. Kąt 6 jest dopełnieniem kąta fazowego q> do kąta 90 ° (rys. 1 na p o p rz e d n ie j stronie). W spółczynnik dobroci (dobroć cewki) Q j e s t odwrotnością współczynnika strat (stratności).
Rr Rs XL
w C L
Dobroć ce w ki je s t tym w ię ksza , im s tra ty Są mniejsze.
-
w spółczynnik strat kąt stratności dobroć reaktancja pojem nościow a rów noległa rezystancja strat szeregowa rezystancja strat reaktancja indukcyjna częstotliwość napięcia zasilającego (częstotliwość pracy obwodu) - pojem ność kondensatora - indukcyjność cewki
3.3.5.S, Filtry RCi RL
1
co CR ft
Rr
1 ~2n!Cd' 1_________ :2 ,1 2 M Q 2 ji • 50 Hz • 10pF -1,5 '1 0 '4 1
;C d
tg <5 = c /= 1,5- 10-4 =
Filtry służą do tłumienia sygnałów, których częstotliwość należy do w ybranego zakresu. W yróżniam y cztery różne typy filtrów, pokazane w tab. 1. Tab, 1. Filtry
: 0 ,0086 °
Pasmo przenoszenia
Oznaczenie, symbol
3.3.5.4 Straty w>cewce
PP
ku-.
UĄ
i W każdej cew ce zasilanej napięciem przem ien•. nym występują straty mocy.
Q
Xc
Rr
Rozwiązanie:
Dla n is k ic h c z ę s to tliw o ś c i, np. 50 Hz, m ożna '. przyjąć, że rezystancja strat w schem acie zastęp czym k o n d e n s a to ra je s t n ie sko ń cze n ie duża. W tym przypadku bierze się pod uwagę tylko re aktancję pojem nościow ą i prąd bierny.
PT
[
dolnoprzepustowy
..........................._
Wyjaśnienie Filtr dolnoprzepustowy przepuszcza sygna ły o małej częstotliwości. Sygnały o wyższej częstotliwości nie pojawiają się na jego wyj ściu.
f — ■_
(
c:
Jeżeli cewkę indukcyjną z rdzeniem stalowym dołą czy się do zacisków źródła napięcia przem iennego, to z częstotliwością zmian tego napięcia zm ienia się kierunek położenia elem entarnych dom en m agne tycznych w rdzeniu i rdzeń jest przemagnesowany. Poniąw aż rdzeń je s t m ate ria łe m p rze w o d zą cym , zm ienne pole m agnetyczne indukuje w nim prądy wirowe. Oba zjawiska: przem agnesowywanie rdze nia i prądy w irow e są przyczyną nagrzew ania się rdzenia. Prąd płynący w uzwojeniu cewki powoduje nagrzewanie się uzwojenia. W każdej cewce induk cyjn e j je st zatem traco n a , w po staci cie p ła , m oc czynna.
d <5
coC
U
0 =
Na skutek powstających w cewce strat m ocy kąt przesunięcia fazowego ip pomiędzy prądem i na pięciem jest mniejszy niż 90°. Kąt ten zbliża się do wartości 90°, gdy straty mocy w cewce maleją.
tg ó = | « fia
|
Xc
tg ,5 = Xfl
Z wykresu w ektorowego prądów wynika, że d = tg <5 = Yc -
° = 5
o
schemacie zastępczym cewki indukcyjnej straty są przedstawiane w postaci rezystancji strat, wńra jest włączona szeregowo z idealną indukcyjścią £• (rys- 1 na poprzedniej stronie). Straty "°ooy w rzeczywistej cewce indukcyjnej są często ^ałe W tym przypadku rezystancja strat jest dużo mniejsza od reaktancji indukcyjnej cewki.
górne przep L isto w y
PT
PP
i
U z i
Filtr górnoprzepustowy tłumi sygnały o ma łej częstotliwości. Sygnały wysokiej często tliwości przenosi na wyjście. ,
Rys. 1. S c h em at zas tę p c z y cew ki z e stratam i I w ykres w s kazo w y nap ięć
U ,k Przykład 2: O bliczyć rezystancję strat cewki, jeżeli jej reakta n cja je s t rów na 2 k fi i w sp ó łczyn n ik dobroci 250.
Straty w żelazie to suma strat na histerezę i strat na prądy wirowe.
Rozwiązanie:
Straty w uzwojeniu to straty m ocy występująoe na rezystancji uzwojenia.
O
kUo
PT
ku?
PT
PT
PP
n
pasmowoprzepustowy
UA
PP
PP
pasmowozaporowy =>Rs = Ł =
«s ~ " s
O
250
i ■
= 8 fi PT - pasmo tłumione
PP - pasmo przepustowe
Pasmo przenoszenia wyznacza zakres czę stotliwości sygnałów, które mogą pojawić się na wyjściu. Pozostałe częstotliwości sygnałów będą tłumione.
Filtr pasm ow ozaporow y tłum i wszystkie sygnały częstotliwości wewnątrz wyznaczo nego pasma. Pozostałe częstotliwości sy gnałów pojawiają się na wyjściu.
116
3.3 Obwody prądu przemiennej
Filtry dolnoprzepustowe i górnoprzepustow e są zależnymi od częstotliwości sygnału dzielnikami na pięcia. Składają się one z szeregu połączeń rezysto rów z cew kam i indukcyjnym i lub kondensatoram i. Sinusoidalny sygnał przykładany jest na wejście te go szeregowego połączenia. W yjściowy sygnał na pięciow y m ierzony jest na rezystancji lub na, reaktancjach zależnie od wym aganej funkcji. Charakte rystyki częstotliw ościow e filtrów podaw ane są naj częściej w skali logarytmicznej.
W filtrze górnoprzepustowym kąt przesunięcia faL.wego dla niskich częstotliw ości ma w a rto ść dochodzącą do 90° i zmniejsza się ze wzrostem c zę s to tliw o ś c i d o 0 ° . C z ę s to tliw o ś ć
Filtry RC i RL dolnoprzepustowe 0,01
1001
■ —1 ,
Łf,
u 2
»
k 5
L
-t U \
Ola częstotliwości granicznej f g reaktancja obwodu ¡est równa rezystancji, a kąt przesunięcia fazowego pomiędzy napięciem wejściowym i wyjściowym jest Dla częstotliwości granicznej: Dla częstotliwości granicznej fs napięcie na reaktancji x jest równe napięciu na rezystancji R (rys. 1). Ze wzgfędu na przesunięcie fazowe pom iędzy napię ciami sygnał wejściowy jest o V2 razy większe od napięć składowych. Napięcie wyjściowe filtru stano wi zatem 1/V2 (tj. około 0,0707 lub -3dB) napięcia wejściowego.
Filtry rozpatrywane jako dzielnik napięć, zbudow ane z e le m e n tó w re ż y s ta n c y jn y c h i re a k ta n c y jn y c h , op ró cz o d d zia ływ a nia na a m p litu d ę sygnału w y j ściowego w pływają też na kąt przesunięcia fazowe go pom iędzy sygnałem wyjściowym i wejściowym .
J-----------
i- iU i, f n / 4 i *
’DP"
0 ,7 0,4
Kąt przesunięcia fazowego
nhlirm/r** nTOCtnllivA/nor*'
X R U2 u,
Przykład 2: Jaką wartość ma częstotliwość graniczna filtru gór; noprzepustowego RC, jeżeli R = 4,7 k£2, C = 27 nF?
i 0,8 I”
Przyjmując,'że reaktancja kondensatora, względnie reaktancja dławika, je st rów na rezystancji, m ożna
~
Rys. 3. Charakterystyki amplitudowe i fazowe filtrów dolnoj przepustowych (DR) I górnoprzepustowych (GP)
Filtr RC pasmowoprzepustowy Jeżeli filtr RC (rys. 2) będzie dołączony do genera tora przebiegów sinusoidalnych o zmiennej często tliwości, to napięcie wyjściowe U2 będzie małe w za kresie niskich i wysokich częstotliwości, a w zakre sie średnich częstotliw ości będzie porów nyw alne z napięciem wejściowym U ,. Filtr górnoprzepustowy R1C1 tłumi niskie częstotliwości, a filtr dolnoprzepustowy R2C2 tłumi wysokie częstotliwości. W ten spo sób powstał filtr pasmowoprzepustowy.
1
2-n-R-C
*0 " Przykład 1: W filtrze górnoprzepustowym napięcie wyjściowe U2 jest równe 2 V. Jakie jest napięcie wejściowe, jeżeli filtr pracuje z częstotliwością graniczną fB?
1,0
W filtrze RC reaktancja p ojem nościow a jest na wejściu dzielnika napięcia i jej mała wartość dla niskich częstotliwości powoduje ich tłumienie.
W filtrze dolnoprzepustow ym kąt przesunięcia fa zowego dla niskich częstotliw ości jest bliski 0°. Kąt ten zwiększa się i wraz ze wzrostem częstotli wości osiąga wartość 90°.
10
równy 45°.
Filtry RC i RL górnoprzepustowe
Na rys. 3 przedstaw iono zbiorczo charakterystyki zmienności am plitudy i fazy dla obu rodzajów filtrów.
W filtrze RL reaktancja cewki indukcyjnej stanowi element w yjściow y filtru I jej m ała wartość dla niskich czę sto tliw o ści stanow i zw arcie zacisków wyjściowych.
1
£
W układzie RL elementem wyjściowym filtru jest rezystancja. Reaktancja cewki indukcyjnej rośnie wraz ze wzrostem częstotliwości.
W porównaniu z filtrem dolnoprzepustow ym w filtrze górnoprzepustow ym nastęjauje zam iana usytuow a nia i roli rezystancji i reaktancji (rys. 2).
o,1
graniczna
od pasma przepustowego do pasma zao r o w e g o nie odbywa się w sposób skokowy, tylko Pto p n io w o . Dlatego w prostych filtrach RC lub RL d e fin iu je się tzw. c z ę sto tliw o ś ć gra n iczn ą , przy któ rej reaktancja obwodu jest równa rezystancji. P rz e jś c ie
częstotli wość granic zna ,
\
Filtry dolnoprzepustow e um ożliw iają przejście bez tłum ienia sygnałom o częstotliwościach niższych niż c z ę s to tliw o ś ć gra n iczn a , p o d czas g d y w szystkie sygnały o częstotliwościach wyższych od częstotli wości granicznej są wytłum ione (rys. 1). W układzie RC reaktancja pojem nościowa, będą ca elem entem w yjścio w ym dzie ln ika napięcia, m aleje w fu n k c ji c z ę sto tliw o ści, sta n ow ią c dla wysokich częstotliwości zwarcie.
117
3 nhwndv prądu przemiennego
u2 U ,
Rys. 2. Filtr RC pasmowoprzepustowy
*;.>■'l j j j
, .¡'.JA!
-ihwody prądu przemiennego___________________ (Otliwość przebiegu, która występuje podczas lacyjnego przeładowania kondensatora nazywa
Filtr p a sm o w o p rze pu sto w y m a pasm o przeno szenia o szerokości 0 = fg/, - fg/.
^ c z ę s to tliw o ś c ią w ta s n ą o b w o d u -
1nF
F iltr RC p a sm o w o za p o ro w y Kiedy w układzie z rys. 1 zastosuje się kondensator m n ie js z e j pojemności C, i cewkę o mniejszej in d u k c y jn i0' L u częstotliw ość własna obw o d u bę
F iltr p a s m o w o z a p o ro w y RC (ry s . 1) s k ła d a się z rów nolegle p o łą czo nych e lem entów R1C1 oraz szeregowo połączonych elem entów R2C2.
dzie większa. Dla niskich częstotliwości wartość rezystancji Rz jest nieporównywalnie mniejsza niż reaktancja X konden satora C2. Przeciwnie, reaktancja kondensatora C1 dla n iskich c z ę s to tliw o ści je s t n ie p o ró w n yw a ln ie większa od rezystancji równolegle dołączonego rezy stora R1. Zatem dla niskich częstotliwości elementy R1 i C2 tworzą filtr dolnoprzepustowy. Dla wysokich częstotliwości elementy R1, C2 nie mają praktycznie wpływu na rozkład napięć w obwodzie. Dla tych czę stotliwości elementy C1 i R2 tworzą filtr górnoprzepustowy. W zakresie średnich częstotliwości napięcie wyjściowe zależy od stosunku rezystancji R, i Rz.
Uj. U,
■ 'ta Rys. 1. Filtr RC pasmowozaporowy
F iltr LC p a sm o w o za p o ro w y Filtr (rys. 2) ma strukturę podobną do układu przed stawionego na rys. 1 - tylko w miejsce rezystorów włączono cewki indukcyjne. W łaściwości zaporowe filtru LC są większe niż filtru RC, a zbocza charakte rystyki częstotliwościowej są bardziej strome. Filtr pasm ow ozaporow y tłum i określone pasm o częstotliwości.
Rys. 2. Filtr LC pasmowozaporowy R1 io o n
C 3
3.3.6 Obwody rezonansowe
- y S1|— \
D rgania i rezonans O bserwując w obwodzie przedstawionym na rys. 3 przebiegi napięcia i prądu w cewce tak, że punkt ze row y jest w środku skali, m ożna zauważyć, że po przełączeniu łącznika S1 na kondensatorze wystąpi zmienne napięcie o stałej częstotliwości i ustalonej am plitudzie1. Przez cewkę płynie prąd zmienny, któ ry opóźnia się w fazie względem napięcia. N a ła d o w a ny k o n d e n s a to r ro z ła d o w u je się przez u zw ojenie cew ki. W cew ce in d u kcyjn e j p o w staje zmieniające się w czasie pole magnetyczne. W ytwo rzone pole magnetyczne (reguła Lenza) powoduje podtrzymanie przepływu prądu w cewce indukcyjnej po rozładowaniu kondensatora. Kondensator przeła dowuje się. Po zakończeniu przeładowania konden satora cały proces powtarza się. Energia oscyluje po m iędzy kondensatorem i cewką indukcyjną (rys. 4). W układzie powstają drgania swobodne. Dlatego ta kie o b w o d y nazyw a się o b w o d a m i d rg a ją c y m i. 1 la c. a m p litu d o = o dch yle n ie
I8 k n d >
ci=h pi ( V ,
200pF
Rys. 3. Równolegle połączenie kondensatora i cewki indukcyjnej
Częstotliwość własna obw odu oscylacyjnego jest , jyn, większa, im mniejsze są pojem ność konden satora i indukcyjność cewki. Vy obwodach oscylacyjnych z kondensatoram i o du żych pojemnościach i cewkami o dużych indukcyjn o ś c ia c h p rze ła d o w a n ie k o n d e n s a to ra w ym a ga dłuższego czasu niż dla elem entów o m niejszych wartościach. Częstotliwość własna obwodu oscyla cyjnego jest tym mniejsza, im większe są indukcyj ność cewki i pojem ność kondensatora. Jeżeli generator przebiegu pro sto ką tn e go będzie sterował przez odpowiednio połączony kondensator i rezystancję, np. C = 1 nF i R = 4,7 k£2, obw ód oscylacyjny (rys. 1), to napięcie na zaciskach obw o du oscylacyjnego składającego się z równolegle po łączonych cewek i kondensatora będzie zm ieniać się sinusoidalnie i będzie mlalo malejącą amplitudę. W tym przypadku na rezystancji obw odu R = 4,7 kQ powstają krótkie im p u ls y s z p ilk o w e napięcia, które w krótkim czasie dostarczają energię do obw odu drgającego. W ten s p o s ó b w u k ła d z ie p o w s ta ją drgania swobodne. Straty energii w obw odzie po wodują zmniejszanie się am plitudy tych drgań. Jeżeli częstotliwość pracy generatora sterującego i częstotliwość drgań swobodnych będą takie same, to obwód drgający będzie w rezonansie1 z generato rem. Dlatego obw ody drgające nazywa się często obwodami re zo n a n so w y m i. C zęstotliw óść drgań własnych nazywa się czę sto tliw o ścią rezonansow ą.
Rys. 2. Szeregowy obwód rezonansowy, wykresy wskazowe napięć i impedancji
Obwód drgający można w zbudzić do oscylacji, jeżeli częstotliwość im pulsów sterujących będzie równa częstotliwości rezonansowej. W tym przypadku im pulsy sterujące pojawiają się synchronicznie z przebie giem oscylacyjnym. Częstotliwość przebiegu sterującego jest równa częstotliwości drgań własnych ob wodu. Szeregowy o b w ó d o s c y la c y jn y
energia w potu elektrycznym magnetycznym eiektryoznym ma';Rys. 4. Przemiana energii w obwodzie rezonansowym \
W szeregowym obwodzie oscylacyjnym cewka indukcyjna i kondensator są połączone szeregowo. Straty energii w cewce i kondensatorze są reprezentowane przez rezystor R (rys. 2). Przez elementy obwodu pły nie ten sam prąd. Przebieg napięcia na rezystancji R jest w fazie z przebiegiem prądu. Przebieg napięcia na kondensatorze opóźnia się względem przebiegu prądu o kąt 90°, a przebieg napięcia na cewce wyprzedza przebieg prądu o kąt 90°. Oba napięcia, napięcie na kondensatorze i napięcie na cewce, są przesunięte względem siebie o kąt 180°. Zatem m ożna ich wartości odjąć od siebie. Geometryczna suma wszystkich na pięć tworzy napięcie wypadkowe. Wykres wskazowy napięć odpow iada wykresowi im pedancji (rys. 2). 1lac. resonare - w sp ó łd rg a n io
120
3.3 Obwody prądu przemiennej
P rzykład: W szeregowym obwodzie rezonansowym napię cie na cewce indukcyjnej jest równe U L = 16 V, napięcie na rezystancji U R = 2 V, a. napięcie na kondensatorze U c = 12 V. Jakie jest napięcie za silające (napięcie wypadkowe)?
li
Uc
/
/
<\ \
UL
____ U R częstotliwość rezonansowa f
U
= Vu2r +. \
u L ~ U
c ) z
=
4
f
_
22 + (16 - 12)2 V =
= ^ 0 V = 4,47 V
Rys. 1. Zmienność napięć w funkcji częstotliwości dla ¡1 szeregowego obwodu rezonansowego
Poszczególne napięcia w uktadzie z rys. 1, szcze g ólnie w po b liżu czę sto tliw o ści rezonansow ej, są w dużym stopniu zależne od częstotliwości. U = J U *„ +
(U L - U
t f
Napięcie na kondensatorze w rezonansie jest równe napięciu na cewce indukcyjnej. Prąd płynący przez obwód ma w tym wypadku największą wartość. Z = \ j R2 + (XL - Xc)z Napięcia na elementach L i C w szeregowym ob wodzie oscylacyjnym dla częstotliwości rezonan sowej są znacznie większe od napięcia wejściowe go z generatora sterującego (rezonans napięć).
■zwarcie w obwodzie, natomiast cewka rzeczyma małą rezystancję reprezentow aną przez stancję uzwojenia. Kiedy stosuje się schem at r8stepczy obwodu oscylacyjnego z równoległym re28 torem strat, to na każdym elemencie tego obwo'huSpanuje takie sam o n a p ię cie . Przebieg p rą d u indukcyjności opóźnia się w zględem przebiegu napięcia o kąt 90° (rys. 3), a przebieg prądu w kon densatorze wyprzedza przebieg napięcia o kąt 90°. O ba p rą d y s£ł w przeclwfazie. p rącj w rezystancji jest W fazie z napięciem zasilającym. n0*
U, UR Uc,UL
Rozwiązanie:
121
Dohwndy prądu przemiennego
Dla niskich częstotliwości na kondensatorze odkłada U napięcie z generatora sterującego, się cale napięcie z generatora sterującego. Dla wy napięcie zasilania sokich częstotliwości napięcie na kondensatorze jest napięcie na rezystancji UR praktycznie równe zero, a cale napięcie zasilania od napięcia na reaktancjach UL, U c kłada się na cewce indukcyjnej. Największa wartość Z im pedancja napięcia na kondensatorze wystąpi dla częstotliwo R rezystancja ści przebiegów nieco mniejszej od częstotliwości re reaktancje XL,X c zonansowej obwodu. Największa w artość n a p ię c ia kąt przesunięcia fazowego
, K|ecjy obwód oscylacyjny L C dołączy się do zaci• sków generatora sterującego i będzie się mierzyło poszczególne prądy dla różnych częstotliwości, to okaże się, że zależą one w dużym sto p niu od ■częstotliwości, szczególnie w pobliżu częstotli• wości rezonansowej. Dla częstotliwości poniżej częstotliwości rezonanso wej dominującym jest prąd cewki indukcyjnej, powyżej prąd kondensatora. Dla częstotliw ości poniżej częstotliwości rezo n a n so w e j ró w n o le g ły o b w ó d oscylacyjny ma charakter rezystancyjno-indukcyjny, a powyżej rezystancyjno-pojemnościowy (rys. 4).
R ó w n o le g ły o b w ó d o s c y la cyjn y Straty w równoległym obwodzie rezonansowym m ogą być reprezentowane przez rezystor o malej wartości*,; R, włączony szeregowo z cewką indukcyjną lub rezystor o dużej wartości rezystancji Rr , w łączony równole gło do obwodu rezonansowego (rys. 2 na n a stęp n e j stro n ie ). Dla niskich częstotliwości idealną cewką sta-,I.
Lr i
A«
Rys. 2. Schematy zastępcze równoległego obwodu rezonansowego
. W rezonansie prądy cewki indukcyjnej i konden satora są sobie równe. W rezonansie prąd całkowity obw odu jest określony tylko przez rezystancję rów noległą strat i napięcie zasilania. Im pedancja obw odu rezonansowego dla niskich i wysokich częstotliwości jest mała. W rezo nansie rów noległym o b w ó d o s c y la c y jn y ma n a j większą impedancję równą rezystancji strat. Impedancja rów noległego obw odu oscylacyjne go jest dla częstotliw ości rezonansowej rów na równoległej rezystancji strat obwodu.
03 I
Rys. 3. Wykresy wskazowe prądów i admitancjl równole głego obwodu rezonansowego I ^
P
n
+
d c - k ) 2
q> = arctg
/ Im pedancja szeregowego obwodu rezonansowego dla częstotliwości rezonansowej jest równa rezystan-i cji strat tego obw odu. *
Rys. 1. Zmienność impedancji szeregowego obwodu rezonansowego w funkcji częstotliwości
Rys. 4. Impedancja 2 równoległego obwodu rezonanso wego w funkcji częstotliwości
122
3.3 Obwody prądu przemienną
, ch amplituda oscylacji na krzywej rezonansowej wartości 70,7% (1 /V 2 ) wartości maksymalnej.
P rzykła d 1: Rów noległy obw ód oscylacyjny ma rezystancję Rr = 100 k£2 i reaktancję XL = Xc = 500 £2 i jest zasilany z generatora sinusoidalnego napięciem o wartości skutecznej 10 V. Jaki jest prąd całko wity i prądy składowe dla częstotliwości rezonan sowej?
spada d o
szersze pasmo przenoszenia B obwodu oscy. cyjnego dla takiej sam ej częstotliw ości rezo nansowej, tym mniejsza jest dobroć obwodu.
R ozw iązanie:
i = JŁ = 10 v Rr
1 0 0 kQ
u 0 k
10 V 500Q
Xc =
h
-
0,1 m A Rys. 1. Równoległy obwód rezonansowy z szeregową' rezystancją strat
: 20 m A
Zr = Ra
Jeżeli straty w o b w o d zie o s c yla cyjn ym rosną, i krzywe rezonansowe są bardziej płaskie niż w wyi padku mniejszych strat.
R -C Lr — Xęr i R<śXc
Gdy
C z ę s to tliw o ś ć rezonansow a
° =i
P rz y k ła d :
W szeregowym i rów noległym obwodzie oscyla cyjnym z małymi stratami energii w rezonansie reaktancje indukcyjna i pojemnościowa są równe.
mr -L
o)r ■C
2 ■n y L Ć P rzykład 2: Kondensator o pojem ności 15 nF jest połączony szeregowo z dławikiem indukcyjnym o pojem no ści 100 mH. O bliczyć częstotliw ość rezonanso wą. R ozw iązanie: 1
Funkcje zmienności prądu wypadkow ego w ob w o dzie oscylacyjnym równoległym I napięcia wypadko wego w obwodzie oscylacyjnym szeregowym mają nodobny kształt (rys. 1). Krzywe te nazywa się krzyL m( re zonan sow ym i. Kiedy straty w obwodzie oscy lacyjnym rosną pod w pływ em w zrostu rezystancji uzwojenia cewki lub pod wpływem zmniejszania się rezystancji rów noległej w obw odzie rów noległym , krzywe rezonansowe mają podobny, plaski przebieg.
W rezonansie:
20 m A
Prądy w elementach obwodu oscylacyjnego (rys. 1) są w rezonansie znacznie większe niż prąd całkow i ty obw odu (rezonans prądów ).
W rów no le g łym ob w o d zie oscyla cyjn ym z cewką o większych stratach w rezonansie prąd cewki jest trochę większy niż prąd kondensatora (rys. 2). Dla tego w tym przypadku częstotliw ość rezonansowa obwodu jest trochę mniejsza. Częstotliwość rezonansowa rów noległego obw odu o scyla cyjn e g o je st zatem p o zastosow aniu cewki o większych stratach trochę mniejsza niż częstotli wość rezonansowa obw odu bezstratnego.
R, bardzo male
H, bardzo duże
Krzywa rezonansowa szeregowego obwodu oscy lacyjnego ma dla częstotliwości 470 kHz maksiW szeregowym obwodzie:
, mum. i Dla częstotliwości 467 kHz I 473 kHz wartości na krzywej stanowią 70,7% w artości m aksym alnej. Jaką dobroć ma ten obwód?
£
fl,
Rozwiązanie:
Q= ł
470 kHz 473 k H z - 4 6 7 kHz
5« Xr
= 78,3 Q fr
i Dobroć obwodu zależy od rezystancji strat. Do broć szeregowego obwodu rezonansowego jest : tym większa, Im większy jest stosunek reaktancji , cewki lub reaktancji kondensatora do rezystancji uzwojenia cewki.
t a
W równoległym obwodzie:
r a
n
n
Zr Rs
Rr B
-
dobroć obwodu ■ własna częstotliwość rezonansowa obwodu reaktancja rezonansowa rezystancja uzwojenia cewki rów noległa rezystancja strat pasm o przenoszenia
i
t. Opisz podstawowe właściwości i parametry prądu przemiennego. 2. Zdefiniuj pojęcia mocy czynnej, biernej I pozornej w obwodzie prądu przemiennego oraz podaj jednostki tych mocy. 3. Określ zachowanie kondensatora w obwodzie prądu przemiennego. Rys. 2. Rodzaje obwodów oscylacyjnych
O bwody oscylacyjne w rezonansie mają charakter rezystancyjny i dlatego pomiędzy wypadkowym napll ciem 'I wypadkowym prądem nie ma przesunięcia fazowego.
4. Określ zachowanie cewki w obwodzie prądu przemiennego. 5. Wyjaśnij pojęcie reaktancji Indukcyjnej. 6. Jak zachowują się elementy bierne w obwodach prądu stałego i przemiennego? 7. Podaj przyczynę strat energii w kondensatorze i cewce pracujących w obwodzie prądu przemiennego. B. Co to znaczy „dolnoprzepustowość" I „górnoprzepustowość" filtrów RC i RL?
Pasm o p rze n o sze n ia i d o b ro ć o b w o d u W ielkością umożliwiającą porównanie obw odów oscylacyjnych (rys. 1 na na stęp n e j stro n ie ) o tej same) częstotliwości rezonansowej jest pasm o przenoszenia. Pasmo przenoszenla-jęst różnicą częstotliwości, pref
3, Podaj warunek oscylacji obwodu rezonansowego. 10. Jakie pasmo przenoszenia ma obwód rezonansowy o dobroci Q = 100 i częstotliwości fr = 1 WIHz?
124
3.3 Obwody prądu przemienn
H p^Mindytrójfazowe
125
prądu przemiennego
3.4 Obwody trójfazowe wolenia fazowe generatora wytwarzającego prąd izeniienny można połączyć na dwa sposoby. Jeżer wvprowadzi się początki uzwojeń i zewrze się końto powstaje symetryczny układ połączeń, zwa nym połączeniem w gwiazdę - Y (rys. 1).
3.4.1 Wytwarzanie napięcia trójfazowego Generator trójfazowy sktada się ze stojana, na któ rym umieszczono Irzy identyczne uzwojenia przesu nięte geom etrycznie w przestrzeni o 120°, i jeden w irnik z jedną, lub w ielom a param i bie g u nó w m a gnetycznych w ytw orzonych przez m agnesy trwale lub elektrom agnesy (rys. 1).
Jeżeli połączy się odpow iednio początek uzwojenia lu c e rn następnego uzwojenia, to powstanie po łączenie zwane połączeniem w trójkąt - A (rys. 1). Należy tu wyjaśnić, że w generatorach z uzwojenia mi połączonymi w trójkąt nie ma m ożliwości w ypro wadzenia linii czteroprzewodowej.
W skutek obracającego się w irnika w polu m agne tycznym w każdym z uzwojeń stojana, zgodnie ze zjawiskiem indukcji elektrom agnetycznej, powstaje zmienne w czasie napięcie. Ponieważ trzy uzwojenia przesunięte śą w przestrzeni stojana względem sie bie o 120°, in d u k o w a n e n a p ię cia są prze su n ię te w fazie też o kąt 120°. Generatory trójfazowe wirują ce z wielkim i prędkościam i mają jedną parę biegu nów (rys. 1), natomiast generatory o maiych prędko ściach wirowania mają więcej par, zazwyczaj osiem.
>W urządzeniach i m aszynach trójfazow ych, np. w silnikach trójfazowych, m ożna uzyskać o d p o wiednie połączenie (Y lub A), przełączając mostki : na tabliczce przyłączeniowej (rys. 2).
połączenie gwiazdy
połączenie trójkąta
3.4.2.1 Uktad gwiazdy
System napięć trójfazow ych składa się z trzech źródet napięcia przem iennego, które są skojarzone ze sobą w jednej maszynie elektrycznej i pom iędzy którym i w ystępuje przesunięcie fazowe 120°. Takie s k o ja rz e n ie ź ró d e ł u m o ż liw ia p rze s ia n ie e n e rg ii elektrycznej czterem a liniami, po jednej dla każdej z faż i jednej wspólnej neutralnej, zerowej (rys. 2). W przypadku braku skojarzenia źródeł każdą z faz należałoby przesyłać osobną parą przewodów.
Prąd
Przy połączeniu w gwiazdę każda faza tworzy nieza leżny układ zasilania. Między fazami nie ma przeplywu prądu. Natężenie prądu w u zw ojeniach fa zo wych źródła zasilania jest takie samo jak w przewo dzie fazowym linii zasilającej odbiornik. Jeżeli do li nii trójfazowej dołączy się odbiornik składający się z identycznych rezystorów połączonych w gwiazdę, to w przewodach linii popłyną trzy takie same, co do wartości, przesunięte w fazie prądy (rys. 3).
Jeżeli do czteroprzewodowej linii podłączym y dwie identyczne maszyny elektryczne, to zgodnie z regu łą Lenza n a p ę d z a ją c je d n ą m aszyn ę , w d ru g ie j uzyskamy wirujące pole magnetyczne i maszyna ta zacznie także wirować. W irujące pole m agnetyczne w drugiej maszynie jest wzbudzane przez prądy pły nące w o b w o d ach , a w o b e c sko ja rze n ia faz tych maszyn prąd ten nazywa się prądem trójfazowym.
Po uwzględnieniu odpowiednich wartości chwilowych tych prądów okaże się, że wypadkow y prąd, będą cy sumą prądów fazowych, jest równy zero. Dlatego dla o d b io rn ik ó w s y m e try c z n y c h p o łą c z o n y c h w gwiazdę przewód neutralny nie je st potrzebny. Dokładniej niż na podstawie czasowych przebiegów prądów w linii zasilającej, można wyjaśnić to z w y kresu wskazowego prądów (rys. 4).
Czteroprzewodową linię przesyłową tworzą trzy przewody fazowe i jeden przewód neutralny (ze rowy). Przewód neutralny jest uziemiony i w prak tyce ma względem ziemi potencjał bliski zera.
Napięcia W połączeniu gwiazdy stosowanie przewodu neu tralnego nie zawsze jest konieczne. Jeżeli przewód neutralny jest w ykorzystyw any, to na każdej fazie odbiornika, niezależnie od wartości rezystancji, za wsze jest napięcie fazowe. Jeżeli układ połączeń nie ma przewodu neutralnego, to napięcie fazowe na poszczególnych fazach odb io rn ika jest równe na pięciom fazowym linii zasilającej tylko wtedy, kiedy odbiornik i linia zasilające są symetryczne. Napięcie międzyfazowo można obliczyć z wykresu w skazo wego (rys. 1 na następnej stronie).
Napięcia pom iędzy przewodam i fazowymi i prze wodem neutralnym nazywają się napięciami fa zowymi i na wykresie wskazowym pokazane są jako gwiazda napięć fazowych. Napięcia m iędzy p o szcze gó ln ym i przew odam i fazowymi nazywają się napięciami międzyfazowymi (liniowym i) i na wykresie wskazowym re prezentowane są przez trójkąt napięć liniowych (rys. 3). T. [
J
Rys. 2. Tabliczka skrzynki zaciskowej
.
126
3.4 Obwody trójfazowe prądu przemień^'
zm
W układzie połączeń w gwiazdę napięcie międzyfazowe jest >/3 razy większe od napięcia fazowego.
, -k o n a p ię c iu fazowym 2 3 0 V wym aga do pracy w S? dzie trójkąta sieci o napięciu m iędzyfazow ym n V a d la u k,a d u g w ia z d y s ie c i o n a p ię c iu
Przykład: Silnik trójfazowy połączony w gwiazdę jest zasi lany z sieci 3x380 V. Jakie jest napięcie fazowe?
i^ ę d z y fa z o w y m 4 0 0 V.
PrzV rozruchu m etodą g w ia zd a - tró jk ą t siln ik o n a p ię c ia c h fazowych np. 4 0 0 V zostaje przyłą czony do sieci 4 0 0 V w połączeniu w gwiazdę. W tym p rz y p a d k u u z w o je n ia fa z o w e s iln ik a w chwili połączenia zasilane są je d yn ie na p ię ciem 2 3 0 V. Początkowy prąd rozruchowy zmie; nia gię do jednej trzeciej prądu znam ionowego. Po rozruchu następuje przełączenie z gw iazdy w trójkąt celem optymalnego wykorzystania zna mionowych param etrów silnika, przede wszyst
Rozwiązanie: 380 V
U,=
219,39 V
3A.2.2 Układ trójkąta
127
r h ,.,nriy trójfazowe prądu prźemiennego
Sn V x y Rys. 1. Wykres wskazowy mocy z uwzględnieniem kompen sacji ( rp , - przed kompensacją, po kompensacji)
kim mocy. Napięcia W układzie połączeń w trójkąt, inaczej niż w połą czeniu w gwiazdę, każda faza odbiornika jest zasila na napięciem przewodowym .
3,4.3 Układy kompensacji mocy biernej
Prąd W układach sym etrycznych kąt przesunięcia fazo wego m iędzy trzema prądam i w przewodach linii za silającej jest równy 120°.
Pośród wielu o d b io rn ikó w energii e lektrycznej są urządzenia, których współczynnik mocy cos rp daleki jest od wartości 1. W takim przypadku pobiera ny jest prąd bierny obciążający sieć i zwiększający spadki napięcia w linii zasilającej.
W ynika z tego, że prąd w linii (prąd przewodowy) jest trzy razy większy od prądu płynącego w fazie odbiornika (rys. 2).
1Najczęściej używanymi urządzeniami wym agają; cymi kompensacji m ocy biernej są asynchronicz n e silniki prądu przem iennego, fluorescencyjne ■lampy oświetleniowe, urządzenia grzewcze o du; tych indukcyjnościach.
3.4.2.3 Zastośowanie układu gwiazdy i trójkąta Początkowy prąd rozruchowy asynchronicznych sil ników trójfazowych jest okoto 6 do 8 razy większy od prądu znam ionow ego. W celu uniknięcia dużych uderzeń p rą d ó w rozru ch o w ych stosuje się o d p o wiednie m etody rozruchowe, np. poprzez przełącz nik 0 - A - A.
U = U, I i, U Uf
-
I = V3 ■/,
prąd przewodowy (linii zasilającej) prąd fazowy odbiornika napięcie międzyfazowe w linii zasilającej napięcie fazowe odbiornika
Tab. 1. Połączenia silnika o znanym napięciu fazowym umożliwiające jego pracę w określonej sieci Napięcia fazowe silnika
40ov .• 230V
J
Napięcia sieci trójfazowej 690V
400V
A
A A
230V
A
j
300V --------------------------r-qj "
"
-«i
W silnikach indukcyjnych współczynnik m ocy zależy od obciążenia. Przy biegu ja ło w ym w sp ó łczyn n ik mocy osiąga wartość jedynie 0,1 do 0,3 i w miarę wzrostu obciążenia cos
Tab. 1 pokazuje możliwości pracy silnika o podanym napięciu fazowym, w sieciach trójfazowych o podanych napięciach międzyfazowych. ' Silnik o napięciu fazowym 400 V wym aga do pracy w układzie trójkąta sieci o napięciu międzyfazowym 4(30% a dla uktadu gwiazdy sieci o napięciu międzyfazowym 690 V.
V i i ti t Rys. 4. Kompensacja centralna odbiorników elektrycznych
128
3.4 Obwody trójfazowe prądu przemienni
129
^ ^ e le k t r o n ic z n e
W kom pensacji indyw idualnej, stosow anej do kom pensacji w je d n ym urządzeniu, układ kom pensuyt umieszczony jest jak najbliżej urządzenia. Na rys. 2 na poprzedniej stronie pokazano poglądow y schemat dywidualnej kom pensacji równoległej, stosowanej przy silnikach asynchronicznych, i szeregową kompan, cję stosowaną przy świetlówkach. Rys. .3 na poprzedniej stronie pokazuje schemat stabilizatora i tabliczkę znamionową lampy fluorescencyjnej S
1
1. Opisz budowę generatora trójfazowego napięcia przemiennego. 2. Opisz czteroprzewodową linię przesyłową. 3. Jak nazywane są napięcia pomiędzy przewodami fazowymi i przewodem neutralnym? 4. Jak nazywa się napięcia pomiędzy przewodami fazowymi? 5. Opisz układ trójkąta. 6. Opisz układ gwiazdy.
■i 7. Wyjaśnij, dlaczego w przypadku odbiornika symetrycznego, połączonego w gwiazdę, nie jest potrzebny prjjj wód neutralny?
8. Podaj przykład zastosowań połączeń gwiazdy i trójkąta. 9. Na zakończenie rozdziału o podstawach elektrotechniki podaj opis elemeritów biernych w obwodach prątjl przemiennego - dla przypomnienia:
if
- w przypadku połączenia szeregowego elementów R, L, C:
Impedancja
Z
rezystancja
R
reaktancja
X
Układ elektroniczny jest określoną strukturą fizyczną służącą przetwarzaniu sygnałów i strumieni energii, modnie z pewnym założonym algorytm em (planem funkcjonalnym). Podstawowym budulcem układów elektronicznych są elementy elektroniczne. Elemen ty elektroniczne m ogą być zarów no e le m e n ta m i pasywnymi (tzn. elementami rozpraszającymi i manazynującymi energię), jak również ele m e n ta m i ak tywnymi (tzn. wytwarzającymi, wzm acniającym i lub dostarczającymi energię). W układach elektronicznych typow ym i elementami p a s y w n y m i są rezystory, kondensatory i cewki in dukcyjne, natomiast typowym i elementami aktywny mi są źródła napięcia i prądu, fotodiody, tranzystory, (¡Itry aktywne itp. Przykład prostego układu elektro nicznego złożonego zarówno z elem entów pasyw nych, jak I a ktyw n ych p rz e d s ta w io n o na ry s . 1 . Stosowane sym bole graficzne w ybranych elem en tów elektronicznych zestawiono w tab. 1 .
Z =yJR2 + X 2
V = arcig ~
Symbol graficzny elementu
Nazwa elementu
-d m
Potencjometr o styku ślizgowym
-c m y
konduktancja
G
susceptancja ■
ß
Rys.l. Przykład układu elektronicznego. Elementami pasywnymi są: rezystory R1, R2, Rc. Elementami aktywnymi są: tranzystor T i źródło napięcia zasilania U Cc
Tab. 1. Symbole graficzne elementów elektronicznych 1
-w przypadku połączenia równoległego elementów R, L, C:
admltancja
Ucc
y = \je i + b 2
(p =
. B arctg ™
<$>
Rezystor
. Symbol graficzny elementu
4
Indukcyjność
Rezystor PTC
3 G E l[ _L c=m
Kondensator stały
Dioda o zmennej pojemności (waraktor)
1według PN-EN 60617
Kondensator nastawny
Lampa
Bezpiecznik topikowy
+L ■ ~r
Nazwa elementu
Kondensator biegunowy
è i
Transformator
Element piezoelektryczny Uziemienie ochronne
Ekwipotencjalność
Cewka, uzwojenie, dławik
i
130
4.1 Podstawowe pojęcia z zakresu budow y układów elektronicznyc|
Symbol graficzny elementu
Nazwa elementu
Symbol graficzny elementu
Wtyk gniazdo - złącze
- o
Tranzystor NPN
B -K
Zestyk zwierny G
Zestyk przelączny przerwowy
4
Tranzystor połowy '1 złączowy z kanałem | typu N
- s
K (____D G
. K |____D
|}~ ^
G
!* -* •
3
s
kanał P
kanał N
Zestyk rozwlerny o
o
Idealne źródło napięcia
Nazwa elem entJ
kanał P
j£
°
Tranzystory IGFET typu wzbogaconego® z kanałem typu P i !j| Tranzystory unipolarrj| IGFET z kanałem zubażanym typu P 1 | j l
kanał N
Fototranzystor NPN
Idealne źródło prądu
4 { podstawowe pojęcia z zakresu budow y układów elektronicznych
131
ul dv elektroniczne budowane są z d y s k re tn y c h , s c a lo n y c h i h yb ry d o w y c h elem entów elektronicznych, i mentem dyskretnym jest każdy elementarny, dający się w yodrębnić fizycznie przyrząd elektroniczny. Elent scalony jest układem elektronicznym zbudow anym z niedających się w yodrębnić elem entów elektro^zn ych, wytworzonych w materiale o strukturze jednorodnej. Elementy elektroniczne złożone z wewnętrzn! zespóionych elementów dyskretnych i scalonych noszą nazwę elementów hybrydowych. Do elementów H^kretnych zaliczane są np. rezystory, kondensatory, diody, tranzystory. Elementami scalonym i są np. cyf we układy logiczne, wzmacniacze operacyjne, układy m ikroprocesorowe. Elementami hybrydowym i są pp przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe, m odem y radiowe itp. Układy elektroniczne klasyfikowane są na wiele różnych sposobów. Kryterium podziału może być nie tylko rodzaj zastosowanych elementów, ale także postać i sposób przetwarzania informacji w tych układach (np. • układy analogowe i cyfrowe, układy kombinacyjne i sekwencyjne, układy stato- i zmiennoprogramowe). . Każdy element elektroniczny ma swój własny sym bol graficzny. Sym bole graficzne służą do budow y s ch e matów ideow ych u kła d ó w e le k tro n ic z n y c h . O bok sym bolu graficznego um ieszczane jest zwykle kata logowe oznaczenie elementu. Powszechnie przyjęto, że elementy na schemacie elektronicznym oznaczane są pierwszymi literami nazwy danego elementu i kolejnym numerem na schemacie ideowym, np. dla rezy storów będą to sym bole R1, R2 ,..., dla kondensatorów C1, C2 dla tranzystorów: T1, T2,„. itd. O bok sym bolu nazwy i kolejnego numeru elementu umieszczane są również podstawowe inform acje umożliwiające przeprowadzenie prawidłowej analizy układu oraz je g o realizacji fizycznej. Do inform acji tych zaliczyć można typ elementu, wartości i tolerancje jego charakterystycznych parametrów, a także w ym agania technologicz ne (np. minimalną szerokość ścieżek łączących te elem enty na płytce drukowanej).
4.1.2 Elementy bierne i czynne układów elektronicznych
c
v Akumulator lub bateria
*
Dioda półprzewodnikowa
EZf1
J32 B1
Sprzęgacz optyczny '| (transoptor)
Tranzystor jednozlączowy z bazą] typu N ,'t
Fotorezystor Fotodioda - > i Dioda lawinowa jednokierunkowa, dioda Zenera
T
Ogniwo fotoelektrycznij
Czwórnlklem (elementem) biernym (pasywnym) nazy, wamy taki czwórnik, w którym odprowadzona energia elektryczna jest mniejsza niż energia doprowadzona.
Tyrystor triodowy blokujący wstecznie z bramką typu P
Dioda elektrolumine scencyjna
Tyrystor diodowy obukierunkowy symetryczny
Każdy elem ent ele ktro n iczn y m ożna przedstaw ić tv postaci cz w ó rn ik a (rys. 1). C zwóm ik je s t ukła dem elektrycznym o dowolnej strukturze wewnętrz nej, posiadającym cztery zaciski uporządkow ane w dwie pary. Zaciski wyprowadzone są na zewnątrz i nazywane bram am i: w e jścio w ą i w yjścio w ą . Każ da brama stuży d o d o p ro w adzenia lu b o d p ro w a dzenia energii do lub z czwórnika. W analizie zagad nień energetycznych czw órnika istotne są związki między energią ele ktryczn ą d ostarczaną i e n ergią elektryczną o d p ro w a d z a n ą z czw órnika. B ila n s energii elektrycznej dostarczonej i odprowadzonej ' z czwórnika może być dodatni, ujemny lub zerowy.
iii
Wynika z tego, że energia elektryczna pobrana z ze wnątrz przez ten element jest energią dodatnią. Typo wym elementem biernym jest rezystor (rys. 2 ).
U i ■l t • t
Ei Ez Eo AE
U h Ui Uz f
■ U i- lo - t
energia doprow adzona do czwórnika energia odprowadzona z czwórnika energia rozproszona w czwórniku różnica pom iędzy energią odprow adza ną i doprowadzaną do czwórnika różnica p om iędzy prądem w yjściow ym a wejściowym prąd wejściowy prąd wyjściowy napięcie wejściowe napięcie wyjściowe czas 2 .....f ------w" r \
--------------Rys. 2, Rezystor (element bierny) w układzie czwórnika
132
4.1 Podstawowe pojęcia z zakresu budow y układów elektronii ktraniczna
Czwórnikiem (elementem) czynnym (aktywnym) nazywamy taki czwórnik, w którym energia elek tryczna odprow adzona jest większa niż energia doprowadzona.
o-
-~ 0 ' t
Ms> > 1 . U1
Warunek ten spełniony jest prawie zawsze w zakre sie m a ły c h i ś re d n ic h c z ę s to tliw o ś c i, p o n ie w a ż zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystorów spełnia warunek p s»1 , a współczynnik wzmocnienia napięciowego jest zwykle > 1. Dopro wadzenie energii do wyjścia czwórnika wym aga jej pobrania z wewnętrznego źródła energii. W przykładzie jak na rys. 1 energia ta jest doprowadzana ze źródła napięciowego o sile elektromotorycznej równej U0. Ze źródła pobierana jest również dodatkowa energia Ea = k ' U2, która nie je st przekazywana do bram y wyjściowej, ale bezpow rotnie tracona w źródle w postaci energii cieplnej.
Rys. 1. Tranzystor (element aktywny) w układzie ■ 7 8 czwórnika E i = U 1 ■ li ■ t
£2 “
¡2
U 2 ' ¡2 ' t
~ fi ’ /i
E ^ P ^ - E ,
-
energia doprowadzona do czwórnm energia odprowadzona z czwórnikąf prąd wejściowy prąd wyjściowy napięcie wejściowe napięcie wyjściowe różnica pom iędzy energią odprawi dzaną i doprowadzaną do czwórnil?| - zw arciow y w spółczynnik wzmocnij nia prądowego - czas
E, Ez 11 ¡z U, U2 AE P
t Jeśli param etry opisujące element bierny lub aktyw ny są niezm ienne w funkcji czasu, to elem ent taki nazywamy stacjonarnym, w przeciwnym przypadku m am y do czynienia z elementem niestacjonarnym iub parametrycznym. Dla przykładu, typowym ele m entem stacjonarnym je s t w yso ko sta biln e źród ło napięcia odniesienia, typow ym elem entem niesta-
cjonarnym jest elektrolityczny kondensator spolaiyt zowany. Jeśli przynajmniej jeden z elementów czwór»1 riika jest elementem nieliniowym, to czwórnik taki rial zywamy nieliniowym. Do grupy tej należy większośi): elementów półprzewodnikowych. Typowym elemetf. tern liniowym jest rezystor.
4.1.3 Układy analogowe, binarne i cyfrowe Układy analogowe przeznaczone są do przetwarzania sygnałów ciągłych. Sygnałem ciągłym jest sygnti; m ożliwy do opisu w postaci funkcji ciągłej lub funkcji przedziałami ciągłej. Typowymi przykładami sygnalóit ciągłych są: wielkości mechaniczne, takie jak np. przemieszczenie liniowe i kątowe, prędkość i przyśpiesz^ nie; wielkości term odynam iczne, takie jak np. temperatura, ciśnienie; wielkości elektryczne, takie jak napięcie; i natężenie prądu. Ściślej rzecz biorąc, elektroniczne układy analogowe przeznaczone są do przetwarzatĄ ciągłych sygnałów elektrycznych. Zatem aby można było przetwarzać sygnały wielkości nieelektrycznych, kój nieczne jest ich przetworzenie do postaci elektrycznej w odpow iednich przetwornikach. Układy analogowe są często klasyfikowane ze względu na przeznaczenie. W związku z tym wyst? pują między innymi: •
•
a c n i a c z e a ku styczne - przeznaczone do wzm acniania sygnałów audiofonicznych, ! * k) c|y generacyjne - przeznaczone do generowania przebiegów zmiennych (rys. 1 ), ; ' Urrsdla napięcia odniesienia - przeznaczone do zastosowania w przyrządach pomiarowych, | eldady przetwarzania napięcia i prądu - przeznaczone do wytwarzania i przetwarzania napięć
133
prą-
dów, układy regulatorów napięcia - przeznaczone do układów regulacji i stabilizacji napięć, a n a l o g o w e przełączniki sygnałów - przeznaczone do przełączania sygnałów analogowych, układy mikserów analogowych - przeznaczone do mieszania sygnałów analogowych, I * układy zasilające - przeznaczone do zasilania prądem stałym innych układów.
Wynika z tego, że energia elektryczna pobrana z ze wnątrz przez ten element jest energią ujemną. Typo wym elementem czynnym jest układ tranzystora (rys. 1). Tranzystor zwiększa energię elektryczną na bramie wyjściowej czwórnika, o ile spełniony jest warunek P
^ podstawowe pojęcia ż zakresu budow y układów elektronicznych
wzmacniacze operacyjne - przeznaczone do wykonywania operacji arytmetycznych na sygnałach ¡(dfl dawanie, odejmowanie, mnożenie, całkowanie itd.). Wśród tych wzmacniaczy istotną grupę stano# precyzyjne wzmacniacze przeznaczone do celów pomiarowych zwane wzmacniaczami instrumentalnyrrf filtry aktywne - przeznaczone do wykonywania operacji na widmie sygnału wejściowego (filtry pasmoWj przepustowe, filtry grzebieniowe itd.), ^
,
V*.
Istotną wadą układów analogowych jest ich wrażli wość na zakłócenia zewnętrzne. Najczęściej zakłó cenia zewnętrzne zniekształcają sygnały analogowe w sposób addytywny (sumując się z sygnałem). O d dzielenie zakłóceń od sygnału użytecznego wym aga zastosowania dodatkow ych układów filtrujących. Mimo to pełne oddzielenie zakłóceń od sygnału nie test całkowicie możliwe. Z tego powodu coraz czę ściej stosowane są układy przetwarzania i przesyła nia sygnałów an a lo go w ych m etodam i cyfrow ym i. Metody te bowiem zapewniają większą od p orn o ść na zakłócenia. Aby możliwe byto zastosowanie me tod cyfrowych przetwarzania sygnałów analogowych, konieczne jest ich przekształcenie (konwersja) do postaci cyfro w e j. O p e ra c ja ta je s t d o k o n y w a n a w przetwornikach analogowo-cyfrowych. Operacja odwrotna, tzn. przetworzenie sygnału z postaci cy frowej do p o staci a n a lo g o w e j, d o k o n y w a n a je s t w przetwornikach cyfrowo-analogowych. Uklady cyfrowe, nazywane również układami dys kretnymi, operują wyłącznie na sygnałach dyskret nych, tzn. przyjm u ją cych ty lk o i w yłą czn ie ściśle określone w artości. Układy o p e ru ją c e na d w óch wartościach nazywamy dwuwartościowymi lub bi narnymi. Układy binarne mają szerokie pole zasto sowań w technice cyfrowej, m ikroprocesorowej, ste rowaniu procesów itp. Uktady binarne m ają wyróż niono dwie wartości, którym, zależnie od kontekstu, przyporządkowywane są wartości logiczne: prawda Rys. 2. Komparator. Schemat konwersji ciągłego sygnału I fałsz, cyfry: 0 i 1 , poziom y: wysoki i niski, cechy: analogowego do postaci dwuwartośclowego biały i czarny iub stany: w łączony i wyłączony. Przy sygnatu cyfrowego kładowo , w opisie binarnym temperatura może być wysoka lub niska, styki przekaźnika m ogą być za mknięte lub otwarte, poziom płynu może być za duży lub za mały. Cechą charakterystyczną sygnałów binar nych jest brak stanów nieustalonych pomiędzy stanem logicznym 0 i stanem logicznym 1. Sygnały analogowe (ciągle) mogą być przekształcone w sygnały binarne. Elementarnym układem umożliwiającym konwersję sygnału z postaci ciągłej do binarnej (nieciągłej) jest komparator (rys. 2). Na wartościach binarnych wykonywane są operacje arytmetyczne. Zbiór aksjomatów, regut i twierdzeń zde finiowanych dla wielkości dwuwartościowych nosi nazwę logiki binarnej, logiki dwuwartościowej lub logiki boolowskiej (rozdz. 4.3).
134
4
4.1 Podstawowe pojęcia z zakresu budow y układów elektronii
^ p o d stawowe pojęcia z zakresu budow y układów elektronicznych
.1.4 Układy kombinacyjne ł sekwencyjne
Układ kombinacyjny
Rys. 1. Schemat blokowy układu kombinacyjnego: x - wejścia, y - wyjścia układu
. Układ sekwencyjny charakteryzuje się tym, że in form acja wyjściow a zależy zarówno od bieżącej 1 informacji wejściowej, jak i od poprzednich infor■ m acji wyjściowych. Zbiór wartości jakie występują na wyjściu układu na zywamy także stanem wyjść układu. Zatem, w od różnieniu od układu kom binacyjnego, dla tych sa m ych w e jść ukła d se kw encyjny m oże generow ać różne sygnały wyjściowe zależne od jego stanu. Aby
*
0 0 0
C o o' 0
o:
o o o o o
•1 :: 1T
1
■&
, sygnali wyjściowi
sygnały wejściowe B
Y—■' o 0
o ..........
1
o ........
..1 ~ o 0
1
o
.. . . . . . .
-r~
o .........
0 o o 0
o 0
o ......
1 1
0
1 T "
o 0
1 1
1 1
o •T"-' 0
1
c
l
D
„
u k ła d d e k o d e ra
----- ►
podobnie jak d la układów ko m b in a cyjn ych , prze kształcenie informacji wejściowej w wyjściową odby wa się według pewnego porządku, który może być zapisany w postaci analitycznej, tabelarycznej lub al gorytmicznej. Je śli zm iany w yjść lu b sta n ów w e wnętrznych układu sekw encyjnego następują syn chronicznie z pewnym taktem, to taki uktad nazywa my synchronicznym układem sekwencyjnym. synchronizacji polega na w prow adzeniu wewnętrznego układu taktow ania zm ieniającego 1 stany wyjścia w ściśle określonych chwilach czaso wych, a więc s y n c h ro n ic z n ie z p e w n ym taktem . Okres taktowania jest tak dobierany, aby byt dłuż szy od najdłuższego czasu propagacji sygnału od wejścia do wyjścia układu, tzn. tak, aby w czasie ¡aktu m ogły za n ikn ą ć w s z e ik ie g o ro d z a ju efe kty związane z hazardem . W adą s y n c h ro n iz a c ji je st zwiększenie stopnia złożoności układu.
IP 3 H 5 G u k ła d k o m b in a c y jn y
dekoder
T e c h n ik a
Układy sekwencyjne są stosowane do budowy ukła dów liczących (rys. 2), układów stało i zmiennoprogramowych, w układach sterowania czasowo-sekwencyjnego (rys. 3) itp.
1
Y
Rys. 1. Schemat blokowy układu sekwencyjnego: x - wejścia, y - wyjścia układu
re je s tr b in a rn y u k ła d s e k w e n c y jn y
s u m a to r
Rys. 2. Schemat blokowy układu sekwencyjnego (licznika Impulsów)
p rze jścia
d ziałanie
kroki -T 3
(sian y w łą cze n ia silnika)
silnik g o to w y d o n o rm a ln e j pra cy
S1 silnik w łą czo ny
- T1 slln ik.w u kład zie „g w ia z d a ”-;
S2
cza s o czekiw an ia t-
-3 s-
T2
4.1.5 Układy o stałym programie oraz układy programowalne
A *
oraz y = f(A),
Układy sekwencyjne nie muszą posiadać wejść ze wnętrznych. Jeśli układ se kw encyjny nie posiada wejść zewnętrznych, to układ taki nazywamy ukła dem autonomicznym. Przykładem układu autono micznego może być licznik czasu stosowany w ze garkach elektronicznych.
Rys. 2. Tablica prawdy układu kombinacyjnego dekodera kodu binarnego
B
y = f(x,A )
i gdzie: A jest sianem wewnętrznym układu. Pierwszy {opis dotyczy tzw. autom atu M ealy'go, d ru g i tzw. automatu Moore’a.
układ ko m b in a cyjn y
A
Układ sekwencyjny
Stan wyjścia układu sekwencyjnego m oże być opi sany za pomocą dwóch równoważnych funkcji: :E
Układ ko m binacyjny charakteryzuje się tym , że : inform acja w yjściow a zależy w yłącznie od infor; macji wejściowej.
A lg o ry tm y p rze k s z ta łca n ia in fo rm a cji w e jścio w e j w wyjściową są realizowane fizycznie w cyfrowych układach elektronicznych. Czas realizacji takiego algorytm u je st zależny od stopnia je g o złożoności i od dynam icznych w łaściwości elem entów zastoso wanych w takich układach. Parametry dynam iczne tych elementów, takie ja k skończone czasy przełą czania stanów , są ź ró d łe m w ystę p o w a n ia n ie ko rzystnego zjawiska zwanego hazardem. Zjawisko to po le g a na krótkotrw ałym generow aniu fałszyw ych sygnałów wyjściow ych (tzn. niezgodnych z tablicą prawdy) przez układ kom binacyjny, szczególnie w chw ilach n astępujących bezpośrednio po zm ianie stanu któregokolwiek z wejść. Efekt hazardu może być w yelim inow any przez odpow iednie zaprojekto wanie układu kom binacyjnego.
informacje wyjściowe m ogły być p oda wane na wejście układu, muszą być wcześniej zapa miętane. Mówimy zatem, że układy sekwencyjne są układami z pamięcią. O gólny schemat blokow y ta kiego układu podano na rys. 1.
o o p rz e d n ie
Istota p rzetw arzania cyfro w e g o polega na przekształceniu cyfrowej inform acji wejściowej x w cyfrową j j l mację wyjściową y. Informacji wejściowej i wyjściowej można przyporządkować pewne wartpści. Przetwaf nie cyfrowe nie wiąże się zatem ze zmianą struktury informacji (cyfrowa), ale ze zmianą jej wartości. Przgti/i rzanie cyfrowe odbywa się w układach cyfrowych. Ze względu na sposób przetwarzania informacji w J l układach m ożliwe jest wyróżnienie dwóch rozłącznych klas ukła d ó w : ko m b in a cyjn ych i sekwencyjnych C
Ogólny schemat blokowy takiego układu podano na rys. 1. Przekształcenie informacji wejściowej w wyj ściową odbyw a się w edług pewnego algorytm u, któ ry może być przedstawiony w postaci analitycznej lub tabelarycznej. Ten drugi sposób jest stosowany zwłaszcza w przypadkach występowania niewielkiej liczby wejść i wyjść. Tablica umożliwiająca odw zoro wanie w ejść cyfrow ych w w yjścia cyfrow e nosi na zwę tablicy prawdy (rys. 2). Układy kombinacyjne są stosow ane do b u d ow y koderów i dekoderów (rys. 3), multiplekserów i demultiplekserów, ukła dów sumujących, komparatorów cyfrowych itp.
___________________________^
/« “ “
L
Rys. 3. Schemat blokowy układu kombinacyjnego dekodera kodu binarnego
S3 - siln ik - . wyłączony-
— | S-1 silnik- w u k ła d z ie tr ó jk ą t* -
^ q1
S - z a pa m ię tan e N - n ie p a m ię la n e D - o p ó źnian e
Rys. 3. Schemat działania sterowania czasowo-sekwencyjnego
II Układy sekwencyjne umożliwiają realizację układów programowalnych, tzn. takich układów, w których sekwencje stanów wewnętrznych i stany wyjść są kontrolowane przez precyzyjnie zdefiniowany algorytm zwany programem. Jeśli możliwe jest swobodne dokonyw anie zmian tego programu, to układ taki nazy wamy układem programowalnym. W przeciwnym przypadku m ów im y o układach stałoprogramowych (tab. 1 na następnej stronie).
136
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronloj^
137
, prïiprTBWodnikowe ełementy i układy elektroniczne
Rozróżnienie układów o stałym program ie i układów program ow alnych ma obecnie w ym iar history021 w tym sensie, że w iększość obecnie realizowanych układów jest układami programowalnym i. Każdy ukr^i program ow alny może być układem stałoprogram owym , jeśli jego program nie będzie zmieniany.
owadzeniu (domieszkowaniu) atom ów pierwiastków trójwartościowych, np. indu lub pięciowartościooyfn wpr t onu_zarówno krzem, jak i german stają się dobrym i przewodnikami prądu elektrycznego, y/ych, nP*
Przypadkowa zm iana lub zamazahie fragm entu lub całości program u, spowodow ana np. przez zakfŚ cenią, może doprow adzić do nieprawidłowej lub niekontrolowanej pracy układu.
tvwność właściwa dom ieszkowanego krzemu lub germanu, określająca ich zdolności przewodzeelektrycznego, jest znacznie wyższa niż dla izolatorów (materiałów nie przewodzących) i z n a cz-.; i I® niższa niż dla metali (przewodników). Z tego powodu materiały te nazywamy półprzewodnikami, tzn. teriatami o pośrednich właściwościach przewodzących.
Zaletą układów stałoprogram owych jest to, że ich program może być zakodow any w sposób trudny '{$§ zamazania. W Dlatego układy stałoprogram owe mają szczególne znaczenie w zastosowaniach przem ysłowych o p i f wyższonych w ym aganiach na bezpieczeństwo procesu. Układy takie stosowane są np. w układach ś tl rowania ruchem ulicznym, w układach zabezpieczeń układów sterowania dźw igów osobowych, czy ukfli dach podstawowego systemu w ejść-w yjść komputerów. ------- ----------------------------------------- -— .— __—.—--------------------------------------------- _____-----------------------------Tab. 1. Klasyfikacja układów o stałym programie I programowalnych '■IW Realizacja Uktad staloprogramowy
Układ programowalny
Przykłady
v |j
stały program
układ stykowo-przekaźnikowy, pamięć stała typu M
program wymienny'
wymienna pamięć typu EPROM lub EEPROM
program wymienny
zewnętrzny nośnik programu (nośnik magnetyczni moduł wymienny pamięci nieulotnej) j
swobodnie programowalny
pamięć programu jednostki sterującej
Ą
’
równiki programowalne wypierają stopniowo układy stałoprogramowe. Istotną zaletą sterowników jest ich styczność aplikacyjna i eksploatacyjna, polegająca na szybkim i łatwym procesie przygotowania program! sterującego dla różnorodnych zastosowań oraz łatwości wprowadzania zmian w istniejącym już programie! Dzięki rozwiniętym możliwościom komunikacyjnym sterowników PLC możliwe jest ich programowanie zaró#‘ no w trybie zdalnym, jak i lokalnym. Sterowniki programowalne m ogą być również wykorzystywane do zdalnej go śledzenia (monitorowania) i diagnozowania stanu procesu. [l“łaVi>.V.^ f r - i im » a W ir ) ł\
- i.
_
'
_
.
1. N a ja k ie d w ie g ru p y d z ie lim y e le m e n ty e le k tro n ic z n e ? 2 . Z ja k ic h e le m e n tó w e le k tr o n ic z n y c h b u d o w a n e s ą u k ta d y e le k tro n ic z n e ?
•i
L-11Ł '.'l .1 Ul ^-.IkTgri
Model pasmowy atom u Elektrony krążą w atomie po ściśle określonych toach z w a n y c h p o w ło ka m i lub o rb ita m i (powłoki: K, [ M N, O, P i Q). Energia krążą ce g o ele ktro n u związana jest z powloką, po której on krąży. Ogólnie im p o w lo k ą jest bardziej oddalona od jądra atomu, tym energia elektronu jest większa. W każdej pow ło ce (rys- 1) wyróżniamy ponadto podpow loki (stany energetyczne) zwane pasmam i (s, p, d, f). Każda p o w lo k ą może być obsadzona przez ściśle określo ną i ograniczoną liczbę elektronów. Jeśli w powłoce krąży maksymalna liczba elektronów, to mówimy, że p o w lo k ą jest całkowicie obsadzona.
poziomy energetyczne atomu
3d 3p M 3s 2 p L' ‘¿s 1s K
i CD C 03
Rys. 1. Energetyczny m odel pasm owy atom u d a la statego
Miarą energii elektronu jest e le k tro n o w o lt [eV], Jeden elektronowolt odpowiada energii 1,602 -10' 19 J. Właściwości elektryczne ciała stałego są zdetermino wane przez konfigurację pasm energetycznych, w tym w szczególności przez położenie pasma w alencyjne go (podstawowego)1, pasm a p rz e w o d z e n ia oraz odstępu energetycznego pom iędzy nimi (rys. 2 ). ■Różnica pomiędzy pasmami walencyjnym i prze wodzenia polega na tym, że w paśmie walencyj, nym elektrony są zw iązane z p o szcze gó ln ym i atomami, podczas gdy w paśmie przewodzenia elektrony m ogą sw o b o d nie przem ieszczać się . pomiędzy atomami ciata stałego.
model pasmowy
metal
półprzewodnik
BW pasmo |]9 I m przewodzenia B B
>
j 0 < AW < 3 e V W
j i
pasmo walencyjne
:
i pasmo i walencyjne
.Rys. 2. Energetyczne m odele pasm ow e metali ł półprzew odników
3 . P o d a j c h a ra k te ry s ty k ę e le m e n tu (c z w ó rn ik a ) b ie r n e g o I c z y n n e g o .
Przewodnictwo e le ktryczn e m etali
5 . J a k ie d w ie w a rto ś c i c h a ra k te ry z u ją d z ia ła n ie u k ła d ó w b in a rn y c h ? P o d a j p r z y k ła d y w a rto ś c i b in a rn y c h .
Cechą charakterystyczną metali jest zjawisko zachodzenia na siebie pasm: walencyjnego i przewodzenia (rys. 2). W związku z tym w metalach występuje względna swoboda przemieszczania się elektronów pomię dzy obu pasmami. Dzięki temu koncentracja sw obodnych elektronów w paśmie przewodzenia może być znaczna. Im większa jest koncentracja sw obodnych elektronów w paśmie przewodzenia i ich ruchliwość, tym lepsze są właściwości przewodnictwa elektrycznego ciała stałego.
6 . S c h a ra k te ry z u j d z ia ła n ie u k ła d ó w k o m b in a c y jn e g o I s e k w e n c y jn e g o . 7. P o d a j k la s y fik a c ję u k ła d ó w p ro g ra m o w a ln y c h .
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 4.2.1 Półprzewodniki Podstawowymi materiałami stosowanymi do budow y ele m e n tó w p ó łp rze w o d n iko w ych są krystaliczne poi stacie krzemu i germanu. O bydwa pierwiastki są czterowartościowe i w stanie chemicznie czystym wykazuje znikomą przewodność elektryczną. Przewodność ta może jednak ulec istotnej zmianie przez wprowadzeni® do ich struktury krystalicznej nawet niewielkiej liczby atom ów innych pierwiastków. Okazuje się, że po sztucz-; 1 a ng . P LC - P ro gram m ab le L o g ic C o n iro llo r
Ze wzrostem temperatury rośnie energia i ruchliwość elektronów w paśmie przewodzenia do tego stopnia, że coraz bardziej są praw dopodobne zderzenia elektronów sw obodnych z atomami siatki krystalicznej ciała. Zjawisko to wpływa na ograniczenie ruchliwości elektronów. W miarę wzrostu temperatury metali zmniejsza się sw oboda poruszania się ich elektronów pozostających w paśmie przewodnictwa, a zatem pogarszają się ich właściwości przewodnictwa elektrycznego. Rezy stancja właściwa metali rośnie ze wzrostem temperatury. 1tao. valons = silny, m o cn y
138
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elekti :
P rze w o d n ictw o e le k tryczn e p ó łp rz e w o d n ik ó w Charakterystyczną cechą m ateriałów półprzew odni kowych jest wyraźny odstęp energetyczny A W po między pasmami walencyjnym i przewodzenia (rys. 2 na p o p rz e d n ie j s tro n ie ). Szerokość tego odstępu dla półprzew odników nie przekracza wartości 3 eV ł jest zależna od rodzaju m ateriału półprzewodnika. Dla krzemu wartość AW=1 wynosi 1,2 eV, dla arsen ku galu AW - 1,43 eV.
d la u p ro s z c z e n ia a to m y p rz e d s ta w io n o w je d n e j p ła szczyźn ie
u p ro s z c z o n y schemat' s ie c i elektronow ej
e le k tro n y ~ w a le n c y jn e m j w l
W m ateriałach nieprzewodzących (izolatorach) o d stęp energetyczny jest jeszcze większy niż dla ar senku galu. W półprzewodnikach występuje odstęp energetycz ny pomiędzy pasmami: walencyjnym i przewodzenia.
Rys. 1. Schemat wiązań chemicznych w krzemie
W czystych materiałach półprzew odnikow ych pasmo walencyjne jest w pełni obsadzone przez elektronlr Liczba elektronów sw obodnych w paśmie przewodzenia w półprzewodnikach zmniejsza się ze spadkleli temperatury. W temperaturze zera bezwzględnego (0 K) elektrony swobodne w ogóle nie występują w n$. śmie przewodzenia. Półprzewodnik staje się izolatorem. Do najważniejszych m ateriałów półprzewodnikowych należą krzem, german i arsenek galu. Krzem m a w p f wloce zewnętrznej (powłoce M) cztery elektrony walencyjne. Oznacza to cechę czterowartościowości chll mlcznej. Każdy elektron walencyjny każdego atomu okrąża jądro własnego atomu i jądro jednego z atomójf sąsiednich (rys. 1). Zatem atom y krzemu są wzajemnie związane więzami sil elektronowych wynikający* z istnienia wspólnych par elektronów walencyjnych. BI Niewielka, wręcz śladowa domieszka materiałów obcych w sposób istotny może zmienić właściwości i tryczne półprzewodnika. W związku z tym stawiane są szczególnie ostre wymagania dotyczące czystości nrn terialów półprzew odnikowych. Z punktu widzenia technologicznego niedopuszczalne są zanieczyszczeni 0 koncentracji przekraczającej obecność więcej niż jednego atomu obcego na 109 atomów półprzewodnika!} Zjaw isko przew odnictw a sam oistnego p ó łp rze w o d n ikó w W półprzewodnikach m ogą zaistnieć warunki do mi gracji elektronów z pasma walencyjnego do pasma przewodzenia lub odwrotnie. Przeniesienie elektronu z pasma walencyjnego do pasm a przewodzenia w y maga dostarczenia energii (cieplnej, świetlnej, elek trom agnetycznej). Powrót elektronu z pasm a prze wodzenia do pasma walencyjnego wiąże się ze zja wiskiem odwrotnym , tzn. z emisją energii przez atom w postaci prom ieniow ania elektrom agnetycznego, fali świetlnej lub ciepła. Elektrony przeniesione do pasma przewodzenia stają się elektronami sw obod Rys. 2, Ilustracja zjawiska powstawania par ladunkdA •, n ym i (ry s . 2 ). P o m ię d zy p a sm a m i w a le n c y jn y m elektrycznych (elektron-dziura) 1przewodzenia nie występują żadne pośrednie stany energetyczne. Zatem elektron walencyjny może przebywać wyłącznie w paśmie walencyjnym lub stać sl|; elektronem sw obodnym w paśmie przewodzenia. W związku z tym odstęp energetyczny pomiędzy obu [ ’ smarni nazywany jest pasmem zabronionym . Minimalna ilość energii potrzebna do przeniesienia elektronu z pasma walencyjnego do pasma przewodzi nia nosi nazwę e n e rg ii a ktyw a cji. Jeśli porcja energii dostarczona z zewnątrz do elektronu walencyjnego, jest zbyt mata, to nie jest on w stanie pokonać bariery energetycznej wynikającej z istnienia warstwy zabroj nionej i powraca on do pasma walencyjnego, oddając zaabsorbowaną energię w postaci promieniowania elektrom agnetycznego lub fali świetlnej (rys. 2). Zjawisko migracji elektronów z pasma podstawowego Wi,
,
139
p^ e w o d n ik o w e elementy i uktady elektroniczne
• no! do pasma przewodzenia następuje samoistnie już w temperaturze otoczenia (20°C). Z m igracją lancy n®"ne j0Sl oczywiście zjawisko zrywania więzi wewnątrzkrystalicznych materiału półprzewodnikowego, tązwląza ^ ¡dnienia wspólnych par elektronów walencyjnych. elektron walencyjny, który staje się elektronem swobodnym , niezależnie od przyczyn wywołujących ^ anę pozostawia w paśmie w alencyjnym obszar zwany d ziu rą lub defekte m e le ktro n o w ym . Z zasady l?Zn11 ania ładunku wynika, że obszar ten powinien wykazywać ładunek dodatni. W obec tego proces mi° elektronów walencyjnych może być interpretow any jako proces generacji par nośników ładunków ^w ro n -d z iu ra ). W łaściwości elektryczne półprzew odników (prze w o d n ictw o e le ktryczn e ) zależą od kont cii nośników ładunków w postaci par d z iu ra -e le k tro n . Intensywność procesu generacji par elektronfdziura zależy od rodzaju materiału, półprzewodnika oraz tem peratury otoczenia. ; przeWOdnictwo półprzew odników wzrasta wraz ze wzrostem temperatury. i 7 leżność przewodnictwa elektrycznego półprzewodników od temperatury jest wykorzystywana w praktyce do hdowy przyrządów półprzewodnikowych zwanych te rm isto ra m i. Termistory są wykorzystywane np. do poiaru iub stabilizacji temperatury. Termistor jest elementem, którego rezystancja jest jednoznaczną funkcją temperatury. Zatem można dokonywać pomiaru temperatury przez pomiar rezystancji termistora przebywają■ ceg0 w tej temperaturze przy znajomości jego charakterystyki (zależności rezystancji od temperatury). > f przewodnictwo samoistne półprzew odników wynika z procesu generacji par dziura-elektron. i< półprzewodniki o przewodnictwie samoistnym nazywamy półprzew odnikam i typu I 1. Półprzewodniki typu fi | wykorzystywane są np. w konstrukcji fotodiod typu PIN. W fotodiodach PIN występuje efekt przewodnictwa I samoistnego stym ulowanego przez energię świetlną dostarczoną do warstwy półprzewodnika typu I. Ten ? efekt nazywany jest również wewnętrznym efektem fotoeiektrycznym i wykorzystywany jest w konstrukcji fo? torezystorów. Fotorezystor jest elementem półprzewodnikow ym , którego rezystancja zależy od strumienia ■i świetlnego padającego na warstwę półprzewodnika typu I. W przypadku gdy elektron z pasma przewodzenia zostanie przeniesiony do pasma walencyjnego, to nastą pi zjawisko odwrotne do procesu generacji, a m ianowicie zjawisko zaniku pary nośników elektron-dziura. W wyniku tego zjawiska następuje odbudow a więzi w sieci krystalicznej półprzewodnika. Proces zaniku pary nośników ładunku i odbudow y sieci krystalicznej półprzew odnika nazywa się re k o m b in a c ją 2. Spolaryzow/anie półprzewodnika sam oistnego przez przyłożenie napięcia z zewnętrznego źródła napięcia ’ ' wywołuje przepływ prądu elektrycznego w w yniku przepływu ładunków ujemnych (elektronów) w kierun1 ku potencjału dodatniego źródła i ładunków dodatnich (dziur) w kierunku potencjału ujemnego.
4.2,1,2 Właściwości półprzewodników typu P i N Domieszkowanie p ó łp rz e w o d n ik ó w Liczbę nośników ładunku elektrycznego w m ateriałach półprzew odnikow ych m ożna znacznie zwiększyć przez wprowadzenie obcych atom ów do sieci krystalicznej półprzewodnika. Proces taki nazywany jest do mieszkowaniem. Wskutek domieszkowania ulega zaburzeniu regularna struktura krystaliczna półprzew odni ka, zaś miejsce zaburzenia nazywane jest defektem sieci krystalicznej. Półprzewodniki typ u N
;
Jeśli w sieć krystaliczną półprzewodnika czterowarościowego, jakim jest krzem (Si), zostaną wprowadzone do mieszki w postaci atomów pięciowartościowego antymonu (Sb), to z każdym z nich będą m ogły być związane tylko cztery elektrony walencyjne (rys. 1 na n a stępnej s tron ie ). Piąty elektron walencyjny antymonu jest sła bo związany z jądrem własnego atomu. Wystarczy zatem doprowadzenie niewielkiej porcji energii zewnętrz nej, np. w postaci ciepła, aby elektron ten został przeniesiony do pasma przewodzenia. W zbudzony elektron jest elektronem swobodnym m ogącym sw obodnie poruszać się w siatce krystalicznej krzemu. W wyniku przejścia elektronu do warstwy przewodzenia w siatce krystalicznej krzemu pozostaje dodatnio naładowany nieruchliwy jon antymonu. ' nng. ¡ntrinsic - w ła ściw y, p ra w dziw y;
2 la c. ro co m b in a re = !qczyć p o n o w n ie .
140
4.2 Półprzewodnikowe elementy I układy el ^ k tr a n ic j
Na zewnątrz półprzew odnik wykazuje obojętne w ła ściw ości elektryczne, poniew aż nie została w nim zachwiana rów nowaga pom iędzy ładunkam i ujem nymi i dodatnim i.
, pAiprzewodnikowe elementy i uktady elektroniczne
Jeśli w sieć krystaliczną półprzew odnika czterowarościowego, jakim jest krzem (Si), zostaną wprowadzott domieszki w postaci atom ów trójw artościow ego indu (In), to wszystkie trzy elektrony pasma walencyjnego atomu indu zostaną związane przez sąsiednie atom y krzemu, a w siatce krystalicznej powstaną nieobsadz# ne obszary o ładunku dodatnim (dziury). Tak powstałe dziury m ogą być wypełniane przez elektrony wale! cyjne z sąsiednich atomów. Wiąże się to jednak z tworzeniem następnych dziur w siatce krystalicznej krz|' mu. W ten sposób dziura „w ędruje" przez strukturę krystaliczną półprzewodnika (rys. 1). 1
ika typu N. W w yniku tych przeciw staw nych esów w warstwach obu półprzew odników leżąpf°h w bezpośredniej bliskości złącza PN zachodzi cyC s rekombinacji. W wyniku tego procesu swoPrD, elektrony są absorbow ane przez nieobsaH°one powłoki walencyjne. W ystępuje efekt zaniku * | ¡stotnego zm niejszenia koncentracji elektrońw swobodnych. W rezultacie w warstwie graniczn i (złącze PN) zanikają praktycznie ruchom e nośni ki ładunków elektrycznych. Po o d płynięciu ła d u n ków ujemnych z półprzewodnika typu N w kierunku nólprzewodnika typu P wytwarza się w nim ładunek dodatni, natomiast w strefie granicznej półprzew od nika typu P ładunek ujemny. Złącze PN ulega zatem samoistnemu spo la ryzo w a n iu w w yniku zjaw iska dyfuzji nośników ładunku, a wytworzona różnica po tencjałów nosi nazwę napięcia zaporow ego złącza PN (rys- 1)- Napi?cie ,0 stwarza jednocześnie natu ralną zaporę do dalszego napływu nośników ładun ków w rejon w arstw y granicznej złącza. W arstw a graniczna staje się zatem warstwą zaporową.
Na zewnątrz półprzew odnik w ykazuje obojętne w łaściwości elektryczne, ponieważ nie została w nim zaf chwiana rów nowaga pom iędzy ładunkam i ujem nym i dodatnim i. ,«
W obszarze złącza PN półprzewodników o różnym typie przewodnictwa powstaje warstwa zaporowa.
Obce. atom y wzbogacające liczbę elektronów sw o bodnych półprzew odnika nazywane są dom ieszka mi donorowymi1. W tym przypadku nośnikami prądu są sw obodne elektrony, a taki półprzew odnik nazy wa się półprzewodnikiem typu N (rys. 1). Nośnikami ładunku elektrycznego w półprzew od nikach typu N są elektrony sw obodne.
k rz e m o p rz e w o d n ic tw ie ty p u N e le k tr o n s w o b o d n y
n ie r u c h o m y jo n o ła d u n k u d o d a tn im
k rz e m o p rze w od n ictw ie ^® ty p u P '* -e le k tro n .
d z iu r a
n ie ru c h o m y jor! o ła d u n k u u je m n y m
Rys. 1. Ilustracja defektu struktury krystalicznej krzerjjm
Półprzewodniki typu P
||
Obce atomy absorbujące elektrony swobodne półprzewodnika nazywane są domieszkami akceptorowymi!) W tym przypadku zjawisko przewodzenia prądu polega głównie na przemieszczaniu się dziur, a taki pólprzfi wodnik nosi nazwę półprzew odnika typu P (rys. 1). Nośnikami ładunku elektrycznego w półprzew odnikach typu P są dziury. Półprzewodniki słabo dom ieszkowane oznaczane się sym bolam i N~ i P~, zaś półprzewodniki silnie domiesz kowane oznaczane są sym bolam i N + i P +. W istocie w półprzewodnikach zachodzi zarówno proces prze«'* w odnictw a sam oistnego, jak i niesam oistnego. Nośniki ładunku elektrycznego występujące w przewadze (a więc elektrony w półprzew odnikach typu N i dziury w półprzewodnikach typu P) noszą nazwę nośnikóifi większościowych. W odróżnieniu elektrony w półprzewodnikach typu P i dziury w półprzewodnikach typu N noszą nazwę nośników mniejszościowych. i«; Przewodnictwo niesamoistne (wywołane przez proces domieszkowania) wzrasta ze wzrostem koncentraó11Ł domieszek. Nie jest ono zależne o d ‘temperatury. :j| Elementy półprzew odnikow e budow ane są z warstw m ateriałów półprzewodnikowych o przewodnictwie ty! puN , P il. j '$ W elementach unipolarnych prąd przepływa wyłącznie przez warstwę półprzewodnika o jednym typ S l przewodnictwa. W elementach bipolarnych prąd przepływa przez co najmniej dwie warstwy p ó lp r z * wodnika o różnych typach przewodności. J j.
4.2.1.3 Wtaściwośbi złąpza PN Złącze PN
‘
Ztącze PN powstaje w obszarze fizycznego styku dwóch obszarów półprzewodnika o przewodnictwie typO. P i przewodnictwie typu N. W miejscu styku elektrony swobodne z półprzewodnika typu N przenikają (dyfunduf ją) do strefy półprzew odnika typu P i odwrotnie, dziury z półprzewodnika typu P dyfundują w głąb pólprze11 tac. d o n a re = d a w a ć;
2 lac. a c c ip a re = p rzyjm o w a ć
141
Pojemność warstwy zaporowej Warstwa zaporowa niemal całkowicie jest pozbaw io na nośników ładunków elektrycznych. Z tego pow o du wykazuje w łaściw ości elektryczne zbliżone do izolatorów. Warstwa zaporowa (izolacyjna) oddziela dwa dobrze przewodzące obszary półprzew odniko we (P i N). Powstaje zatem przestrzenna struktura o cechach u p odabniających ją do kondensatora. Pojemność kondensatora w ytworzonego samoistnie w złączu PN nazywamy pojem nością warstwy zapo rowej. Szerokość w a rstw y z a p o ro w e j m oże być zmieniana przez przyłożenie zewnętrznego napięcia polaryzującego złącze w kierunku zaporowym . Im większe jest to napięcie, tym szersza strefa warstwy zapo rowej, a zatem mniejsza pojem ność złącza. W łaściwość tę wykorzystuje się do budow y tzw. dostrojczych dlód pojemnościowych o pojem ości sterowanej napięciem. Szerokość warstwy zaporowej i pojem ność złącza PN jest funkcją przyłożonego napięcia polaryzującego s złącze w kierunku zaporowym.
Kierunek przewodzenia złącza PN Złącze PN wykazuje kierunkowe (asymetryczne) właściwości przewodzenia prądu elektrycznego. Właściwości te są zależne od sposobu zewnętrznego spolaryzowania złącza. Jeśli złącze zostanie spolaryzowane w kierun ku zaporowym (rys. 2 ), to następuje odpływ swobodnych elektronów z półprzewodnika typu N w kierunku bie guna dodatniego zewnętrznego źródła napięcia i jednocześnie odpływ dziur z półprzewodnika typu P do bie guna ujemnego tego żródta. W wyniku takiej migracji nośników ładunku poszerza się strefa zaporowa złącza izolująca obszary przewodzące N i R W rzeczywistości pod wpływem przyłożonego napięcia Ufl w kierunku za porowym płynie pewien niewielki prąd /fl zwany prądem wstecznym1. Ze wzlędu na izolacyjne właściwości warstwy zaporowej rezystancja złącza PN spolaryzowanego w kierunku zaporowym jest znaczna. 5ang, re w rs e = w sto cz
142
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy e le k tro n ie ^
Polaryzacja złącza PN w kierunku zaporowym wywołuje znaczny wzrost rezystancji złącza. Jeśli złącze PN zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia (rys. 2 na poprzedniej stronie), t o . w pływem w ytw o rzon e g o pola elektrycznego następuje jedn o czesn y przepływ sw o b o d nych elektron^ z półprzewodnika typu N I dziur z półprzewodnika typu P w kierunku warstwy zaporowej. W wyniku ten* procesu szerokość warstwy zaporowej się zmniejsza, a sama warstwa zaczyna się napełniać nośnikami i dunku. Rezystancja złącza PN zaczyna spadać. Pod wpływem przyłożonego napięcia UF w kierunku n J wodzenia płynie zatem prąd lF, zwany prądem przewodzenia1. 7 4 Polaryzacja złącza PN w kierunku przewodzenia wywołuje spadek rezystancji złącza.
4.2.2 Diody półprzewodnikowe Dioda jest elementem półprzewodnikowym zawierającym złącze PN. Dioda wyposażona jest w dwie dy: anodę i katodę. Anoda diody jest elektrodą połączoną bezpośrednio z warstwą P półprzewodnika, zal1 katoda jest elektrodą połączoną z warstwą N. Kierunek strzałki na oznaczeniu schem atowym diody w r .:-^ je kierunek przepływu prądu w stanie przewodzenia diody. w Charakterystyka prądow o-napięciowa
i.
Elektryczne właściwości statyczne d io d y opisuje jej charakterystyka prądow o-napięciow a, tzn. zależność* prądu płynącego przez diodę w funkcji napięcia przyłożonego pom iędzy jej elektrody (rys. 1 ). Charaktery, styka ta wykazuje silną asymetrię zależną od kierunku polaryzacji diody. Cechą charakterystyczną jest to, żp jeśli złącze PN diody zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia, to do pewnej wartości tego naptęt* cia (zwanego napięciem progowym) dioda wykazuje słabe właściwości przewodzące. Zjawisko to wyniki1 z faktu, że dla umożliwienia przepływu prądu konieczne jest pokonanie sam oistnego napięcia zaporowego złącza. Wartość tego napięcia dla diod wykonanych z krzemu wynosi około 0,7 V. Po przekroczeniu napięcia progowego prąd diody szybko narasta. Wzrost ten jest na tyle szybki, że dla wygody projektanta w danych katalogowych charakterystyki diod w kierunku przewodzenia podawane są najczęściej w postaci charaktery styk pótlogarytm icznych (rys. 1 na następnej stronie). » Zbyt wielki prąd przewodzenia może prowadzić do uszkodzenia diody. Uszkodzenie dio d y spolaryzo w anej w k ie ru n k u p rz e w o d z e n ia m oże n a s tą p ić w wyniku przegrzania jej struktury. Może to nastąpić wówczas, gdy m oc wydzielana w złączu PN diody przy przepływ ie prądu jest znaczna, a m ożliw ość rozpraszania m ocy cieplnej w ydzielanej w diodzie ograniczona. W wyniku nierównowagi procesów ge neracji i rozp ra sza n ia m ocy w d io d zie rośn ie jej tem peratura, któ ra w szcze g ó ln ych przyp a d ka ch może przekroczyć dopuszczalne wartości granicz ne. Dla uniknięcia tego efektu stosowane są m etody ograniczania wartości prądu przewodzenia diody. Typowym sp o so be m o g ra niczenia prądu prze. wodzenia diody jest zastosowanie rezystora sze; regowo połączonego z diodą. W przypadku polaryzacji wstecznej przez diodę pły nie jedynie niewielki prąd wsteczny /n, zwany rów nież prądem zaporowym. Przepływ prądu wstecz1 a ng . lo rw a rd -- w p rzó d
: półprzew o d n iko w e elementy i układy elektroniczne
143
wynika ze zjawiska przewodnictwa samoistnene£/°ozdz. 4 2 .1 . 1 ) zachodzącego w złączu PN dio9° 2 atem natężenie prądu wstecznego jest zależne
1 od tem peratur złącza. ‘ prąd wsteczny diody przy stałym napięciu zaporo wym rośnie w funkcji tem peratury jej złącza. Wartość prądu wstecznego jest również funkcją w y miarów geometrycznych złącza PN. Im większa jest oowierzchnia złącza, tym większy jest prąd wstecz ny dla tego samego napięcia zaporow ego i w tej sa mej temperaturze. parametry techniczne parametry techniczne przyrządów pólprzewodniko' wych dzielą się na dwie klasy: parametrów granicz nych i parametów znamionowych, parametry graniczne o kre śla ją zb ió r d o p u s z c z a l nych wartości param etrów eksploatacyjnych zapew niających długotrwałą i bezawaryjną pracę elementu ‘ «określonych warunkach zewnętrznych.
Rys. 1. Charakterystyka prądowo-napięciowa diody w kierunku przewodzenia: ó)- temperatura złącza1
znamionowe określają statystyczne wartości podstawowych cech przyrządów półprzew odniko wych w tak zwanym punkcie pracy. Punkt pracy jest zdefiniowany przez aktualne param etry elektryczne (prąd, napięcie), a także środowiskowe (temperatura, ciśnienie, strum ień pola m agnetycznego, elektryczne Param etry
go itp.). Parametry znamionowe bardzo często przedstawiane są w postaci graficznej w postaci tzw. charakterystyk. Charakterystyki z jednej strony są syntetycznym źródłem inform acji technicznej, a z drugiej są wygodnym narzędziem pracy projektanta układów elektronicznych. Parametry graniczne Do najważniejszych parametrów granicznych diod należą m aksym alne wartości dopuszczalne: prądu prze wodzenia /Fmax, napięcia przewodzenia UFmm, całkowitej m ocy traconej Plo!, napięcia wstecznego temperatury złącza PN ó) max. Nieznaczne, chwilowe przekroczenie wartości param etrów granicznych nie jest . zalecane, ale jest dopuszczalne. Parametry znamionowe Jeśli pomiędzy zaciski diody zostanie przyłożone napięcie, to w ywoła ono przepływ prądu o wartości wyni kającej z jej charakterystyki prądow o-napięciow ej (rys. 1 na następnej stronie). Charakterystyka ta jest jed noznaczna, tzn. przy znajomości prądu płynącego przez diodę m ożna wyznaczyć z niej spadek napięcia na diodzie. Kształt charakterystyki prądow o-napięciow ej zależy także od temperatury złącza diody. Z tego po wodu punkt pracy diody nie może być zdefiniowany tylko przez podanie jednego parametru. Najczęściej punkt pracy diody definiowany jest przez trzy param etry o charakterze statycznym: wartości znamionowe prądu i napięcia w punkcie pracy oraz wartość znamionową tem peratury ztącza. Statyczne parametry znamionowe są istotne w warunkach pracy diody w układach prądu stałego. Zastosowa, nie diod w układach prądu przemiennego wym aga zdefiniowania dodatkowo dynamicznych parametrów zna mionowych, takich jak pojemność warstwy zaporowej, czas przełączania oraz rezystancja dynamiczna. Parametry graniczne i znamionowe diod są określone przez: rodzaj stosowanego półprzewodnika, sposób i materia! dom ieszkow ania, konstrukcję m echaniczną d io d y i te ch no lo g ię jej w ytw arzania (tab. 1 na następnej stronie).
ang. ju nctio n — zIćjczg
ii.wW W W I
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronie'^
144
1
Tab. 1. Diody krzemowe I diody Schottky'ego Parametr
W łaściwości
ii
Diody krzemowe
Diody .Schottky’ego
j l
bardzo wysokie (do 4000 V)
niskie (do 70 V)
m '§
M aksym alna dopuszczalna temperatura złącza
wysoka (do 190°C)
wysoka (do 190°C)
M aksym alna dopuszczalna m oc strat ■
wysoka
wysoka
O dporność na krótkotrwale przeciążenia prądowe
bardzo wysoka
bardzo wysoka
Napięcie progowe
ok. 0,7 V
O k.
Prąd wsteczny
bardzo maty
bardzo mały
Napięcie zaporowe
. f,|| . .1 M
...................
0,4 V
-ii
d io d a S c h o ttk y ’e g o
/ 1 /Jj / I im
h
—
Ł/fl
100 V 75 50 25 W w yniku przekroczenia przez napięcie wsteczne UR dopuszczalnej wartości granicznej następuje zja 0,3 0,4 0,7 V J wisko elektrycznego przebicia złącza PN. Zjawisko to c h a ra k te ry z u je s ię s iln y m w z ro s te m p rą d u In U t — %, ''G e K. wstecznego d io d y w obszarze przebicia. Napięcie __ 1 1 d io d a wsteczne d io d y tw orzy pole elektryczne w złączu Sl / S c h o ttk y ’e g o PN o natężeniu proporcjonalnym do wielkości tego napięcia. Pole to w ywołuje sity oddziaływania elek trosta tyczn e g o na zw iązane elektrony w alencyjne Rys. 1. Charakterystyki prądowo-napięciowe różnych J atomów. Pod w pływem tych sit i po przekroczeniu rodzajów diod określonej wartości natężenia tego pola następuje samoistne wyrywanie elektronów z pasma w alencyj nego i ich przeskok do pasma przewodzenia. Uwolnione elektrony stają się swobodnym i nośnikami tadunktj elektrycznego. Opisane wyżej zjawisko nosi nazwę e fe ktu Z en e ra 1. »
/
\
i
4
' - ii
* Sw obodne elektrony ulegają przyspieszeniu pod wpływem działania sil pola elektrostatycznego wytworzoj nego przez przyłożone napięcie wsteczne. Elektrony te zderzają się z elektronami powłoki walencyjnej !t| nych atom ów półprzewodnika. Energia sw obodnych elektronów rozpędzonych w działającym polu elękj trycznym może być na tyle duża, że wystarcza do pokonania pasma zabronionego przez elektrony waleif cyjne tych atomów. Zwiększa to lawinowo liczbę elektronów swobodnych, a sam efekt nosi nazwę efektu la Ą w in o w e g o 2. Efekt Zenera i efekt lawinowy w ywołują gw ałtow ny wzrost prądu wstecznego diody. ' Zjaw isko o d kryto w 1934 r. przez fizyka a m e rykańskiego C. Zenera; s a ng. avalanche
¡Vf.:"
Sawina
- ‘"f'
.
Zenera jest wykorzystywany w praktyce do budow y półprzewodnikowych wzorców i stabilizatorów nala (diod Zenera). W zakresie występowania efektu Zenera napięcie wsteczne diody w szerokim zakresie 4ów wstecznych diody podlega bardzo niewielkim zmianom. Zatem rezystancja dynamiczna diody Zeneo b s z a rz e przebicia jest niewielka, a napięcie przebicia względnie stale. Podobnie jak dla diod spolaryra yj.ą w kierunku przewodzenia, konieczne jest ograniczenie m aksym alnego prądu wstecznego (prądu Zenera) diody przynajmniej do poziomu dopuszczalnych wartości granicznych.
przegrzan‘e kłącza W wvrtiku przepływu prądu przez złącze PN występują straty m ocy elektrycznej, które zamieniane są w cię ło Przy niedostatecznym odprowadzeniu tego ciepła dochodzi do wzrostu temperatury złącza. Przekro czenie granicznej dopuszczalnej temperatury złącza wywołuje zniszczenie termiczne struktury półprzewod nika W celu zwiększenia intensywności chłodzenia złącza PN stosowane są specjalne użebrowane kon strukcje mechaniczne zwane rad ia to ra m i.
znaczenia
, .j
I
t
145
. i*
1
Diody znalazły szerokie zastosow anie w układach prostowników napięcia oraz w elektronicznych ukła dach przełączających. Typowe wartości rezystancji d io d w kierunku przew odzenia są rzędu pojedyńczych £2 i w kierunku zaporowym osiągają wartości rzędu GQ. P rze b icie e le ktryczn e
........
42 pólprzewociriikowe elemen‘ y • uk,acfy elektroniczne
Diody ogólnego przeznaczenia Tab. 1. Podstawowe typy konstrukcyjne diod Diody ogólnego p rze zn a cze n ia p ro d u k o w a n e są T y p d io d y W ła ś c iw o ś c i Z a s a d a k o n s tr u k c ji technologią planarno-epitaksjalną1. Technologia ta - m a ła p oje m n o ść polega na. wytworzeniu u porządkow anej struktury złącza, m a ły p rąd złącza PN składającego się z w arstw p rze w o d zą w steczny, m ała rezy D io d a SO, —N cych, p ó lp rz e w o d z ą c y c h i iz o la c y jn y c h na p o stancja d ynam iczna p la n a rn o w k ierunku p rzew o- V epitaksjalna : wierzchni podłożowej (substracie) przy wykorzysta dzenia, krótki czas niu technik domieszkowania, trawienia fotolitograficz przełączania nego, napylania próżniow ego, dyfuzji, w zrostu e p i bardzo m a ła p oje m - , D io d a taksjalnego itp. Na silnie domieszkowanej nisko rezyn ość złącza, _ o strzo w a d o b re w ła ściw o ści w ystancyjnej warstwie N+ półprzewodnika wytwarzana ostrze / \ . so ko często tliw o ścio m e ta io w e P Gs jest technologią epitaksjalną bardzo cienka, wysoko w i,? we, niew ielkie w a rto p o d ło ści g raniczne p rą du rezystancyjna, sła b o d o m ie szko w a n a w arstw a N. żo w a w k ierunku prze w o . W warstwie tej, w w yniku procesu traw ien ia i d o dzenia mieszkowania, wytwarzana jest wyspa materiału pólprzewodzącego o przew odnictw ie typu P. Tak w ytw orzona struktura przewodząca jest pasywowana powierzchniowd przez wytworzenie cienkiej izolacyjnej warstwy powierzchniowej w postaci dwutlenku krzemu. Po wytrawieniu odpow iednich otw orów w warstwie dwutlenku krzemu naparowywana zostaje ostatecznie elektroda metaliczna (anoda) półprzewodnika (tab. 1 ).
j Technologię planarno-epitaksjalną
stosuje się do wytwarzania diod ogólnego stosowania, diod pojem no- : ! śclowych, diod Schottky'ego, fotodiod PIN, diod wysokoczęstotliwościow ych i przełączających.
Diody do zastosow ań w ukła d a ch w y s o k ie j c z ę s to tliw o ś c i Diody przeznaczone do pracy w zakresie częstotliwości rzędu GHz powinny charakteryzować się minimalną pojemnością złącza PN oraz posiadać nośniki ładunków o dużej ruchliwości. W ograniczonym zakresie do wytwarzania takich diod stosowana jest technologia planarno-epitaksjalna. Znacznie lepsze właściwości w y soko częstotliwościowe posiadają ostrzowe diody germanowe, diody Schottky’ego i diody PIN. Diody ostrzowe W germanowej diodzie ostrzowej (tab. 1) złącze PN zostaje uformowane w obszarze styku półprzewodnika germanowego typu N i ostrza metalowego. Pojem ność tak utworzonego złącza jest znikoma ze względu na jego mikroskopijne wymiary. Z drugiej strony niewielka powierzchnia styku ostrza i półprzewodnika wprowa dza istotne ograniczenie na wartość graniczną m aksym alnego prądu przewodzenia. Również dopuszczalne napięcie wsteczne diod ostrzowych jest relatywnie niskie. Niska pojemność diod ostrzowych umożliwia ich zastosowanie w układach wysokiej częstotliwości oraz w szybkich układach przełączających. hc. planar -- pow ierzchnia, w arstw a, gr. e p l = pon ad , gr. Iaxis ~ p arzqriok
146
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronię^'
D io d y m ocy Do konstrukcji diod wykorzystywanych do przełącza nia większych m ocy stosowane są diody krzemowe o dużej powierzchni złącza PN (rys. 1). Materiał pół przewodnikowy ma kształt pastylki m ocowanej zwy.kle warstwą N do obudow y m etalowej dobrze prze wodzącej ciepło. O budowa ta może być mocowana dodatkow o na zewnętrznym użebrowanym radiato rze. Pozwala to na uzyskanie niskiej, a więc korzyst nej, wartości współczynnika wyrażającego stosunek przyrostu tem peratury złącza do wartości przyrostu m ocy traconej w diodzie i wywołującej ten przyrost temperatury. W artość prądu przewodzenia diod mo cy można jeszcze bardziej zwiększyć przez zastoso wanie w ym uszonego chłodzenia zewnętrznego, np. przy użyciu wentylatora. Zastosowanie wym uszonego chłodzenia zewnętrzne go pozw ala na zwiększenie prądu pracy d io d y do wartości przekraczającej nawet trzykrotnie wartość jej prądu znam io n o w e g o . D opuszczalne te m p e ra tu ry graniczne diod krzemowych zawierają się w granicach 140-190°C. Wartości napięć progowych krzemowych diod mocy wahają się w granicach 0,8-1,0 V. Dostęp ne są diody krzemowe o znam ionowych napięciach wstecznych do 4 kV i znam ionowych prądów prze wodzenia do wartości 4 kA. O b u do w y d io d i ich o zn a kow an ie Do konstrukcji obudów diod stosowane są tworzywa sztuczne, szkto oraz metale (tab. 1 ).
p a s ty lk a krz e m o w a s z kliw o
4 2 półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne 'ewielka zmiana napięcia polaryzującego wywołuje n r a r lt i /n r a H i i 7 a rto rfl znaczne zmiany prądu wstecznego (prądu Zenera /z). zwyczajowo wartości napięcia i prądu Zenera poda w katalogach przyrządów półprzew odniko wane są wych jako wartości dodatnie. Typowym obszarem pracy diody Zenera jest zakres
przebicia złącza PN.
147
-U z
lica miedzianki obudow a
Rys. 1. Poglądowy rysunek konstrukcyjny krzemowej i| diody mocy Tab. 1. Przykłady wykonań obudów i oznaczenia dlotjifl półprzewodnikowych R ysu n e k o b u d o w y o d p o w ia d a ją c y w y m ia ro w o p rz y b liż o n e j w ie lk o ś c i rze czyw iste j d io d y
K a to d a d io d y je st wsfói z y w a n a p rze z barwnaft obw ódkę. • | P o z o s ta łe b arw ne o z n a k o w a n ia d iod y ze| c z y n a ją się bezpośredni n io p o ozna kow an iu m to d y . 'Ą
ka to d a
ka to d a
O zna ko w an ie
-------
K a to d a d io d y jest wy-;J ró ż n io n a p u n kte m lub,® w y p u k ło ś c ią n a obudój w ie, , S* W w ię k s z o ś c i d iod w o b u d o w ie metalowej! ka to d a je s t połączona'* e le k try c z n ie z o b u d o -p w ą . J e śli je s t inaczej, *jj to na o b u d o w ie d iod y'j z n a jd u je się sym b o l tj d io d y w s k a z u ją c y Jgd4] n o z n a c z n ie położeniami k a to d y.
O typie zastosowanej obudow y decyduje m oc zna m ionowa i przeznaczenie diody. Katoda diody zwy [¿¿¡¿ii kle jest oznaczana w charakterystyczny sposób na obudow ie diody (tab. 1). Spotykane są również ze społy diod występujących w jednej obudowie. Typo wym przykładem są prostow nicze m ostki diodow e Graetza zawierające cztery diody. Do celów przełą czania lub zabezpieczeń przepięciowych układów zespoły diod m ontowane są również w obudow y liczące nawet do kilkunastu elementów.
4.2.2.2 Diody Zenera i Schottky’ego D iody Zenera Diody Zenera są wytwarzane z silnie domieszkowanego materiału półprzewodnikowego. Silne domieszkowania pozwala z jednej strony na uzyskanie niewielkich wartości napięcia przebicia tych diod (napięcia Zenera Uzi, z drugiej zaś pozwala na uzyskanie względnie niskiej rezystancji dynamicznej w zakresie przebicia lawinowe go. W kierunku przewodzenia diody Zenera mają właściwości zbliżone do diod uniwersalnych. Diody Zenera są polaryzowane w kierunku zaporowym . W wyniku wzrostu napięcia spolaryzowanej zaporowo diody Zenera wzrasta w niewielkim stopniu jej prąd wsteczny, aż do momentu wystąpienia zjawiska Zenera i zjawiska przebicia lawinowego złącza PN. Wówczas
0
- r r
—
>*
: 1
O T> . -
40
/
/
/
fi
VB Ł
iT o 8 - ,
n apięcia Z enera je st ściśle zw iązana ze stopniem dom ieszkowania m ateriału półprzew odni kowego diody. Im bardziej silne jest dom ieszkow a ne materiału półprzewodnika, tym niższe jest napię te przebicia lawinowego złącza PN. Produkowane są obecnie diody o szerokim zakresie (2 ,7 -2 0 0 V) napi?b Zenera. W zakresie niskich w artości napięć Zenera (charakterystyki diod V2 do V4 na rys. 1) za gięcie charakterystyki w obszarze przejściowym jest mniej ostre, a nachylenie charakterystyki w obszarze przebicia jest mniejsze niż w przypadku diod o wyż szym napięciu Zenera (V 5-V 8 na rys. 1). Jeśli po trzebne są niższe napięcia niż 2,7 V, to uzyskuje się je przez połączenie je d n e j (0,7 V) lu b szeregow o dwóch diod krzem owych (1,4 V) spolaryzow anych w kierunku przewodzenia.
6
12 V 10
80 V7
120
/O
W a rto ś ć
V CO' O.
6
160
rM
O) N
VE
\
\/4 V 3 V 2
\ V
|
V1
200 mA 240
Rys. 1. Rodzina charakterystyk roboczych diod Zenera
P rzykład: Temperatura diody Zenera o napięciu roboczym Uz = 4,7 V wzrosła o 40 K. W spółczynnik tem pe raturow y napięcia Zenera w ynosi dla tej d io d y a z= -0 ,2 • 10~3 1/K. O ile i w jakim kierunku zm ie niło się napięcie robocze? R ozw iązanie:
Zjawisko Zenera dom inuje w zakresie niskich napięć A Uz = o -z ■A i ? • Uz = przebicia złącza PN (do wartości nie przekraczającej 5,5 V). Wartość napięcia Zenera jest zależna nie tylko = (-0,2 ■ 10 "3 1/K) • 40 K • 4,7V = - 37,6 mV od stopnia domieszkowania materiału diody, ale rów nież od temperatury złącza. Zależność tę charaktery Zatem n a p ię cie rob o cze d io d y z m n ie js z y s ię zuje w sp ó łczyn n ik te m p e ra tu ro w y z m ia n y n a p ię o 37,6 mV. cia Zenera az. Jośli wartość tego współczynnika jest ujemna, to oznacza, że napięcie Zenera maleje wraz ze wzrostem temperatury. W łaściwość taką wykazują silnie dom ieszkowane diody o niskim napięciu Zenera (Uz < 5,5 V). Oznacza to, że wraz ze wzrostem tem peratury ich charakterystyki prądow o-napięciow e prze suwają się w stronę osi prądu. W diodach tych dom inuje efekt przebicia Zenera. Diody o napięciu przebicia złącza nie przekraczającym w artości 5,5 V mają ujemny w spółczynnik tem pe raturowy zmiany napięcia Zenera. Diody Zenera słabo domieszkowane (o napięciu powyżej 5,5 V) mają dodatni współczynnik temperaturowy napięcia Zenera. Dla tej grupy diod w obszarze przebicia złącza przeważa efekt lawinowy. Ze wzrostem tem peratury wzrasta zatem napięcie przebicia. Jak łatwo zauważyć, d io d y Zenera o napięciu zbliżonym do 5,5 V charakteryzują się zerową wartością w spółczynnika tem peraturowego zmiany napięcia Zenera. Oznacza-to, że napięcie to nie zależy od temperatury złącza. Efekt ten jest wykorzystyw any do budow y stabilnych temperaturowo źródeł napięcia odniesienia. Parametry d io d Zenera Do podstawowych param etrów granicznych diod Zenera należą: m aksym alny dopuszczalny prąd Zenera kom i dopuszczalna m oc diody Ptot. Przy stałej wartości maksym alnej dopuszczalnej m ocy diod wartość do puszczalnego prądu m aksym alnego diody będzie w relacji odwrotnie proporcjonalnej do wartości napięcia Zenera. Im większe jest to napięcie, tym niższa jest wartość m aksym alna dopuszczalnego prądu. Zależność tę można zobrazować w postaci hiperboli wpisanej w charakterystykę prądowo-napięciową diody (rys. 1 ). Hiperbola ta zakreśla obszar charakterystyki prądowo-napięciowej, którego przekroczenie grozi uszkodzę-
148
2 półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elekt
niem term icznym diody. N ajprostszym sposobem ograniczenia m ocy rozpraszanej przez diodę Zenera jest ograniczenie w artości roboczego prądu Ze-
m e ta lic z n e j. M ig r a c ja e le k t r o n ó w w y w o ł a n a je s t //n ic a e n e rg ii e le k t r o n ó w w a r s tw y p ó łp r z e w o d n ik a ■ s i a l u . W y s o k o e n e r g e t y c z n e e le k t r o n y s w o b o d n e
Uz
nera lzTypowym sposobem ograniczenia w artości prą du Zenera jest'zastosow anie rezystora szerego wo połączonego z diodą. O prócz param etrów g ra n iczn ych i w sp ó łczyn n ika tem peraturow ego zm iany napięcia Zenera istotnymi parametrami diod Zenera są: rezystancja statycz na i dynamiczna (rys. 1 ). R ezystancja statyczna d io d y Rz je s t wyznaczana z prawa O hma jako stosunek wartości napięcia na zaciskach diody do wartości prądu płynącego przez diodę. W obszarze napięć w stecznych, o d le g łych od napięcia Zenera, prąd płynący przez diodę jest relatywnie bardzo mały, zatem jej rezystancja sta tyczna jest stosunkowo duża. Rezystancja ta zaczyna maleć w obszarze napięcia przebicia złącza PN, po nieważ zaczyna płynąć coraz to większy prąd przy stosunkowo niewielkiej zmianie napięcia na diodzie. Rezystancja statyczna diody Zenera nie jest stała i zależy od wyboru punktu pracy. Rezystancja dynam iczna rz d io d y jest definiowana jako stosunek przyrostu napięcia na diodzie do przy rostu prądu, który jest wywołany przez ten przyrost napięcia. Podobnie jak rezystancja statyczna, rezy stancja dynam iczna nie jest stała. Jej wartość zm ie nia się w zakresie pojedynczych £2 w obszarze prze bicia do setek MQ w pozostałym obszarze. Rezy stancja dynam iczna diod Zenera w danych katalo gowych podawana jest zwykle dla określonej w arto ści prądu Zenera, np. 5 mA.
- rezystancja statyczna - wartości napięcia i prądu w punkcie pracy w zakresie przebicia złącza rz - rezystancja dynamiczna w punkcie praf AUZfA/z - wartości przyrostów napięcia Ą i prądu w otoczeniu punktu pracy
, 1óiprzewodnika m igrują w głąb m etalu, zubażając P „gentrację elektronów w obszarze pólprzew odnik i wzbogacając koncentrację elektronów sw obodh w metalu. W ten sposób tworzy się w obszarze tacza obszar o różnicy potencjałów. Jeśli złącze zo stanie spolaryzowane w kie run ku za p o ro w ym , to znaczy potencja! dodatni zewnętrznego żródla napię c i a zostanie dołączony do półprzew odnika typu N, a potencjał ujemny zostanie dołączony do warstwy metalu, to w ytw o rzo n e p o le e le k try c z n e b ę d zie Rys. 1. Poglądowy schemat konstrukcyjny planarnej sprzyjało zubożeniu koncentracji elektronów w złą diody Schottky’ego czu, ponieważ elektrony swobodne z półprzew odni ka będą odpływały w kierunku bieguna dodatniego. Przy zmianie polaryzacji potencjałów zewnętrznego źró dła zasilania (rys. 2 na poprzedniej stronie), w ysokoenergetyczne elektrony warstw y półprzew odnika wskutek oddziaływania sil wytworzonego pola elektrycznego zapełnią ponownie zubożony obszar złącza, stwarzając warunki do dobrego przew odzenia prądu. W tym przypadku złącze zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Czas przejścia ze stanu zaporowego do stanu przewodzenia złącza (czas przełą czania) jest rzędu 100 ps. i Diody S c h o ttk y ’e g o c h a r a k te r y z u ją s ię b a r d z o k r ó tk im c z a s e m p r z e łą c z a n ia . W y s o k o e n e rg e ty c z n e e le k t r o n y p ó ł p r z e w o d n ik a n a z y w a n e s ą r ó w n ie ż g o r ą c y m i n o ś n ik a m i ła d u n k u . S t ą d czasami z łą c z e m e t a l- p ó l p r z e w o d n i k n o s i n a z w ę
m e tal
w a rs tw a z a p o ro w a
krzem ’-if o p rz e w o d n ic tw ie typu||
symboli
diody z gorącymi nośnikami ładunku.
Diody Sohottky’ego produkowane są przy wykorzystaniu technologii planam o-epitaksjalnej (rozdz. 4.2.2.1). Na rys. 1 przedstawiono poglądow y schemat konstrukcyjny takiej diody. Anodę stanowi warstwa metalicz na. Na złączu półprzewodnika typu N i metalu tworzy się warstwa zaporowa. Warstwa N łączy się z katodą za pośrednictwem silnie domieszkowanej warstwy pólprzewodzącej typu N +. Typowe napięcie progowe złą cza wynosi 0,4 V. Diody Schottky’ego mają niższe napięcie progow e w porównaniu z diodam i ze złączem PN.
graficznej
Rys. 2. Idea konstrukcji diody Schottky’ego
Do niewątpliwych wad diod Schottky'ego, w porów naniu z diodam i krzem owym i ze złączem PN, należą znacznie większe wartości prądów wstecznych oraz stosunkowo niskie (do 100 V), maksymalnie dopusz czalne napięcia wsteczne.
Zastosowania diod Zenera Diody Zenera znajdują najczęściej zastosowanie jako źródła napięcia odniesienia w układach stabilizatorów napięcia. Układy stabilizacji napięcia służą do zasilania innych układów napięciem stałym o wartości niezalet nej od chwilowego poboru prądu przez te układy. Układ stabilizatora napięcia ma zatem właściwości zbliżoto do idealnego żródla napięcia. Istotnymi parametrami diod Zenera stosowanymi w stabilizatorach napięcia są: rezystancja dynamiczna rz i temperaturowy w spółczynnik zmiany napięcia Zenera
He względu na bardzo krótki czas przełączania diody Schottky'ego stosowane są w układach wysokiej . częstotliwości, w układach szybkich zabezpieczeń przepięciowych i do budow y szybkich układów lo g ic z -: nyoh. Ze względu na niską wartość napięcia progow ego w kierunku przewodzenia, a w ięc z uwagi na mniejsze straty mocy, diody te są stosowane w niskonapięciowych układach prostownikowych.
4.2.2,3 Lasery półprzewodnikowe Weę konstrukcji lasera 1 przedstawiono na rys.
Diody Schottky’ego Złącze typu PN wytwarzane jest sam oistnie na granicy obszarów tego samego półprzewodnika, jakkolwiek różniących się typem przewodnictwa. Ziącze takie wykazuje asymetryczne właściwości przewodzenia prądj elektrycznego zależne od kierunku.polaryzacji złącza (rozdz. 4.2.2). Cecha ta określana jest jako zdolność prostowania prądu. W łaściwości prostownicze nie są wyłączną dom eną złącz PN. Podobne właściwości of krył Schottky, badając złącze typu m etał-półprzew odnik o przewodnictwie typu N (rys. 2). Ziącze to wytwa rzane jest samoistnie w wyniku zjawiska m igracji elektronów sw obodnych z półprzewodnika typu N do war-
1
na następnej stronie.
Laser jest urządzeniem, które w wyniku wprowadzenia (wpom powania) energii generowanej przez pompę energii wywołuje zjawisko emisji strumienia promieniowania świetlnego w materiale aktywnym lasera. Charakterystycznymi właściwościam i tego prom ieniowania są: monochromatyczność, stata polaryza cja, stata faza i zbieżność optyczna. anS-.Llght A m p lM ca tion b y S llm u la le d E m isslo n o l R adiatlon = w z m o cn ie n ie s tru m ie n ia św ia tła przez s tym u lo w a n ą e m isję p ro m ie n io w a n ia
-j 50
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektron)0^ | ’
Tab. 1. P ó łp rzew o d n iko w e dio d y lasero w e
napędy CD, drukarki laserowe, układy transm isji danych, technika pomiarowa, techniki medyczne, obróbka materiałów
techniki medyczne, ij| obróbka materiałów . (cięcie, spawanie), 1 pom py energii dla 1 laserów bardzo dużej! m ocy
.r.......
' Dużej m ocy
3
^ 3
............ ......
M onochrom atyczność oznacza, że em itowana jest fala świetlna o ściśle określonej długości, a zatem w id m o te g o p ro m ie n io w a n ia zaw iera ty lk o je d e n c h a ra kte rystyczn y prążek. S tała p o la ryza cja p ro m ie niow an ia oznacza, że fala św ie tln a ma ściśle o k re ś lo n ą p ła s z c z y z n ę p o la ry z a c ji, a zatem je s t precyzyjnie zorientow ana przestrzennie. Stała faza oznacza, że em itowane fale świetlne nie m ają prze sunięcia fazow ego. Z bie żn o ść o p tyczna to cecha silnej kierunkow ości em itow anego prom ieniowania. Jeśli prom ieniow anie ma cechy: m onochrom atyczności, stałej płaszczyzny polaryzacji i stałej fazy, to nazywam y je prom ieniow aniem spójnym lub kohe rentnym 1.
i
ośrodek optyczny o właściw o ściach odb i jających promioniowanie
~ 1 -----------materiał aktywny
pronf lassras
—-....... -------
warstwa półprzewodnika typu P+
fl -C Z >
( ‘
Laser półprzewodnikowy (dioda laserowa) jest w naj prom ień / | warslwa zaporowa prostszym przypadku półprzewodnikową diodą lumilaserowy warstwa nescencyjną, wykonaną z warstwy arsenku galu o prze półprzewodnika wodnictwie typu N i warstwy typu P domieszkowanej typu N aluminium (rys. 2). Dioda półprzew odnikow a pom Rys. 2. Idea konstrukcji półprzewodnikowej powana jest elektrycznie. Uruchom ienie pom py w y diody laserowej maga spolaryzowania diody w kierunku przewodze nia. W w yniku takiego spolaryzowania zaczyna płynąć prąd przewodzenia, który wprow adza energię do warstwy zaporowej. W warstwie zaporowej część energii zostaje zamieniona na ciepło, a część zostaje wyprom ieniowania w postaci fali elektrom agnetycznej. Częstotliwość emitowanej fali elektromagnetycznej mię ści się w zakresie częstotliwości charakterystycznych dla światła widzialnego lub bliskiej podczerwieni IR:. Częstotliwość ta jest częstotliw ością charakterystyczną zależną od zastosow anego materiału aktywnego (osnow y) lasera (tab. 1 ). W przypadku dio d y laserowej pokazanej na rys. 2 powstające prom ieniowanie laserowe emitowane jesl w płaszczyźnie warstwy zaporowej. W ygenerowany promień świetlny ulega częściowemu odbiciu na wypolero wanych I pokrytych materialem refleksyjnym powierzchniach (zwierciadłach) półprzewodnika prostopadłych do ' tac. c o h a e re n s = sp ó jn y ;
3 a ng . Infra R e d = p o d cze rw ie ń
151
półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne inku emitowanego promieniowania. W rezultacie
prom ień lasera
1,18skiwany jest efekt wzmocnienia optycznego stru-
anoda
UZ' nia laserowego. Jedno ze zwierciadeł jest optyczn!18 ¿¡przepuszczalne. Promień świetlny opuszcza la501 przez niewielki otwór wykonany w tym zwierciadle.
stos rezonatorów optycznych obszar emisji prom ieniowania laserowego stos rezonatorów optycznych warstwa podłożo wa z arsenku ga lu
Strumień świetlny em itowany przez diodę lasero wą wzrasta w przybliżeniu liniowo w funkcji prądu przewodzenia diody.
katoda
Laser VCSEL Właściwości w zm ocnienia optyczne g o pro m ie n io wania laserowego wykorzystano w konstrukcji lase ra typu VCSEL 1 (rys. 1). Laser VCSEL jest skonstru owany w taki sposób, że zarówno nad, jak i pod po wierzchnią złącza emitującego prom ieniowanie usy tuowano cały stos rezonatorów optycznych. Lasery VCSEL są stosow ane do budow y n a dajni ków światłowodowych układów transm isji danych cyfrowych o p rę d k o ś c ia c h d o c h o d z ą c y c h do
Rys. 1. ilustracja konstrukcji lasera typu VCSEL
3 Gbit/s. W porównaniu z Innym i laseram i, lasery pólprze, wodnikowe wym agają zasilania stosunkow o niewiel Rys. 2. Oznakowanie ostrzegawcze produktów wykorzys kimi wartościami prądu. Również spraw ność lase tujących lasery rów półprzewodnikowych jest stosunkow o wysoka I wynosi ok. 20 %. Znaczna Ilość ciepła wydzielanego w złączu diody laserowej ogranicza ciągłą m oc pro mieniowania diody do poziomu kilkuset mW. Osiągnięcie wyższych m ocy jest możliwe przez odpow iednie chłodzenie diod lub przez emisję krótkich w ysokoenergetycznych im pulsów świetlnych (praca im pulsow a). Tryb pracy im pulsowej pozwala na osiągnięcie m ocy im pulsow ej rzędu kilkudziesięciu watów (tab. 1 na poprzedniej stron ie ).
rezonatory optyczne
Laser jest źródłem prom ieniowania spójnego. Głównym zadaniem rezonatora optycznego jest ufor mowanie zbieżnej wiązki prom ieniowania laserowe go o niewielkiej średnicy.
■■
Strumień świetlny diody laserowej może być tatwo m odulowany z częstotliwościami m odulacji w paśmie GHz. Pozwala to na zastosowanie diod laserowych w szybkich układach transm isji danych, odtwarza czach płyt kom paktowych, w systemach alarm owych I zabezpieczających, niwelatorach, wskaźnikach świetlnych, aparatach cyfrowych, generatorach efektów wizualnych, noktowizorach, aparaturze m edycz nej, urządzeniach do obróbki term icznej materiałów. Promieniowanie laserowe może być niebezpieczne dla człowieka. Może spow odow ać uszkodzenie wzro ku lub poparzenia skóry. Dlatego szczególnie ważne jest stosowanie się do przepisów bezpiecznego po sługiwania się laserami, które są zawarte w odpow iednich zaleceniach Unii Europejskiej i w norm ach kra jowych.
Źródła promieniowania są podzielone na pięć klas: I, II, lila, IIIb i IV. Kryterium podziału jest wartość m ak symalna m ocy em itow anego prom ieniowania. Każde urządzenie laserowe pow inno być oznakowane specjalnym żółtym trójkątnym znakiem ostrzegawczym oraz tabliczką znam ionow ą podającą klasę pro mieniowania (rys. 2). Dodatkowo urządzenia laserowe muszą być w yposażone w odpow iednią instrukcję opisującą sposób bezpiecznego posługiwania się laserem.
Przyrządy I urządzenia laserowe klasy I (np. wskaźniki laserowe są całkowicie bezpieczne).
' Qng. Vertical C avity S urface E m itting L a se r = la ser o e m isji p io n o w e j p rze z o tw ó r
przewodnikowe elementy i układy elektroniczne
153
¿nzystor bipolarny jest rezystorem o zm iennej ¿ystancji zależnej od wartości prądu bazy.
iiauzystor bipolarny jest przyrządem półprzewodni kowym zbudowanym z trzech kolejno ułożonych warstw półprzewodnika o różnych typach przewod nictwa (rys. 1). Na granicy styku poszczegółnycli cza PN. półprzewodników tworzą się samoistne złą warstw
2 iiiatetn w « odpowiednio spolaryzowanym • . . (rys. .
na
C p r z e d n ie j stro n ie ) tranzystorze bipolarnym prąd
w w yp y p ro ro w w aa id z e n ie em itera
' £ p |ywa przez obszary zarówno typu N, jak i ob^ary typu
r
wyprowadzę
fe n zysto r bipolarny typu NPN przewodzi wówŁ S| gdy baza i kolektor są spolaryzowane doidatnio względem emitera.
■ kolektc
i n io t
Rys. . ^ . ^ t yzlUW
1- Konstrukcja tranzystora planarnegTty
w warstwie kolektora1.
Właściwości tranzystorów bipolarnych W tranzystorach bipolarnych warstwy emitera i koora są silnie domieszkowane. Warstwy te przezie one są słabo domieszkowaną, cienką warstwą ° 9lHn?ŚC' kl,ku nm- ^ przypadku gdy w trany orze NPN złącze baza-emiter zostanie spoistyT- runku Przewodzenia, a złącze baza-kor r w kierunku zaporowym, to w tranzystorze po7 el6ktryczny. Prąd ten będzie płynął z ba■e”1 a' ponieważ warstwa bazy jest wyjątkoa' t0 swobodne elektrony z warstwy bazy warot S S,ę także d0 dodatnio spolaryzowanej kń«, i h k° '6ktora; Koncentracja dodatnich nośni3 u . (dziur) w bazie jest stosunkowo niewrM.,-,3’ p®.niewa^ warstwa bazy jest słabo domieszna niewielka część elektronów emitowaW 7 arsiwls emitera ułega procesowi rekombiaioii! W j.aZle' nałom'ast zdecydowana większość w V przechocizi przez cienką warstwę bazy k° le!
1- Budowa I symbole graficzne tranzysto Vn Typ tranzystora
Ryj__I_I , M odel warstwowy tranzystora
1 p^d elektronowy płynący w tranzystorze NPN dzieli | 8lęna prąd bazy i prąd kolektora (rys, 1). Jeśli prąd Sbazy nie płynie, to nie piynie również prąd kolektora. '¿Żalem sterowanie prądu kolektora wym aga dostarliczenia pewnej mocy wynikającej z przepływu prądu łbazy i spadku napięcia na złączu baza-em iter
Rys. 1 . Schemat rozpływu prądów w tranzystorze typu NPN
U CE
|U DE
^ i E f/e
f'Sterowanie tran zysto rów b ip o la rn ych w ym aga (dostarczenia m ocy sterowania.
w a rs tw y z a p o ro w e
.......... ------------- ---------------- ' przez spolaryzowane w kierunku zapo- l , rowym ziącze koiektor-baza będa przenikały ladun- i Rys. Z. Zasilanie I polaryzacja tranzyst t , Z r u nZVSt7 Ze bipblarr,y ™ niewielka zmiana prą1 7“ '. ■ nrnrł_. wywołuje znaczne zmiany prądu kolektora, co może być interpretowane jako zjawu widziana 7 , od Pr^du strony bazy. wyprowadzeń W związku kolektor-emiter. z przepływem prądu bazy zmienia się również rezystc
f.1fi —i ______
iiśtosunek przyrostu prądu kolektora do przyrostu ljŁ rgdu bazy n a z y w a n y je s t w s p ó łc z y n n ik ie m ¡.fomocnienia prądowego i oznaczany symbolem ( l ly Y a r t o ś ć tego współczynnika podawana jest dla Pokreślonej wartości napięcia kolektor-emiter.
if W tranzystorach b ip o la rn y c h w y s tę p u je rów nież ' prąd wsteczny /CB0 (prąd wsteczny złącza kolektor' -baza przy otw artym em iterze). Ten niepożądany prąd występuje w w yn ik u za ch o d ze n ia zja w iska tworzenia się par elektron-dziura i nosi nazwę prą, du zerowego k o le k to ra . Ponieważ intensyw ność tworzenia par dziura-elektron jest funkcją tempera: tury, to także w a rto ść prądu zerow ego ko le kto ra • jest zależna od te m p e ra tu ry złącza. Prąd zerow y kolektora tworzy wraz z częścią prądu emitera prąd kolektora /c (rys. 1 ). Charakterystyki tra n zy s to ró w b ip o la rn y c h W celu ułatwienia jednoznacznego porów nyw ania ^ parametrów tranzystorów ujednolicono ich oznacze nia i nazewnictwo charakterystycznych napięć i prą dów tranzystorów b ip o la rn ych (ry s . 2). N apięcia oznaczane są przez zastosowanie odpow iednich re guł indeksowania. Na przykład napięcie UBZ oznacza różnicę potencjałów bazy i emitera. W rzeczywistych układach napięcie to może przyjmować wartości za równo dodatnie, jak i ujemne.
Rys. 2. Kierunki i oznaczenie prądów i napięć w tranzystorze typu NPN
0,7 mA 0,6
U ce - 5 V ''1 — 0 L
0,5 | 0,4
/ Ib
° '3
h
02
-A l B ----
0,1
J
0. or re *
Rys. 3. Charakterystyka wejściowa tranzystora NPN
Oznaczenia:-UBE = -0 ,7 V, - UBB = 0,7 V, UBB = 0,7 V są równoważne i wskazują na wyższy potencjał emi tera względem bazy.
4.2 —
154 C h a ra kte rystyka w e jś cio w a tra n zysto ra
'w
Możliwe jest przedstawienie tranzystora w postaci czwórnika, w którym obwód baza-em iter będzie o ^ l f dem wejściowym (sterującym), a obwód kolektor-em iter będzie obwodem wyjściowym (sterowanym) r j l rakterystyką wejściową tranzystora będzie zależność prądu sterującego (prądu bazy) od napięcia w e k ll wego (napięcia baza-em iter). Typową charakterystykę wejściową tranzystora bipolarnego typu NPN p JS stawiono na rys. 3 na p o p rze d n ie j stron ie . W Charakterystyka wejściowa tranzystora przedstawia zależność prądu wejściowego od napięcia wejśS wego, a w ięc jest to charakterystyka /B (Um ). Miarą dynamicznej rezystancji wejściowej tranzystora jest nachylenie charakterystyki wejściowej. RezystS cję dynamiczną wyznacza się ze stosunku przyrostu napięcia AL/BE do przyrostu prądu bazy A/g. Im b a rd ji stroma jest charakterystyka wejściowa, tym mniejsza jest dynamiczna rezystancja wejściowa. |P P unkt p ra cy tra n z y s to ra
ś
Punkt pracy tranzystora definiowany jest przez wybór określonej wartości napięcia wejściowego UBE. Zg§ nie z charakterystyką wejściową, wybranej wartości napięcia UBE odpow iada określona wartość prądu ijj| /8. Wystawiając w punkcie pracy styczną do charakterystyki wejściowej, m ożemy wyznaczyć rezystancję j l namiczną w punkcie pracy, zwaną rezysta n cją w e jścio w ą tran zysto ra
V-1 ' ■■-
półprzewodnikowe elem eniy ' uk,ady elektroniczne
Półprzewodnikowe elementy i układy elektron!®; _ ----
rBE= AL/BE/A/g.
rriPĄtJ j ..-A.nag
Wartość rezystancji wejściowej tranzystora jest zależna od punktu pracy i waha się w granicach ocl kilkuset Q do pojedynczych k£2.
155
unek wartości /C//B określany jest jako w ie lko S,° ’ alowy w spółczynnik w zm ocnienia prądow ego I J a c z a n y symbolem B. w yjściow ej ch a ra kte rystyki p rądow ej, nachylenie ; s to s u n e k wartości A /c / A / B, określany jest jai więc i ' m atosygnatow y w s p ó łc z y n n ik w z m o c n ie n ia J a d o w e g o lu b ja ko z w a rc io w y w s p ó łc z y n n ik 3J^nocnienia prądow ego I oznaczany sym bolem fi. .
Wielkosygnalowy w spółczynnik w zm ocnienia prą dowego 0 jest istotny w analizie układów elektro nicznych w zm a cniających s y g n a ły za w ie rające składową stalą. M a to s y g n a lo w y w s p ó łc z y n n ik wzmocnienia prądowego fi jest Istotny w analizie Okładów w zm a cn ia ją cy c h s y g n a ły za w ie ra ją ce składowe zmienne. iZe względów praktycznych tranzystory są dzielone na grupy lub klasy w zależności od w artości w yj ściowego zwarciowego w spółczynnika w zm ocnie nia prądowego. Grupa A lub I oznacza tranzystory o najmniejszej w artości tego w spółczynnika, grupa B lub ! II oznacza tranzystory z pośrednią wartością w spółczynnika [i. Tranzystory o największej wartości wspót, czynnika wzmocnienia prądowego zaliczane są do grupy C lub III.
C h arakterystyka w y jś c io w a tra n zysto ra Charakterystyką wyjściow ą tranzystora jest charakterystyka opisująca zależność pom iędzy wielkościami wyjściowym i tranzystora, a więc prądem kolektora /c I napięciem kolektor-em iter Uce (rys. 1 ). Kształt I po^ łożenie charakterystyki wyjściowej tranzystora są zależne od prądu wejściowego l B I napięcia wejściowegj UBe. *•> Charakterystyka wyjściowa tranzystora przedstawia zależność prądu wyjściowego od napięcia wyjśćl wego, a więc jest to charakterystyka / c (Dce). .Jl
Przykład: ¡Tranzystor typu NPN ma charakterystykę wzm ocnienia prądowego jak na rys. 1. Dla punktu pracy zdefi| nlowanego przez wartości: /c = 60 mA, UCB = 5 V wyznaczyć: |a) wielkosygnalowy w spółczynnik wzm ocnienia prądow ego B, i b) malosygnalowy współczynnik wzm ocnienia prądowego //. ji | Rozwiązanie: •
■ ■
i a) z rys. 1 dla lc = 60 mA m ożna odczytać w artość lB = 0,25 mA.Stąd wielkosygnalow y współczynnik i wzmocnienia prądowego B = lcHB; B = 6 0 m A /0 ,2 5 mA = 240, Na podstaw ie ch a ra kte rystyk w yjścio w ych m ożna określić d y n a m ic z n ą re zysta n cję w y jś c io w ą tra n zystora, definiowaną jako stosunek przyrostu napię cia w yjściow ego do przyrostu prądu w yjściow ego tranzystora w punkcie pracy
rCB — W
ce / ^ I c -
C h a ra kte rystyka w zm o cnien ia p rą d o w e g o tran zysto ra Z ależność prądu w y jś cio w e g o tran zysto ra (prądu kolektora) od prądu wejściowego tranzystora (prądu bazy) w w arunkach stałego napięcia w yjściow ego (kolektor-em iter) definiow ana je st ja ko charaktery styka w zm ocnienia p rądow ego tranzystora (rys. 1 na n astępnej s tron ie ).
i b) z rys. 1 dla /c = 60 mA można odczytać, że wartości przyrostu prądu wejściowego AlB = 0,1 mA odpoj wiada przyrost prądu wyjściow ego A/0 = 20 mA. Stąd m atosygnalowy w spółczynnik wzm ocnienia prąi dowego p = A/c /A /B; fi = 20 m A/0,1 mA = 200.
Charakterystyka ste ro w a n ia n a p ię cio w eg o tranzystora Zależność prądu w yjścio w e g o tranzystora (prądu kolektora /c) od napięcia w ejściow ego tranzystora (napięcia baza-em iter bazy UBE) w warunkach stałe go napięcia wyjściowego (kolektor-em iter Uce) defi niowana jest jako charakterystyka sterow ania napię ciowego tran zysto ra (rys. 2 ). Stosunek wartości A/C/AUBE nazywany jest transkonduktancją tranzystora i oznaczany sym bolem g m. Wartość tego w spółczynnika w temperaturze pokolowej m ożna w yzn a czyć w s p o s ó b u p ro s z c z o n y 2zależności
2
mA
101 5
2 10°
: 5V — wartość średnia ■— odchylenie war tości dla 25"C 25°CX
5 100“C__
10 -
1,0
Rys. 2. Rodzina charakterystyk sterowania napięcio wego tranzystora NPN
156
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronie
9m = /c /2 6 mV.
-V
Efekt p rz e w o d n ic tw a sa m o istn e g o m a w p ły w na charakterystyki tranzystora. Ze w zględu na w pływ temperatury na przewodność sam oistną podawane są charakterystyki tranzystorów wyznaczane w róż nych tem peraturach pracy (rys. 2 na poprzedniej stronie).
\ \ \
■"Hi I ■ -u
o b s z a r ch a ra k te ry s ty k ro b o c z y c h tra n z y s to ra
Parametry graniczne Parametry graniczne wyznaczają na charakterystyce wyjściowej obszar dopuszczalnej pracy tranzystora (rys. 1). Do' p o d sta w o w ych para m e tró w g ra n icz nych tranzystora należą: ca łko w ita m oc strat Plol, prąd kolektora /0l napięcie kolektor-em iter UCE, na pięcie wsteczne złącza baza-em iter UBE i tem pera tura złącza Oj. Całkowita m oc strat tranzystora jest sumą m ocy strat w złączu baza-em iter wynikających z przepływu prą du bazy Iq i mocy strat w złączach emiter-baza i baza-kolektor wynikających z przepływu prądu kolekto ra /c . Parametry graniczne tranzystora podawane są dla określonej tem peratury złącz struktury półprze wodnika. Zastosowanie dodatkowych środków tech nicznych ułatwiających rozpraszanie wydzielanej m o cy cieplnej w tranzystorze, takich jak np.: radiatorów m ontowanych na obudowach tranzystorów lub wen tylatorów umożliwiających wprowadzenie wym uszo nego chłodzenia pozwala na zmniejszenie temperatu ry złącz półprzewodnika, a zatem na zwiększenie do puszczalnej m ocy strat w tranzystorze, przekraczają cej nawet nominalne wartości graniczne. Ważne jest w tym przypadku zachowanie w arunku nieprzekraczania tem peratury granicznej złącza 0/ ponad d o puszczalną wartość graniczną. Przekroczenie wartości granicznych param etrów tranzystora grozi je g o uszkodzeniem lub degra dacją je g o parametrów. Możliwe jest naniesienie na charakterystykę w yjścio wą tranzystora krzywej w postaci tzw. hiperboli m o cy strat (rys. 1). Hiperbola mocy strat jest zbiorem wszystkich punktów charakterystyki wyjściowej tran zystora, dla których sp e łn io n y je st w arunek stałej mocy, tzn. takich, dla których zachodzi /c 1 Uc
ii
i
1 _ L _ _ *Sgf UCE ~
2 półprzew odnikow e elementy i układy elektroniczne >obszaru pracy jest zależne od różnicy temperazłącz tranzystora i otoczenia. Ogólnie, im mniej’ ' loct ta różnica, tym mniejszy jest dopuszczalny : sza lesl obszar pracy.
157
: I b ' Ube + lc ' Uce p(o(
• lc ' U r
_ całkowita m oc strat tranzystora
parametry statyczne /0j /c - graniczne wartości prądów bazy metry statyczne tranzystora odnoszą się do jego i kolektora tranzystora Iściwości wykazywanych w w arunkach przew oUBE, UCe - graniczne wartości napięć baza-em iter i ^e nia przez tra n z y s to r p rą d u s ta łe g o , a zatem i kolektor-em iter tranzystora i f w a r u n k a c h u sta lo ne g o i n ie zm ien n e g o pu n ktu 1 c„ pla tego samego typu tranzystora, produkow anego przez tego samego wytwórcę i należącego do tej ' samej grupy selekcyjnej, rozrzut param etrów statycznych i dynam icznych jest dość znaczny. Z tego powodu ;j p0Cjawane są parametry o wartościach przeciętnych (średnia statystyczna) i ewentualnie histogram y tych !' param etrów .
Rys. 1. Obszar pracy tranzystora NPN
I yyartości parametrów statycznych są podawane dla ściśle zdefiniowanego punktu pracy tranzystora ste rtow anego prądem stałym. U
Przy konstrukcji hiperboli m ocy przyjm uje się najczęściej, że cała m oc tracona w tranzystorze wynika z prze-, pływu prądu kolektora, a zatem dla uproszczenia pom ija się względnie niewielką m oc traconą wskutek p r* pływu prądu bazy. Jeśli dodatkow o poza hiperbolą m ocy na charakterystykę wyjściową tranzystora zostań? naniesione maksym alne dopuszczalne wartości: prądu kolektora Icmm i napięcia kolektor-em iter Ucemm^ zostanie określony obszar zwany obszarem pracy tranzystora.
' yy wyniku występowania zjawiska przewodnictwa samoistnego w złączach PN tranzystora występuje przepływ prądów zwanych prądami zerowymi. Wartości prądów zerowych są zależne od temperatury złącz. Z punktu widzenia zastosowań tranzystorów prądy zerowe są prądami niepożądanymi. W tranzystorach bipolarnych wy różnia się: zerowy prąd kolektora ICbq i zerowy prąd emitera /eB0 (prąd wsteczny złącza baza-em iter przy otwartym kolektorze). Na charakterystyce wyjściowej tranzystora (rys. 1 na poprzedniej stronie) wyróżnić można charakterystyczny punkt przegięcia charakterystyki, w którym dalszym przyrostom napięcia kolektor-emiter odpowiada już bardzo niewielki wzrost prądu kolektora, przy tym samym prądzie bazy. [Wartość napięcia kolektor-em iter odpow iadająca punktowi przegięcia określana jest jako napięcie nasy cenia1 i oznaczana sym bolem UCEsat. W artość m aksym alna napięcia ko le kto r-e m ite r tranzystora przy | odłączonej bazie (lB = 0) jest oznaczana sym bolem U0E0.
Parametry dynam iczne Parametry dynamiczne tranzystora odnoszą się do jego właściwości wykazywanych w warunkach przewodze nia przez tranzystor prądu przemiennego lub przy pracy impulsowej (w zastosowaniach cyfrowych). Do pod stawowych parametrów dynamicznych tranzystora zaliczane są: zwarciowy współczynnik wzmocnienia prą dowego, pojemności złączowe, czasy przełączania, częstotliwość graniczna oraz parametry czwórnikowe. ¡ Wartości parametrów dynam icznych są podawane dla ściśle zdefiniowanego punktu pracy tranzystora ! w warunkach sterowania prądem przemiennym. Częstotliwość graniczna fT definiowana jest jako częstotliwość wejściowego sygnału sterującego, przy której wartość zwarciowego współczynnika wzm ocnienia prądowego /! osiąga wartość równą 1 . Parametrami czwórnikowymi tranzystora są parametry typu l i 2 wyznaczane dla sterujących sygnałów niskoczęstotliwościowych (tab. 1 na następnej stronie) i parametry typu y wyznaczane dla sygnałów wysokoczęstotliwościowych. Parametry czwórnikowe h i y są wzajemnie równoważne w tym sensie, że parametry ty pu h mogą być przekształcone w parametry typu y i odwrotnie. Parametry h I y wyznaczane są w otoczeniu punktu pracy tranzystora dla niewielkich zmian prądów i napięć. Mają one istotne znaczenie w konstrukcji I analizie układów wzm acniających budowanych z wykorzystaniem tranzystorów. Dla przykładu parametr /i2i reprezentuje współczynnik wzmocnienia prądowego wyznaczony dla prądu przem iennego przy zwartym ob wodzie kolektor-em iter (zwarciowy współczynnik wzmocnienia prądowego), a parametr h22 reprezentuje wartość odwrotności dynamicznej rezystancji wyjściowej wyznaczonej przy braku sygnału sterującego (skła dowej przemiennej). ąrig, satiinuo ~ nasycać; fac. hybrid = mieszany
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronie^
158
2
Tab. 1. Parametry czwórnikowe tranzystora w konfiguracji wspólnego emitera
iU cE = 5 V
s jh 10
10 '
,.m
S c h e m a t c z w ó rn ik o w y tra n z y s to ra
5
k
-frf2 o
----
2 10°
'k
U BE
J
=
= =
J /k te ■ " 22o
10 -'
____________
'1 0 ‘1 2
Definicja
Parametr
5
10°
2
5mA10'
Rys. 1. Współczynniki korekcyjne parametrów czwórnlkowych tranzystora H„/ Ponieważ tranzystor ma trzy elektrody (zaciski), to w m odelu czwórnikowym jeden z tych zacisków należy je d n o c z e ś n ie do o b w o d u w e jścio w e g o i wyjściowego. Zależnie od tego, który z zacisków tranzystora jest zaciskiem wspólnym , to m ówimy o konfiguracji ze wspólnym emiterem , wspól nym kolektorem lub wspólną bazą. Jeżeli tranzystor pracuje w konfiguracji w spólnego emitera, to parametry czwórnikowe mają w indeksie dodatkową literę e. Parametry czwórnikowe możliwe są do wyznaczenia z charakterystyk tranzystora. Dla przykładu z charakterystyki wyjściowej dla stałej war tości napięcia L/0E, można wyznaczyć współczynnik /?11QZ zależności:
Zwarciowa im pedancja wejściowa Rozwarciowy współczynnik oddziaływania wstecznego
Warunki 1 wyznaczenia! parametru1#
AU be A /r
U ce = consią rt |
AU be AU
ce
Zwarciowy współczynnik wzm ocnienia prądowego
Alę A/r
Rozwarciowa adm itancja wyjściowa
A/ę AUcc
I b = oonst '1 |
Uoe-=
c o n s ti
4.2
półprzewodnikowe élementy i układy elektroniczne
fototranzystory w fototranzystorach półprzewodnikow ych wykorzy s ta n y jest zewnętrzny efekt fotoelektryczny poleaiacy na dostarczeniu e lektronom w a le n cyjn ym ¡omów energii w ystarczającej do ich uwolnienia, awlęc do przejścia do pasma przewodzenia. Energię t„ (w postaci promieniowania świetlnego lub elektro magnetycznego) dostarcza się bezpośrednio w ob szar złącza baza-kolektor fototranzystora przez spe cjalnie ukształtowany światłowód. W wyniku oświe- nenia złącza powstaje prąd fotoelektryczny lp, które g o wartość jest w przybliżeniu pro p o rcjo n aln a do s tru m ie n ia św ie tln e g o £ v (rys. 1). Prąd fo to ele ktryczny oddziałuje na prąd ko le kto ra w p o d o b n y sposób, jak prąd bazy w tranzystorze konw encjo nalnym. Prąd kolektora fototranzystora jest w przybliżeniu liniową funkcją strumienia świetlnego oświetlają cego powierzchnię jego złącza baza-kolektor.
159
50
- 3 OC 0 lx
mA
20 10(30 lx
10 5
<
b e z w yp ro * w a d z e n ia ze w n ę trz n e g o b a zy
I!I
300 lx
100 lx- 0,5 s
I 3O l X
0,2
0,1
5 UCE
10
V
z w y p ro w a d z e n ie m ze w n ę trz n y m b a zy
1£
*■“
Rys. 1. Charakterystyka wyjściowa oraz symbole graficzne fototranzystorów
Fototranzystory charakteryzują się znacznie większym współczynnikiem czułości w porównaniu do fotodiod ze względu na występujący efekt tranzystorow ego wzm ocnienia prądu fotoelektrycznego. W zasadzie foto tranzystory nie wym agają wyprow adzenia na zewnątrz elektrody związanej z bazą (rysi 1). W ynika to z fak tu, że fototranzystory sterowane są prom ieniowaniem elektrom agnetycznym , a nie prądem czy polem elek trycznym. Niektóre fototranzystory są wykonywane również w wersji z wyprow adzeniem bazy. W tym przy padku wyprowadzenie bazy służy do ustalenia punktu pracy fototranzystora. Ze względu na znaczną pojem ność złącza baza-kolektor fototranzystory są stosowane w zakresie częstotli wości do 250 kHz. Typowymi zastosowaniami fotrotranzystorów są układy zabezpieczeń fotoptycznych, a także uktady optycz nego rozdzielenia galwanicznego sygnałów (układy optizolacji sygnałów).
h ’ = h ■He l- H, h lie =
AU
be
/ / B.
h W artości param etrów czw órnlkow ych zależą od wyboru punktu pracy tranzystora.
h'
parametr czwórnikowy w nominalnym i punkcie pracy parametr czwórnikow y w rzeczywistymi punkcie pracy prądowy współczynnik korekcyjny d la l rzeczywistej wartości prądu kolektorami
4.2.3.2 Tranzystory unipolarne Podstawowe w ła ś c iw o ś c i
Przykład: Wyznaczyć rzeczywistą wartość zwarciowej rezystancji wejściowej h ’110 tranzystora w jego rzeczywistyinj punkcie pracy określonym przez napięcie kolektor-em iter l / 0E = 5 V i prąd kolektora lc = 0,5 mA. Znaril jest wartość parametru h n 0 = 4,5 k£2 w nominalnym punkcie pracy tranzystora określonym przez napl^ cie kolektor-em iter U0E = 5V i prąd kolektora /c = 2 mA.
W tranzystorach unipolarnych, w odróżnieniu od tranzystorów bipolarnych, prąd obciążenia (prąd wyjściowy) przepływa wyłącznie przez materiał półprzewodnikowy o tym samym typie przewodnictwa. Wartość tego prądu jest zależna między innymi od wartości rezystancji warstwy półprzewodnika, przez który ten prąd przepływa. Warstwa półprzewodnika, przez który przepływa prąd obciążenia w tranzystorze unipolarnym , nosi nazwę d re n b ra m k a ż ró d lo kanału. Rezystancja kanału jest sterow ana natęże D G S niem pola elektrycznego otaczającego kanał. W wyni 0V ku oddziaływania pola elektrycznego kanał może się .zawężać lub rozszerzać, zmieniając swoją rezystancję (rys. 2). Efekt ten nazywany jest również efektem po towym, a tranzystor, w którym ten efekt jest wykorzy stywany, nazywamy tranzystorem polowym FET*.
Rozw iązanie: Ponieważ wartości napięć kolektor-em iter są identyczne w punktach pracy: nominalnym i rzeczywistyrtl| to w artość współczynnika korekcyjnego H Ugu = 1. Z rys. 1 dla wartości /c = 0,5 mA m ożem y odczytą| wartość współczynnika korekcyjnego H 11o/ = 3,2. Stąd
Prąd obciążenia przepływa w kanale pom iędzy dw o ma elektrodami um ieszczonym i na je g o końcach, a mianowicie pomiędzy źródłem (oznaczanym sym-
Jeśli punkt pracy tranzystora różni się od punktu pra cy, dla którego zdefiniowano wartości parametrów ty pu h, to możliwe jest skorygowanie tych parametrów przez przemnożenie ich wartości przez współczynniki korekcyjne Hoh w zględnie Hm , odczytane z o d p o wiednich wykresów korekcyjnych (rys. 1 ).
h' 110 = h U0 ■H nel • H Um, = 4,5 kQ - 3 ,2 - 1 = 1 4 ,4 kQ.
Hb,
H„„
lc napięciowy w spółczynnik korekcyjny ,! dla rzeczywistej wartości napięcia L/ceI
kanał
an0- r/o W E lfect Trans/stor -- tra nzysto r z efe ktom p o to w ym
w a rs tw a Iz o lu ją c a
s u b s tra t (B) (p o d ło że )
Rys. 2. Ilustracja sposobu sterowania prądu drenu lD tranzystora unipolarnego FET przez zmiany napięcia bramka-żródlo Uas
160
t.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronicy
bólem S 1 i d renem (oznaczanym sym b o le m D2). S ze ro ko ść k a n a łu 'tra n z y s to ra m o d u lo w a n a je s t przez pole elektryczne w ytworzone przez spolaryzo wanie elektrody źródła względem elektrody zwanej bramką, oznaczaną sym bolem G3.
ź ró d ło (S) b ra m k a (G) d re n (D)
i W tranzystorach unipolarnych z efektem potowym : rezystancja kanału sterowana jest polem elektrycz nym skierowanym poprzecznie do jego osi.
Produkowane są tranzystory potowe z kanatem typu N I kanałem typu R Kanały te tworzone są przez od pow iednie dom ieszkow anie w ybranego fragm entu materiału półprzew odnikow ego. Pozostała, nie d o m ieszkowana część półprzewodnika (rys. 1 ) stano wi warstwę podłożow ą, zwaną podłożem lub substratem'1. W tra n z y s to ra c h z efe ktem p o ło w ym p o d ło że musi być połączone ze źródem po to, aby w trak cie sterowania zapewnić m ożliwość wym iany ła dunków elektrycznych pom iędzy kanałem ¡ pod łożem.
Rys. 1. Idea konstrukcyjna N-kanałowego tranzystora* IG-FET Idea
p rz y k ła d realizacji ź ró d ło (S)
b ra m ka(G )
\
Rys. 2. Idea konstrukcyjna N-kanalowego tranzystora!! PN-FET
6 mA 5
J
2 3 u D!
V / / -3 V -2
Tab. 1. Tranzystory potowe Typ
Tranzystor połowy z kanałem typu P
izolowaną bramką (IG) Z
Tranzystory po lo w e z kanatem zubażanym są ■tranzystorami norm alnie załączonymi, natom iast tranzystory z kanatem w zbogacanym są tranzy storami normalnie wyłączonymi.
d re n
b ra m k a
W symbolu graficznym unipolarnego tranzystora po towego bramka jest zlokalizowana naprzeciw źródła (tab. 1). Rodzaj przewodnictwa kanału jest sym boli zowany przez skierowanie strzałki związanej z kana łom na zewnątrz, jeśli kanał ma właściwości przewod nictwa typu P i do wewnątrz, jeśli kanał ma właściwo ści przewodnictwa typu N. Kanat zubażany symboli zowany jest przez linię ciągłą, natomiast kanał wzbo gacany symbolizowany jest przez linię przerywaną.
ź ró d ło
d re n
a
n o rm a ln ie w y łą c z o n y tra n z y s to r p o ło w y z izo lo w a n ą b ra m k ą i w zbogacanym k a n a łe m ty p u P
Charakterystykę N-kanałowego (ranzystora złączone go podano na rys. 3 na poprzedniej stronie.
Tranzystor połowy z kanałem typu N
b ra m k a
ź ró d ło
a
n o rm a ln ie w łą c z o n y tra n z y s to r p o ło w y z izo lo w a n ą b ra m ką i zu b a ż a n y m k a n a łe m ty p u N
Złączowy (PN) ź ró d ło
tra n z y s to r J F E T z k a n a łe m ty p u P
IG FE T - tra n z y s to r z k a n a łe m z u b a ż a n y m d re n
b ra m k a
ź ró d ło
tra n z y s to r JFE T z ka n a łe m ty p u N
JF E T - tra n z y s to r p o ło w y z łą c z o w y d re n
W symbolu graficznym tranzystora unipolarnego złą czowego typu JFET sposób oznaczania rodzaju prze wodnictwa jest analogiczny do stosowanego w sym: bolach tranzystorów bipolarnych (rys. 1 ). •.Tranzystory polowe są klasyfikowane ze względu na rodzaj Izolacji pom iędzy bram ką i kanałem. Wyróżnia się tranzystory polowe złączowe i tran zystory polowe z izolowaną bramką.
-1
Zależnie od wartości rezystancji kanału tranzystora w w arunkach braku sterowania (a więc przy zwar Rys. 3. Charakterystyki N-kanałowego tranzystora typu JFET5 tych elektrodach bram ki i źródła) wyróżnia się dwa typy tranzystorów polowych: z kanatem w zbogaca nym I z kanatem zubażanym. Jeśli w takim stanie kanał ma w łaściw ości przewodzące, to tranzystor nazywa się tranzystorem normalnie załączonym W tranzystorem z kanałem zubażanym. Jeśli w stanie braku wysterowania tranzystor wykazuje właściwości izolujące, to tranzystor taki nosi nazwę tranzystora normalnie wyłączonego lub tranzystora z kanałem wzbogacanym.
1 a n g . so u rce = źró d ło ; 2 a ng . drain = d re n, o d p ły w ; 3 a ng . g a le = b ra m ka; 4 łac. su b stra tum -- p o d ło ż e ; 5 a ng . J u n c lio n F ie ld E ile c t T ra n sistor = z łą czo w y tra n zysto r z e fe kte m p o to w ym
zystory unipolarne typu złączowego (JFET) w tranzystorach u n ip o la rn y c h ty p u złą c z o w e g o tFET bramka jest w ykonana z m ateriału pólprzednika o przeciwnym typie przewodnictwa w stok u do.typu przewodnictwa kanału (rys. 2 na po5 ecinlej stronie). Jeśli zatem kanał jest wykonany półprzewodnika typu R to bram ka jest wykonana 1 [patenalu typu N i odwrotnie, jeśli kanał ma przewódnictw° typu N, to bram ka ma przewodnictwo tyII R pomiędzy bramką i kanałem tworzy się sam o istne złącze PN, które ma w łaściw ości izolacyjne w p rz y p a d k u jego wstecznej polaryzacji.
161
b ra m k a
"tŻT5
Ił
W tranzystorach polowych z Izolowaną bram ką p o m iędzy kanałem i bram ką (rys. 1 ) wytwarza się Izo lującą w arstw ę dw utlenku krzem u (S i0 2). Bramkę wykonuje się technologią naparowania próżniow e go cienkiej w arstw y m etalicznej be zp ośre d n io na warstwę izolacyjną.
s u b s tra t (B) (p o d ło że )
półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
O
Bram ka w u n ip o la rn y c h tra n zysto ra ch p o lo w ych pełni rolę elektrody sterującej. Bramka jest izolowa na od kanału i pozostałych elektrod warstwą izola cyjną lub spolaryzowanym zaporowo półprzew odni kowym złączem typu PN. W związku z tym pom ię dzy bram ką a kanałem nie przepływa prąd sterują cy. Sterowanie rezystancji kanału przez bram kę ma zatem charakter sterowania potencjałowego (po towego) i nie w ym aga przepływu prądu bramki.
kanał
■
Tranzystory unipolarne charakteryzują się małym po Rys. 1. Oznaczenia napięć i prądów stosowane ziomem szumów. Niski poziom szumów wynika z fak w tranzystorach polowych tu, żb sterowanie tranzystora potowego polega na ste rowaniu koncentracją nośników ładunków w kanale. W związku z tym nie zachodzi zjawisko rekombinacji, jak w przypadku tranzystorów bipolarnych. Istotną wadą tranzystorów unipolarnych jest stosunkowo znaczna pojem ność występująca pomiędzy bramką i kanałem. Przeładowanie tej pojemności wymaga czasu, co Istotnie ograni cza górną częstotliwość graniczną przenoszonego pasma. W zasadzie tranzystory te nie są stosowane w ukła dach przełączających, w których wymaga się czasów przełączeń poniżej 100 ns. Tranzystory p o lo w e z izo lo w a n ą b ram ką (IG-FET) W tranzystorach typu IG-FET pomiędzy bramką a kanałem wytworzona jest specjalna warstwa izolacyjna. Ze Względu na rodzaj warstwy Izolacyjnej i podłoża wyróżnia się tranzystory typu WIOSFET1 1tranzystory M1SFET2.
l °ng. Motał O xide S e m ic o n d u c to r FET; anQ. Motał Insu la tor S e m ic o n d u c to r FET
162 W obu typach tranzystorów warstwa izolacyjna wyko nana jest z dwutlenku krzemu (S i0 2), natomiast ma teriałem podłożowym w tranzystorach MOSFET jest krzem, a w tranzystorach MISFET - arsenek galu. Warstwa izolacyjna w tranzystorach polowych z izo lowaną bram ką całkow icie izoluje elektrycznie ob w ody prądu sterowania i prądu obciążenia. Dzięki temu rezystancja wejściowa tranzystorów jest bar dzo duża (rzędu 1018 £2), a prąd upływu bardzo ma ły (rzędu 10_15 A). Ze względu na fakt, że warstwa izolująca jest grubsza od warstwy zaporowej złącza PN, mniejsza jest pojem ność bram ka-kanał, wyższa jest częstotliwość graniczna i większe jest napięcie przebicia izolacji w stosunku do tranzystorów złą czowych unipolarnych typu JFET. W tranzystorach polow ych z izolowaną bram ką obwody sterujący i sterowany są wzajem nie od izolowane elektrycznie. Tranzystory MOSFET i MISFET są wrażliwe na uszko dzenia wynikające z przyłożenia zbyt dużego napię cia sterującego UGS. Uszkodzenia spowodowane są przebiciem warstwy izolującej bramkę od kanału. Ze w zględu na bardzo wysoką rezystancję wejściową tran zysto ra naw et s to su n ko w o nie w ie lki ła d u n ek elektrostatyczny w prow adzony na bram kę może zaindukować napięcie o wartości przekraczającej do puszczalną wartość graniczną. Z tego powodu elek trod y tranzystorów p o lo w ych pow inny być zwarte w czasie ich przechowywania i transportu.
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronicy
iu to w ą ic a
s ie c io w y p r z e w Ä , • z ia ją c y Ji
p u lp it iz o la c y jn y p ły tk a d ru k o w a n a /
2 0 0 kQ
\ fir l /
p rz e w ó d
za cisk
Rys. 1. Aranżacja stanowiska pracy do montażu tranzystorów polowych
42 półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
163
H napięcie maksymalne pomiędzy bramką i kanałem jest ograniczane do poziomu ok. ± 1 0 V. Wprowadzediod zabezpieczających zwiększa pojemność pomiędzy bramką i kanałem. W rezultacie obniżeniu ulega n!frna częstotliwość graniczna tranzystora. Obniżeniu ulega również rezystancja wejściowa tranzystora ze j-du na bocznikujące działanie zastosowanych diod zabezpieczających. Ponieważ rezystancja diod jest acznie niższa od rezystancji bram ka-źródlo tranzystora, rezystancja wejściowa tranzystora ma niemal iden tyczną wartość jak spolaryzowanej zaporowo diody zabezpieczającej. jeżeli bramka tranzystora polowego ze zubażanym kanałem typu N zostanie spolaryzowana dodatnio wzglę dem źródła, to na skutek wytworzonego pola elektrycznego zostaną stworzone warunki do migracji sw obod nych elektronów'z materiału podłożow ego do kanału. Kanał zostanie zatem wzbogacony o ładunki prądu elektrycznego. Jeżeli bramka tranzystora polowego ze zubażanym kanałem typu N zostanie spolaryzowana uismnie względem źródła, to nastąpi zjawisko odwrotne, tzn. migracji sw obodnych elektronów z kanału do materiału podłożowego. W tym przypadku kanał zostanie zubożony w ładunki elektryczne. W obu przypad kach ulegnie zmianie rezystancja kanału; będzie ona malała przy wzbogacaniu kanału i rosła przy jego zuba żaniu. Jeśli kanał zostanie spolaryzowany w taki sposób, że napięcie Um będzie dodatnie i stale, to popłynie prąd drenu l0 o wartości odwrotnie proporcjonalnej do rezystancji kanaiu. Zatem m ożliwe jest sterowanie prą du drenu /D przez zmianę napięcia bram ka-źródlo UGS (rys. 3 na poprzedniej stronie). W analogiczny spo, s6b działa tranzystor połowy ze zubażanym kanałem typu R W przeciwieństwie do swojego odpowiednika z kanałem typu N wymaga on sterowania przeciwnie spolaryzowanym napięciem, tzn. ujemną wartością na pięcia bramka-żródto UGS. Sterowanie prądem wyjściowym tranzystora polowego z izolowaną bramką polega na wytworzeniu odpowied
niego pola elektrycznego pomiędzy bramką i podłożem. Polaryzacja tego napięcia może być zarówno dodatnia, b ra m k a 2
.jaki ujem na. Zatem w układach wzmacniających prądu przemiennego możliwe jest wyeliminowanie kondensato
rów sprzęgających, eliminujących składową stalą sygnału pomiędzy kolejnymi stopniami wzmacniającymi. i Tranzystory polowe z izolowaną bramką i kanałem zubażanym m ogą być sterowane w zakresie zarówno dodatnich, jak i ujemnych napięć sterujących Uas-
Rys. 2. Dwubramkowy tranzystor połowy IG-FET z zabezpieczeniami nadnaplęciowymi bramek
W czasie transportu i magazynowania elektrody tranzystorów polow ych z izolowaną bram ką po winny być zwarte ze sobą.
Podczas wlutowywania tranzystorów z izolowaną bram ką lub układów scalonych zawierających ta kie tra n zysto ry należy p rze strze g ać sz c z e g ó l nych ś ro d k ó w o s tro żn o ści, któ re z a p o b ie g a ją p rz e b ic iu e le k try c z n e m u w a rs tw y iz o lu ją c e j bram kę (rys. 1). Ze względu na upływ ność lu townica nie powinna być zasilana bezpośrednio z sieci, le cz o d se p a ro w a n a g a lw a n iczn ie , np. przez transform ator separujący. Może być rów nież stosowana lutownica zasilana ze źródła na pię cia s ta łe g o . S ku te czn ym zab e zpiecze n ie m jest rów nież wyrów nanie potencjałów m ontaży sty, pulpitu oraz uziemionego stanowiska pracy.
Punkt pracy normalnie włączonego tranzystora polowego z izolowaną bramką i zubażanym kanałem, jak również tranzystora polow ego złączowego może być ustalony przez spolaryzowanie bram ki względem źró dła przez zastosowanie odpow iedniego rezystora. Rezystor ten włączany jest szeregowo w obwód źródła, analogicznie jak rezystor emiterowy w tranzystorach bipolarnych. Wprzypadku tranzystorów polowych z izolowaną bramką, norm alnie wyłączonych z kanałem wzbogacanym punkt pracy ustalany jest zwykle za pom ocą rezystorowego dzielnika napięcia, a więc również w podobny sposób, jak dla tranzystorów bipolarnych. W tym przypadku jednak dzielnik napięcia jest praktycznie nieobciążony ze względu na bardzo dużą rezystancję wejściową tranzystora. Dwubramkowy tra n zy s to r p ołow y z izo lo w a n ą bramką Dwubramkowe tranzystory polowe z izolowaną bram ką DG FET1 zawierają dwie niezależne i izolowane względem siebie bramki (rys. 2 na poprzedniej stro nie) sterujące przepływem prądu drenu we wspólnym kanale. Zatem każda bramka może niezależnie ste rować wartością prądu kanału. Tranzystory tego typu znajdują za sto sow an ia w u kła d a ch m o d u la to ró w Irnieszaczy częstotliwości. Para komplementarna FET
Nowoczesne tranzystory polowe z izolowaną bramką są wyposażane w zintegrowane układy zabezpieczenia nadnapięciowego bramki w postaci odpowiednio spolaryzowanych diod Zenera włączanych pomiędzy bram kę i kanat (rys. 2). Niezależnie od kierunku polaryzacji bramki i kanału jedna z diod zabezpieczających spola ryzowana jest zawsze w kierunku przewodzenia, a druga w kierunku zaporowym. Dzięki takiemu połączeniu
Para kom plem entarna 2 FET złożona je st z d w óch szeregowo połączonych tranzystorów o różnych tysng, Dual Gafo F ie ld E ffe ct T ransistor; 'ac. c om plom ontum = u zup olnion ie
164
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektroi
■Hwodnikowe elementy i układy elektroniczne
pach kanałów sterow anych ze w spólnego źródła napięcia. Pary kom plem entarne stosowane są wszystkim w konstrukcji cyfrowych, energooszczędnych układów scalonych (technika CMOS). W typow ych warunkach sterowania w stanie przewodzenia znajduje się tylko jeden tranzystor pary. 2af !i-ł prąd płynący przez szeregowo połączone kanały obu tranzystorów jest znikomy. Szybka zmiana połaryzn^ bram ek obu tranzystorów na przeciw ną p ow oduje przejście tranzystora dotychczas nie przewodząca^ w stan przewodzenia I zatkanie tranzystora dotychczas przew odzącego. W rezultacie rezystancja hm r obu tranzystorów pozostanie wysoka. ■ ' . . C W obu przypadkach przez tranzystory płynie m inimalny prąd drenu. W tranzystorach pary komplemeń‘1 nej straty m ocy są wydzielane praktycznie tylko w fazie przejściowej, tzn. w fazie przechodzenia ze s zablokowania do stanu przewodzenia i odwrotnie. Parametry tranzystorów FET Podstaw owym i param etram i tranzystorów FET są: nachylenie charakterystyki sterowania nazywane tra n s k o n d u k ta n c ją tr a n z y s to r a i o z n a c z a n e sym bolem gm, dynamiczna rezystancja wyjściowa rDS, maksymalne napięcie dren-źródło UDS, mak symalne napięcie bram ka-żródto UGS, całkowita moc strat tranzystora P,Of
Dla UDo = const: 9m —
9m
-
A/d
_
U gs
-
Transkonduktancja g m jest tym większa, im większy jest przyrost prądu drenu przy tej samej zmianie na pięcia sterującego (napięcia bram ka-żródto). Zatem w sp ó łczyn n ik ten będzie tym większy, im krótszy jest kanał i większy jest jego przekrój. Tranzystory unipolarne mocy Tranzystory unipolarne polowe przeznaczone do prze łączania znacznych m ocy nazywane są tranzystorami mocy. Przełączanie znacznych m ocy wymaga odpo wiedniej konstrukcji tranzystora zapewniającej małą rezystancję kanału w stanie przewodzenia i dobre wa runki odprowadzenia wydzielanej m ocy cieplnej. Sto sowane są dwa typy konstrukcyjne tranzystorów mocy: VMOSFET (rys. 1) i TMOSFET (rys. 2).
’• I napięcie d re n-źródlo ' I li przyrost napięcia dren-żródto
źródło
b ra m k a
i l f e
l l
p
d o m ie szko w a ł s u b slra t
^
' o przewodni:^ c tw le N ’ł" ; - d r e n jl
'A Rys. 1. Schemat konstrukcyjny tranzystora polowego» typu VMOSFET
e le k tro d a $ j m e ta lo w a źródlłfi
b ra m k a , k rz e m p o lik ry s ta lic z n y
1 ang. ve rtic a l - p io n o w y
/
.
Rys. 1. Obudowy tranzystorów potowych mocy typu VMOSFET i TMOSFET
s y m b o l g ra fic z n y
sc h e m a t z a s tę p c z y
Rys. 2. Symbole graficzne tranzystorów bipolarnych z Izolowaną bramką typu IGBT
: jjijskis zera, sląd nawet istotna zmiana tem peratury struktury tranzystorów nie w ywołuje znaczącej zmiany : wartości prądów płynących przez każdy tranzystor z osobna. i Inaczej jest w przypadku tranzystorów bipolarnych, w których proporcje rozdziału wartości prądów pomię•dzy równolegle połączone tranzystory zależą od temperatury. Ze wzrostem temperatury rezystancja kolekLtor-emiter maleje, a zatem prąd kolektora i m oc wydzielana na tranzystorze rosną. i!
, Si 0 1
íüí
1
Tranzystory m ocy MOSFET z izoiowaną bramką mają, w zależności od konstrukcji i obudowy, możliwości przewodzenia prądów drenu do 250 A przy napięciu zaporowym do 1 kV. Czasy przełączania tych tranzysto rów są stosunkowo znaczne (rzędu 0,1 gs). Tranzystory te znajdują zastosowanie w układach projektow a nych do zastosowań w paśmie częstotliwości nie przekraczającym 50 kHz.
L ź ró d ło
D
-S io , h silnie
t
'■yy celu zwiększenia sum arycznego prądu przewo: dzenia często tranzystory m ocy z izolowaną bramką ■|a02One są równolegle nawet w obrębie tej samej ( ‘o b u d o w y (rys. 1). W sp ó łczyn n iki te m p e ra tu ro w e zmiany rezystancji kanałów są w tych tranzystorach
g
Jeśli współczynniki temperaturowe zmiany rezystancji kolektor-emiter połączonych równolegle tranzystorów r różnią się, to rozpływ prądów w tych tranzystorach podlega również zmianom. W niekorzystnych warunkach i może doprowadzić to do niesymetrycznego obciążenia poszczególnych tranzystorów do tego stopnia, że może spowodować ich zniszczenie termiczne.
źródło
kanał
W tranzystorach VMOSFET bramka i kanał mają cha rakterystyczny kształt zbliżony do litery V, a kierunek przepływu prądu elektronowego od źródła do drenu jest pionowy1. W tranzystorach TMOSFET kierunki przepływu prą du elektronowego od źródła do drenu tworzą kształt litery T. Źródło w tych tranzystorach jest wykonane z warstwy metalicznej tworzącej z warstwą P zapo rowe złącze m etai-pótprzew odnik (rozdz. 4.2.2.2).
—const: •
dynamiczna rezystancja wyjściow
Y'¿2s
Al
L /q s
AUGS
AUgs Transkonduktancję gm oraz dynam iczną rezystancję wyjściową m ożna wyznaczyć z charakterystyk tran zystora unipolarnego (rys. 1 na poprzedniej stro nie). Oba param etry są istotne zwłaszcza dla pro jektantów układów wzm acniaczy z tym i tranzystora mi.
Dla
• złącze bram ka-żródlo nie jest spolaryzowane '- 0 V), to tranzystor VMOSFET nie przewodzi, ito ' Plącze półprzew odnikow e PN istniejące p °n . -. źródłem ¿,A riio m i rlrA npm jest ifist samoistnie sa m n is tn ifi spolarys n o la rv drenem Pu""pe w kierunku zaporowym. Jeśli napięcie UQS ■- wartości dodatnie, to elektrony warstwy N ■ koncentrują się w je g o obszarach krańcoco wywołuje efekt zawężania się kanału. Przy ’ ¿fmwednim ukształtowaniu warstw kanału, bram.' i ś c i ł a możliwe jest uzyskanie w takiej konstruk!■znacznych zmian prądu kanału przy stosunkow o lewielkich zmianach napięcia sterującego bram ka• źródło. Dzięki temu nachylenie charakterystyki ste'■¡owania tranzystora może być znaczne.
165
s u b s tra l o p rz e w o d n ic tw ie ty p u N
d re n
Rys. 2. Schemat konstrukcyjny tranzystora polowego ,| typu TMOSFET
an9- insulated G ato B ip o la r Transistor
166
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy
Tab. 1. Szkice i oznaczenia typowych obudów tranzystorów O budow y tran zysto rów (ich kszta łt i' w ym iary) są unorm ow ane, ja kko lw ie k ko le jn o ść w yprow adzeń elektrod tranzystorów (bazy, emitera i kolektora lub bramki, żródta i drenu) może być zupełnie dowolna. Kolejność wyprowadzeń jest jednak identyczna dla danego typu tranzystora i jest niezależna od je g o producenta. Szkice najczęściej spotykanych o b u dów przedstawiono w tab. 1 .
Obudowa z opisem wyprowadzeń
tranzystora jest stanem , w którym tra n z y s to r ch a ra k te ry z u je się d u ż ą im p e d a n c ją Liściową. W stanie tym tranzystor przewodzi znikov p rąd, a o samym tranzystorze m ówim y również, ła z n a jd u je się w stanie zatkan ia lub odcięcia. W przypadku tran zysto rów b ip o la rn y c h stan taki Mtatak długo, jak długo nie-płynie prąd bazy, a np. w przypadku tranzystorów unipolarnych polow ych ie wzbogacanym kanałem typu N i izolowaną bramta tak długo, jak długo napięcie bram ka-żródto nie przekroczy określonej wartości progowej. Ponieważ prąd płynący w stanie odcięcia tranzystora jest prą dem o bardzo m alej w artości, to m oc w ydzielana wtym stanie jest również znikoma. Im pedancja w yj ściowa tranzystora jest na tyle duża, że tranzystor można w tym stanie porównać do rozwartego klu cza elektromechanicznego (rys. 1 ). etan o d c ię c ia
W celu popraw y w arunków odprow adzania ciepła w obudowach tranzystorów średniej i dużej m ocy sto suje się konstrukcyjne elementy metalowe w postaci wkładki metalicznej (TO-220) lub wykonuje się cale obudow y z metalu o dobrych właściwościach prze wodnictwa cieplnego (TO-3). Obudowy te są zaopa trzone w otwory umożliwiające mechaniczny montaż radiatorów zewnętrznych. Należy zwrócić uwagę na to, że w tym przypadku kolektor lub dren tranzystora jest połączony galwanicznie z jego obudową. W konstrukcjach układów elektronicznych, w któ rych w ystępują różne potencjały kolektorów lub drenów, dla uniknięcia potencjalnych zwarć, nie m ogą być zastosow ane połączone elektrycznie wspólne radiatory zewnętrzne.
Tab. 2. Oznaczenia tranzystorów - 1 . litera: materiał półprzewodnika%s - 2. litera: symbol przeznaczenia -3. litera: zastosowanie Przykład: BCY58 1. litera: m ateriał półprzew odnika
O znaczenia ty p ó w tra n zysto ró w Oznaczenia typów tranzystorów składają się z dwóch lub trzech wielkich liter i symbolu liczbowego (tab. 2 ). Symbole literowe oznaczają materiał półprzewodnika oraz zakres zastosowań tranzystora. Symbole cyfro we oznaczają numer typu tranzystora. Czasami spo tykane są oznaczenia tranzystorów zgodne z norma mi amerykańskimi JEDEC, zaczynające się od sym boli 2N lub japońskich zaczynających się od symboli SC. Wówczas bardziej szczegółowe dane dotyczące typu zastosow anego półprzew odnika i obszaru za stosowań tranzystora m ogą być zidentyfikowane na podstawie danych katalogowych.
kres liniowej pracy tranzystora wykorzystywa• lest w układach wzm acniających w zakresach •{W),cfl j wielkich częstotliwości, natom iast obsza£ odcięcia i nasycenia wykorzystywane są w ukladach przełączających, zwanych rów nież im pulsojwymii
W tranzystorach m ocy kolektor lub dren typowo połączony jest z je g o metalową obudową.
A: german, B: krzem, C: materiały lll-V wartościowe, np. arsenek galu, , R: materiały polikrystaliczne, np. do produkcji magnetorazyslorffij
2 . litera: przeznaczenie C: tranzystor m.cz., D: tranzystor mocy m.cz. F: tranzystor w.cz,, S: tranzystor Impulsowy U: tranzystor mocy, impulsowy 3. litera, np. X, Y lub Z, oznaczenie obszaru zastosowaófj (przemysłowy, profesjonalny) Przykład: BC 107: tranzystor krzemowy m.cz. ASY 27: tranzystor germanowy Impulsowy do zastosował)! ______ przemysłowych (profesjonalnych) _
4.2.3.4 Tranzystor jako łącznik elektroniczny Zależnie od stopnia wysterowania obwodu wejściowego tranzystora możliwa jest jego praca w obszarach: ob cięcia, pracy liniowej i nasycenia (rozdz. 4.2.3.2).
167
: półprzew o d n iko w e elementy i układy elektroniczne
+Ub = 1 2 V
Ub ~ UcEsat Rc
obciążenie 12 V 50 mA V1
+ U %R
6V
B, h
MW
l
. k -Ic ^m!n
C . BC107 E
, (ć/j —ć/BEsaf) ‘ ^min ______ k ‘ / ę_____
U be
0V Ub - napięcie zasilania U, - napięcie wejściowe UcEsat - napięcie nasycenia kolektor-emiter Ubesai - napięcie nasycenia baza - emiter /.j - prąd bazy
/0
- prąd kolektora - rezystancjaszeregowabazy - rezystancja obciążenia - współczynnik przesterowania (2... 5) 0min - minimalna wartość współczynnika wzmocnienia prądowego Ry fl0 k
Rys. 1. Tranzystor jako tącznłk
Stan przewodzenia tranzystora jest stanem, w któ rym tranzystor jest nasycony I charakteryzuje się małą rezystancją wyjściową. W stanie tym tranzystor przewodzi znaczny prąd, a o sam ym tranzystorze 20 V 30 mówimy także, że znajduje się w stanie nasycenia UcE U/,= U oe=12V ; (rys. 2). W stanie nasycenia dynamiczne w zm ocnie nie tranzystora je st niale. O znacza to, że np. dla Rys, 2. Charakterystyka wyjściowa I prosta obciążenia tranzystora bipólarnego istotny wzrost prądu bazy wywołuje jedynie znikom y w zrost prądu kolektora. W przypadku tranzystorów bipolarnych stan taki jest osiągany w warunkach pracy tranzystora sterowanego znacznym prądem bazy, a np. w przypadku tranzystorów unipolarnych polowych ze wzbogacanym kanałem typu N i izolowaną bram ką wtedy, gdy napięcie bram ka-żródlo przekroczy wyraźnie określoną wartość pro gową. W stanie nasycenia, m imo znacznej wartości przewodzonego prądu, spadek napięcia na tranzystorze - jest niewielki. Wartość napięcia kolektor-em iter UCEsa nasyconego tranzystora bipolarnego ma wartość okoto 0.1 V. Stąd również m oc wydzielana w tym stanie jest niewielka. Im pedancja wyjściowa tranzystora jest na tyle mata, że tran zysto r m ożna w tym stanie p o ró w n a ć do zw artego klucza e le ktro m e ch an iczn e g o . Wodróżnieniu od stanu aktywnego, w którym tranzystor jest źródłem prądowym sterowanym napięciem t/BE, w stanie nasycenia, tranzystor jest źródłem napięciowym o sile elektrom otorycznej równej UCesoi- Tranzystor bipolarny znajduje się w stanie nasycenia gdy spełniony jest warunek: () ■lB 3= /c . | W tranzystorach stan obcięcia jest analogiczny do stanu rozwarcia, a stan nasycenia do stanu zwarcia ! klucza elektromechanicznego. Stąd tranzystor pracujący wyłącznie w stanach odcięcia i nasycenia nazywany jest tranzystorem przełącza łbym , kluczującym lub łącznikiem elektronicznym . Łączniki elektroniczne stosow ane są zwłaszcza w technice cyfrowej, np. do realizacji logicznych układów cyfrowych, układów m ikroprocesorowych, pamięci Półprzewodnikowych oraz m echatronicznych układach wykonawczych.
168
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektronie®
Przykład: Tranzystor bipolarny NPN oznaczam y sym bolem BC107 wykorzystany jest do włączania I wyłączania® rówki, przez którą przepływa prąd 50 mA. Nominalna wartość napięcia zasilania układu sterowania żar! ki wynosi 12 V (rys. 1 na poprzedniej stronie). Charakterystyka wyjściowa tranzystora jest podana na 2 na poprzedniej stronie. W yznaczyć m oc strat w układzie przełączającym w stanie przewodzenia ,1 rezystancja rezystora ograniczającego prąd bazy tranzystora Rv = 6,8 kQ, napięcie baza-em iter w st®§ przewodzenia UBe = 0,77 V i m inimalna wartość w spółczynnika wzm ocnienia wielkosygnalowego trarf stora Bm|n = 200 . R ozw iązanie: Do włączenia tranzystora konieczny jest pewien m inim alny prąd bazy /Bmin. Wartość tego prądu wyznaczyć, jeśli znana jest nom inalna wartość prądu obciążenia i wartość m inimalna w spółczynnikam i tycznego wzm ocnienia prądowego. ™ W naszym przykładzie 50 mA " 200
«250 ¡jA.
Nanosząc graficznie na charakterystykę wyjściową tranzystora (rys. 2 na poprzedniej stronie) prdśjs obciążenia, można wyznaczyć napięcie kolektor-em iter tranzystora w stanie przewodzenia. Prosta obef żenią jest prostą, która przecina oś prądu kolektora w punkcie nom inalnego prądu obciążenia, a oś h| pięć kolektor-em iter w punkcie nom inalnego napięcia zasilania układu przełączającego. Punktami t/jjf są w naszym przykładzie odpow iednio punkty: [50 mA, 0 V] i [0 mA, 12 V]. Napięcie kolektor-emiter wyz(il czone z Wykresu wynosi - 0,2 V. Stąd moc strat w tranzystorze, jeśli pominiemy prąd zerowy kolektor-ba' będzie w przybliżeniu równa
P|3C107 =
50 mA ■0,2 V + 0,25 mA ■0,77 V - 10,2 mW,
a m oc oddaw ana do obciążenia P0 = 50 m A ■ (12 - 0,2 V) » 590 mW. M oc sterowania będzie w przybliżeniu równa m ocy traconej w złączu baza-em iter i m ocy traconej w re?|j storze bazy. Stąd Si !0 Ps = 0,25 mA • 0,77 V + (0,25 mA )2 • 6,8 kiż - 0,617 mW. ■«8 Zatem wzm ocnienie m ocy w układzie wynosi kP =
590 mW/0,617 mW
=
956.
W celu pew nego wprow adzenia tranzystora w obszar pracy z nasyceniem, zmniejszenia napięcia kolei to r-e m ite r w stanie przewodzenia i uniknięcia m ożliwości pracy w zakresie liniowym w praktycznych utógl dach wprow adza się pewien w spółczynnik korekcyjny (zwany współczynnikiem przesterowania prądifj bazy), przez który m nożona jest w artość obliczeniowa m inim alnego prądu bazy. W artość tego wspÓ| czynnika waha się w granicach od 2 do 5. '
4.2.3.5 Tranzystor jako wzmacniacz niskich częstotliwości t W zmacniacze tranzystorowe niskich częstotliwości stosowane są w urządzeniach audiofonicznych. WyRł| rzystywane są również w odbiornikach radiowych i telewizyjnych, odtwarzaczach płyt kompaktowych, prt|i nośnych odtwarzaczach dźwiękowych, telefonach kom órkow ych, dom ofonach, parkom etrach, dżwiga?|; osobow ych, przyrządach pom iarowych itp. li
l
169
półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
cniacze te są przeznaczone do wzm acniania i W***1 sygnalów przem iennych w zakresie pasm a ' ^pstotliwości do 100 kHz. Schem at prostego tran■ torowego w zm acniacza niskich czę sto tliw o ści ^odstaw iono na rys. 1. W zm acniacz ten składa " P-0 z dwóch tzw. stopni wzmacniających. W pierwm stopniu, zwanym przedw zm acniaczem , nalepuje wzmocnienie napięciowe sygnału wejścio; s yy drugim stopniu, zwanym stopniem końco;i * jj, następuje wzmocnienie m ocy sygnału i dopa li, ju a n ie rezystancji wyjściowej wzm acniacza do rejystancji obciążenia. Projektowanie napięciowego stopnia wzmacniająceoo powinno być poprzedzone właściwym doborem punktu pracy tranzystora T1. W odróżnieniu od za stosowań przełączających punkt pracy tranzystora ¡¡obierany jest w obszarze jego pracy liniowej. Dla uzyskania możliwie szerokiego zakresu zm ian na pięcia wyjściowego i jednocześnie niskiego pozio mu zniekształceń nieliniowych punkt pracy A tranzy stora (rys. 2 ) dobierany jest tak, aby napięcie kolek tora było w przybliżeniu równe połowie napięcia za silania Ub.
ipunkt pracy tra n zysto ra n a p ię c io w e g o sto p n ia wzmacniającego p o w in ie n b yć d o b ra n y w taki sposób, aby napięcie wyjściowe tego stopnia mia ło składową stalą o wartości w przybliżeniu równej połowie napięcia zasilania stopnia. Właściwy punkt p ra cy m oże b yć d o b ra n y przez zmianę rezystancji rezystora nastawnego R2 (rys. 1). ł Dla tak dobranego rezystora zm ianom napięcia w ej Rys. 2. Ilustracja obszaru pracy wzmacniacza niskich ściowego AU, w g ra n ic a c h ± 0 ,0 3 V o d p o w ia d a częstotliwości z tranzystorem typu BC107 ¡«zmiana napięcia w y jś c io w e g o AU2 w g ra n ic a c h ±2,7 V. Gdyby nom inalny punkt pracy Uce = 4,5 V został dobrany np. na poziom ie 7,0 V, to wówczas napię cie wyjściowe wzmacniacza uległoby ograniczeniu wynikającem u z faktu, że napięcie wyjściowe nie może ■być wyższe niż nominalne napięcie zasilania (Uh = 9,0 V). W wyniku ograniczenia sygnału pojawiają się zniekształcenia sygnału wyjściowego, zwane zniekształceniam i nieliniowymi. Zniekształcenia te m ogą po wstać również wówczas, gdy punkt pracy wzmacniacza przesunie się poza obszar wyznaczony przez punk«ty A, i A 2 na prostej obciążenia wpisanej w charakterystykę wyjściow ą tranzystora (rys. 2). Prosta obciążenia «jest prostą przechodzącą przez dw a charakterystyczne punkty położone na charakterystyce wyjściowej tranzystora (rys. 2 ). Jeden z punktów jest położony na osi UCE, drugi na osi /c . Odcięta punktu przecięcia ; przez prostą obciążenia osi Uce jest równa nominalnem u napięciu zasilania Ub. Rzędna punktu przecięcia przez prostą obciążenia osi lc jest równa teoretycznej wartości prądu maksymalnego, który może popłynąć przez obciążenie w warunkach gdy UCE = 0 (rys. 1 i rys. 2). Obszary pracy wykraczające poza te punkty le żą zbyt blisko punktu przegięcia charakterystyki (punkt A ,) lub zbyt blisko nieliniowej części charakterystyki wejściowej tranzystora (punkt A 2) • « Wzmacniany sygnał (napięcie wejściowe) doprowadzany jest do bazy tranzystora T 1 przez kondensator CT. Sprzężenie pojemnościowe umożliwia wyelim inowanie wpływu składowej stałej sygnału sterującego na po łożenie punktu pracy tranzystora T1. Jednocześnie w ywołuje to efekt ograniczenia dolnej częstotliwości gra nicznej wzm acniacza w ynikający z dużej im p ed a n cji sprzężenia p o je m n o ścio w e g o w zakresie niskiej C2?stotliwośoi.
Î'-ÎM 170
4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektron^j? f
Pasmo przenoszenia wzmacniaczy niskich częstotliwości z pojemnościowym sprzężeniem międzyston S8i wym ma ograniczoną dolną częstotliwość graniczną. . wa|j Zmiana napięcia w ejściowego AU, wywołuje zmiany napięcia wyjściowego AU2. Jednocześnie następy 7 wersja faz pom iędzy napięciem sterującym i wyjściowym . Oznacza to, że wzrostowi napięcia sterującej9,* warzyszy zmniejszenie napięcia w yjściowego i odwrotnie. ' T. W jednostopniow ym , tranzystorow ym przedwzm acniaczu napięciowym następuje przesunięcie fazdiJB o 180° sygnału w yjściowego względem sygnału wejściowego.
^ p^przewodnikowe elementy i układy elektroniczne trzna warstwa p ółprzew odnika o p rzew od n i e t y p u P nazywana jest bramką. Spotykane są n 'eż tyrystory, w których bram ka jest wykonana Materiału półprzewodnikowego typu N. w wtokszości jednoklerukow ych tyrystorów triodowvch blokujących wstecznie, bram ka jest w ykona l i z materiału półprzew odnika o przewodnictw ie typuR
Dla prawidłowej pracy przedwzm acniacza w zakresie liniowym konieczne jest spolaryzowanie napięci stałym zarówno wejścia (napięcie U BE0 = 0,6 V), jak i wyjścia wzmacniacza (napięcie UCEo = 4,5 V), Napisu? Ubeo jest stabilizowane dodatkow o przez ujemne prądowe sprzężenie zwrotne w układzie złożonym z rsź stora R5 i kondensatora C3. Wzrost prądu emitera tranzystora T1, wywołany np. wzrostem temperatury o r czenia, powoduje wzrost napięcia emitera UE, a za* tern prowadzi do autom atycznego zm niejszenia na Przykład: pięcia UBE0, które w rezultacie zmniejsza prąd emite Określić w spółczynnik wzm ocnienia napięciowi ra do w artości nom inalnej. Kondensator C3 filtruje go pierw szego stopnia wzm acniającego przoS tętnienia i w yso ko czę stotliw o śoio w e składow e sy stawionego na rys. 1 na poprzedniej stronie. | g n a łu ’ s p rz ę ż e n ia . K o n d e n s a to r C2, s ta n o w ią c y Rozw iązanie: sprzężenie m iędzystopniowe, pozwala na w yelim ino wanie składowej stałej napięcia w yjściowego stopnia Z rysunku 2 na poprzedniej stronie moz ,-,c g | pierwszego. do odczytania zm iany w artości międzyszczyifll w ych napięcia w ejściowego AU, = 0,06 V i Drugi stopień w zm acniacza (rys. 1 na poprzedniej pięcia wyjściowego AU2 = 5,4 V. Stąd wspólczy$| stronie) p ra cu je w układzie w sp ó ln e g o kolektora. nik wzm ocnienia napięciowego wynosi ''' Układ ten charakteryzuje się dużą im pedancją w ej ■Vil ściową i niską im pedancją wyjściową. Zatem niewiel &U2 5,4 V kie zmiany impedancji wejściowej nie będą wywoływa 90. k„ = AU, 0,06 V ły isto tn ych zm ian rezysta n cji o b cią że n ia sto p n ia pierwszego. W tym sensie oba stopnie są odseparo wane impedancyjnle. Niewielka rezystancja wyjściowa stopnia wyjściowego umożliwia uzyskanie stanu dopa sowania energetycznego źródła sygnału i odbiornika. Dopasowanie energetyczne polegające na dostarczeniu maksymalnej m ocy ze źródła do odbiornika iij$i stępuje wówczas, gdy im pedancje źródła i odbiornika sygnału są identyczne. "M
struktura tyrystora złożona jest z trzech szeregowo p o łą czo nych s a m o istn ych złą cz typu pfj Jeśli zatem z o s ta n ie p rz y ło ż o n e n a p ię c ie 0 dowolnej polaryzacji pom iędzy anodę i katodę, to ¡zawsze któreś ze złącz tyrystora będzie spolaryzo w a n e zaporowo (rys. 1 ) . Taka polaryzacja tyrystora, przy której tylko jedno złącze PN jest spolaryzowa ne w kierunku zaporowym, nazywane jest polaryza cją w kierunku blokowania. Polaryzacja, przy której ¡ dwa złącza są jednocześnie spolaryzowane w kie ł k u zaporowym, nosi nazwę polaryzacji w kie; ginku zaporowym.
171
k ie ru n e k p rz e w o d z e n ia
k ie ru n e k z a p o ro w y
Rys. 1. Polaryzacja tyrystora w kierunku przewodzenia l w kierunku zaporowym
W ew nętrzna
0,4 A 0,3
02 0,1 0
! o bszar przewodzo• nia tyrystora p rą d p o d trz y m y w a n ia p r z e w o d z e n ia ty ry s to r a l u
^¡G_ jt '
< E —o
o b sza r p ra cy zaporow o] tyrystora
-0,1 -800 -600 -400 -200
o b s z a r b lo ko w a n ia tyrystora
0 4 400 600 V 800 PrZy braku prądu bram ki tyrysto r wykazuje słabe U F— ’właściwości p rze w o d n ictw a za ró w n o w kie run ku Rys. 2. Charakterystyki typowego tyrystora o napięciu ’blokowania, jak i w kierunku zaporowym . Jeśli jedprzebicia równym 800 V !nak zostaną spełnione warunki do tego, aby po p ły nął prąd bramki lG, to w wyniku jego przepływu we wnętrzna warstwa typu P zapełni się nośnikami ła dunku, co z kolei wyw oła efekt zaniku w łaściw ości blokow ania przepływ u prądu anodow ego przez we wnętrzną warstwę zaporową. Jeśli tyrystor jest spolaryzowany napięciem zewnętrznym, to zacznie wykazy wać właściwości przew odzenia prądu, ale tylko w kierunku blokow ania. Tyrystor znajduje się wówczas w stanie, włączenia. JsPrzy przepływie prądu bramki tyrystor posiada właściwości zbliżone do diody półprzewodnikowej.
Zatem w przykładzie z rys. 1 przedstawionym na poprzedniej stronie pożądaną rezystancją wyjściową dru giego stopnia wzm acniającego jest rezystancja 50 Q.
4.2.4 Tyrystory J e d n okieru nko w y tyrysto r trio do w y b lo kujący wstecznie Tyrystory są półprzew odnikow ym i wieloztączowymi przyrządami elektronicznymi zbudowanymi z czterech warstw półprzewodnika o różnym typie przewodnic twa, np. PNPN (rys. 1),
ty ry s to r z b ra m u j z m ateriału o prze w od n ictw ,« , . . k a to d a
bramką« / '.-Iłf
V \ z łą c z a pôlprzGWOu d ru ko w e typu PNjjj
Nazwa tyrystor jest tworem sztucznym i pochodzi od złożenia wyrazów: thyratron - trloda i resisto r -re z y s to r. Jedna skrajna w arstw a p ó łp rze w o d n ika tyrysto ra o przewodnictwie typu P nazywana jest anodą, nato miast druga skrajna warstwa półprzewodnika tyrysto ra o przewodnictwie typu N nazywana jest katodą.
ty ry s to r z bramk(J§ z m a te ria łu '!•?. o p rz e w o d n ic tw o
I
-9 '
Rys. 1. Schemat konstrukcyjny tyrystora o rnaksymcl-j. nym prądzie przewodzenia 50 AI maksymalnym^ napięciu zaporowym 750 V
Odzyskanie blokujących właściwości wewnętrznego złącza PN nie jest możliwe jedynie po sprowadzeniu wartości prądu bramki do zera. Aby tyrystor odzyskał pełne w łaściwości blokujące, konieczne jest zm niej szenie wartości prądu płynącego przez tyrystor poniżej pewnej wartości, zwanej prądem podtrzymania przewodzenia (rys. 2 ). Jeśli tyrystor jest włączony w obwód napięcia przem iennego, to jego wyłączenie następuje automatycznie. Wynika ono stąd, że w układach prądu przem iennego zamieniana jest okresowo polaryzacja wzajemna ano dy i katody tyrystora. Jeśli zatem tyrystor był włączony, to zostanie wyłączony w m omencie, gdy wskutek malejącego napięcia na tyrystorze w fazie przechodzenia do odwrotnej polaryzacji popłynie przez niego prąd o wartości mniejszej niż prąd podtrzymania. ?W układach prądu przem iennego tyrystor wyłączany jest samoczynnie. Ponowne włączenie tyrystora w ym aga właściwej polaryzacji (kierunek blokowania) i wym uszenia przepływu Prądu bramki. W łaściwość ta jest wykorzystywana w układach precyzyjnego sterowania mocą, zwłaszcza w układach prądu przemiennego. Odzyskanie w łaściwości zaworowych przez tyrystor w ym aga czasu w yni kającego z konieczności usunięcia ładunku elektrycznego z wewnętrznej warstwy typu R Czas ten jest zateżny od konstrukcji tyrystora i waha się w granicach 5 -3 0 0 ps.
172
4.2 Półprzewodnikowe elementy l układy e le ktro ^
^
W fazie narastania napięcia blokowania przez tyry stor płynie prąd wsteczny oraz prąd ładujący pojem ność w ew nętrznego złącza PN. Prąd ten je st tym większy, im większa jest strom ość napięcia bloko wania. Przy pewnej granicznej prędkości narastania napięcia blokującego następuje sam oistne włącze nie się ty ry s to ra , w y n ik a ją c e z p a s o ż y tn ic z e g o wzbogacenia w ładunek elektryczny wewnętrznego złącza PN.
f '
’ ; 'j
u p jest sterowany napięciem dodatnim wzgłę^katody, drugi tyrystor z bramką typu N jest sterodem napięćiem ujemnym względem anody (rys. 1 ). struktury obu tyrystorów zostaną w odpow iedni ób zintegrowane, to m ożliw e jest sterowanie SP°du tyrystora jedną bramką (rys. 2), Taka struktup ó łp rz e w o d n ik o w a nosi nazwę s y m e try c z n e g o 18 Jsłora d w u k ie ru n k o w e g o lub tria k a (trio d e -’^ e n t trójzaciskowy + alternating current - prąd
Trlak jest przyrządem półprzew odnikow ym o sy metrycznych właściwościach sterowania przepły wu przemiennego prądu elektrycznego.
Dopuszczalna maksymalna stromość napięcia bloko wania tyrystorów waha się w granicach 50-1000 V/ps.
p0C(Stawowy uktad pracy triaka przedstaw iono na f i rvs. 3. Zewnętrzne ele ktro d y triaka nazywane są e anodami i oznaczane sym bolam i A1 i A2. Triak wlączany jest w wyniku przepływu prądu bramki. Kieru| przepływu prądu bramki jest wym uszany przez i polaryzację A2 względem A1. Prąd bramki jest ograniczany przez odpow iedni dobór rezystora w ukla-
Dla ty ry s to ró w z d e fin io w a n o ró w n ie ż g ra n ic z n e wartości strom ości prądów obciążenia. Jeśli o b cią żenie ma c h a ra k te r re zysta n cyjn y lu b p o je m n o ściowy, to zb y t duża strom o ść prądu ob cią że nia m oże d o p ro w a d z ić do zn is z c z e n ia ty ry s to ra na sku te k p rze cią że n ia te rm ic z n e g o je g o struktu ry. Dopuszczalne wartości prędkości narastania prądu o b c ią ż e n ia ty ry s to ró w w a h a ją się w g ra n ic a c h 100-1000 A/ps.
G
Rys. 1. Konstrukcja triaka i jego symbol graficzny
p rz y / Q
L 3
4
p rą d b ra m k i
. Im większa wartość prądu bramki, tym niższe na•Jl I pięcie załączenia triaka.
Tyrystory znajdują liczne zastosowania w układach prostujących i przełączających. Obecnie produkowani tyrystory charakteryzują się prądam i przewodzenia do 4,5 kA przy napięciach wstecznych do 8 kV. ¡f.
Tyrystory wyłączane prądem bramki GTO 1 są tyrystorami jednokierunkowymi o specjalnej konstrukcji (rys ■ Dzięki niej możliwe jest sterowanie prądem tyrystora przez wym uszenie zmiany kierunku przepływu prądu bramki. Jeśli w fazie załączenia tyrystora popłynie w obwodzie bramki prąd o kierunku przeciwnym do kie runku prądu głów nego tyrystora, to tyrystor zacznie wykazywać (rys. 2 ) właściwości nie wysterowanego, a więc zablokow anego tranzystora. . :,i Tyrystor GTO jest włączany im pulsem prądu bramki o polaryzacji dodatniej i wyłączany impulsem p rą || bram ki o polaryzacji ujemnej. j|| Obecnie produkowane tyrystory GTO charakteryzują się prądam i przewodzenia do 3 kA przy napięctaoH wstecznych do 5 kV i częstotliwości granicznej przełączania prądu rzędu 10 kHz. Tyrystory te znajdują za stosowania w przekształtnikach częstotliwości oraz w łącznikach prądu stałego.
4.2.5 Triaki
5 4 3
1m A
r-T T T ~ 1
Strom ość prądu obciążenia w tyrystorze spolaryzowanym w kierunku przewodzenia jest ograniczona.il
5 mA
p rą d b ra m k i p o w o d u je w łą c z e n ie tria k a n ie z a le ż n ie o d k ie ru n k u je g o p o la ry z a c ji
Iq
Rys. 2. Przyktad charakterystyki triaka
Triaki znajdują zastosowanie w układach bezstykojv.‘wych łączników prądu przem iennego, w układach sterowania mocą grzewczą, oświetleniem , prędkoi' ścią obrotową silników itp.
4.2.6 Diaki Trójwarstwowa dioda, zwana diakiem (diodę+alternating current), jest elementem półprzewodnikowym dwuzlączowym złożonym z trzech warstw o różnym typie przewodnictwa, np. PNP (rys. 4). Dwa ztącza PN struk,■tury diaka tworzą samoistne warstwy zaporowe zapo biegające przepływowi prądu elektrycznego pomiędzy elektrodami diaka. Przepływ prądu przez strukturę możliwy jest dopiero po osiągnięciu przez napięcie za silające odpow iednio wysokiej wartości, np. 25 V. W wyniku przebicia lawinowego następuje gwałtow ny wzrost prądu przepływ ającego przez diak, przy jednoczesnym spadku napięcia na zaciskach diaka.
Tyrystory jednokierunkowe wykazują asymetryczną charakterystykę sterowania, tzn, m ogą być przelączoijf w stan przewodzenia tylko i wyłącznie przy ściśle określonej polaryzacji napięcia anoda-katoda. .$
W strefie przebicia diak charakteryzuje się ujem ną wartością rezystancji dynamicznej.
W celu symetryzacji w łaściwości przełączających, szczególnie pożądanych w układach prądu przemienną; go, możliwe jest połączenie dw óch tyrystorów w układzie odwrotnie-równolegtym . Pierwszy tyrystor z brata;
Właściwość ta je s t w yk o rz y s ty w a n a do b u d o w y układów g e n eru ją cych Im pulsy p rądow e w u k ła dach wyzwalających tyrystorów i triaków (rys. 1 na następnej stronie). Ze względu na symetrię struktury
1 artg. G afe Tarn O ff T hyristor
A1
; przeimlenny).
Stromość napięcia blokowania w tyrystorze spo laryzowanym w kierunku przewodzenia jest ogra niczona.
J e d n o k ie ru n k o w y ty ry s to r w yłą cza n y p rądem b ra m ki (GTO)
173
półprzewodnikowe elementy i układy elektroniczne
3 mA
1 0 -1 -2 -3 30 -20 -10
0
10 20V30: U—
Rys. 4. Schemat konstrukcji, symbol graficzny I charakte rystyka diaka
11 I 174 4.2 Półprzewodnikowe elementy i układy elektmni W I ' - ■ -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- —— 11 • j j ! p ó łp rze w o d n iko w e j diak ma rów nież sym etryczną j j i charakterystykę elektryczną (rys. 4 na p o p rze d n ie j s tro n ie ). Z uw agi na charakterystyczny kształt tej i charakterystyki diak nazywany jest czasam i d io d ą dw ukierunkow ą. S ch e m a t p ro s te g o re g u la to ra m o cy w y d z ie la n e j w obciążeniu z zastosow aniem diaka V1 przedsta wiono na rys. 1. W układzie tym wykorzystano typo wy sposób sterowania m ocy przez sterowanie kątem zapłonu triaka V2. Kąt zapłonu jest kątem fazowym • pomiędzy fazą napięcia przem iennego zasilającego układ a fazą sterowania triaka. Istnieją zasadniczo dwa rodzaje sterowania kątem zapłonu: z o p ó źn ie niem kąta za p ton u i ze ste ro w a n ie m kąta w yłą cze nia (rys. 2). U kład s te ro w a n ia m o cy z o p ó źnien ie m kąta zaptonu Układ sterowania m ocy z opóźnieniem kąta zapłonu Rys. 2. Ilustracja zmian napięcia chwilowego z o sta nie p rz e d s ta w io n y na p o d s ta w ie sch e m a tu n a n r łh in r n ll/it układu z rys. 1 . Kondensator C1 jest ładowany przez rezystor R1 ze źródła napięcia przem iennego. Na pięcie na kondensatorze rośnie przy wzroście napięcia zasilającego. Szybkości narastania napięcia na k o li densatorze i napięcia zasilania są jednak różne i zależą od doboru wartości pojem ności kondensatora A i rezystancji rezystora R v jjj Im większy jest iloczyn obu wartości, tym mniejsza jest prędkość narastania napięcia na kondensatorze, a z |l tern i na diaku. W momencie kiedy napięcie na kondensatorze osiągnie napięcie przebicia diaka, następuje gwałtowne rozładowanie kondensatora C1 w obwodzie diaka i bram ki triaka. Przepływ znacznego prądi bramki powoduje załączenie triaka. Moment, w którym zostaje włączony triak (m om ent zapłonu) względem momentu przejścia napięcia zasilania przez wartość zerową, nazywa się kątem zapłonu. Kąt zapłonu m o || być zatem w układzie przedstawionym na rys. 1 sterowany odpow iednim doborem rezystancji Rv J| Układ s te ro w a n ia m o cy
z e
ste ro w a n ie m kąta w yłą cze n ia
W układzie sterowania m ocy ze sterowaniem kąta wyłączenia, w przeciwieństwie do układu sterowania mo| cy z opóźnieniem kąta zapłonu, obciążenie jest dołączane w m om encie przejścia napięcia zasiłającegpji przez zero (rys. 2b). W tym przypadku odbiornik jest wyłączany po osiągnięciu określonego czasu od mol « mentu jego załączenia - zwanego kątem w yłączenia. Ten sposób sterowania wykorzystywany jest w uklą| .. dach regulacji napięcia przem iennego, zwanych także tra n sfo rm a to ra m i e le ktro n iczn ym i. ||
4.2.7 Elementy optoelektroniczne Elementami optoelektronicznym i są przyrządy półprzewodnikowe przetwarzające energię promieniowani# elektrom agnetycznego w wielkości elektryczne. P odstaw ow e po ję cia te c h n ik i św ie tln e j Ś w iatło w id zia ln e jest szczególną formą promieniowania elektromagnetycznego o długościach falowych A l0j| .żących w zakresie 380-780 nm. Promieniowanie elektromagnetyczne o stałej częstotliwości (stałej długości fal, : lowej) leżące w paśmie światła widzialnego postrzegane jest przez oko ludzkie i interpretowane jako barwą! (rys. 1 na następnej stron ie ). Czułość oka ludzkiego na strumień świetlny jest zależna od jego barwy. Oko ludzkie jest najbardziej czułe na barwę żótto-zieloną światła.
175
półprzewodnikowe elementy i ciklaćly elektroni czne ludzkie nie reaguje zarówno na fale elektromaP1*0 ne o długościach A > 7 80 nm, zwane falam i ^dczerw onym i, jak i na fale elektrom agnetyczne ''długościach A <380 nm, zwane falam i u ltra fio le ta mi Dla promieniowania świetlnego, a więc promie^ a n i a elektromagnetycznego, w zakresie widzial nym stosowane są tzw. subiektywne jednostki miary. S tr u m ie ń św ie tln y <Ą,jest określany jako m oc pro mieniowania wysyłanego przez źródło światła przy uwzględnieniu w zg lę d n e j czu ło ści oka lu d zkie g o raz w spółczynnika sku te czno ści św ietlnej. J e d nostką strumienia świetlnego jest lum en1 [Im].
Natężenie o ś w ie tle n ia £ v je st sto su nkiem m ocy promieniowania (strumienia świetlnego) do pola p o wierzchni prostopadłej do padającego strum ienia, jednostką n a tę ż e n ia o ś w ie tle n ia je s t lu x 2 [lx j. Na przykład natężenie o św ietlenia m iejsca pracy powinno wynosić od 300 do 1000 lx. Dla porów na nia, słoneczne światło dzienne cechuje natężenie od 30 000 do 70 000 lx. Fotorezystory